光电子能谱研究O2和Rb在InSb（111）表面上共吸附

本文利用光电子能谱（ＸＰＳ和ＵＰＳ）技术研究了室温下Ｏ２和Ｒｂ在ＩｎＳｂ（１１１）表面上共吸附，分析了碱金属Ｒｂ在ＩｎＳｂ（１１１）表面上吸附的键合状态以及对衬底的催化氧化作用。结果表明，Ｒｂ与ＩｎＳｂ表面上的Ｓｂ发生化学反应，Ｒｂ在ＩｎＳｂ表面上吸附提高了衬底表面的氧化速率，衬底表面上的Ｉｎ和Ｓｂ被氧化，分别生成锑和铟的氧化物。在Ｏ２吸附的过程中，还观察到两种Ｒｂ的氧化物，即过氧化铷（Ｒｂ２Ｏ２     

1．55μmInGaAsP及其相应量子阱结构的LP－MOCVD生长

本文研究了用低压金属有机化合物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术在（１００）ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓｐ体材料及ＩｎＧａＡＰ／ＩｎＰ量子阱结构材料的生长条件。三甲基镓（ＴＭ６３）、三甲基铟（ＴＭｈ）和纯的砷烷（Ａ８Ｈ３）、磷烷（ＰＨ３）分别用作Ⅲ族和Ⅴ族源，在非故意掺杂情况下，ＩｎＧａＡｓＰ材料的载流子浓度为３．６×１０１５ｃｍ－３；在液氦温度和室温下，与ＩｎＰ晶格匹配的ＩｎＧａＡｓＰ光致发光半峰宽分别为１９．２ｍｅＶ和６３ｍｅＶ；对外延层的组分及厚度均匀性分别进行了转靶Ｘ光衍射仪，低温光致发光和扫描电子显微镜分析，对不同阱宽的量子阱结构材料测出了由于量子尺寸效应导致光致发光波长随阱宽增加而红移现象。     

钆在MgO（110）薄膜上的吸附

为研究钆在ＭｇＯ薄膜表面吸附的特性，首先在经硫代乙酰胺（ＣＨ３ＣＳＮＨ２）处理的ＧａＡｓ（１００）表面外延生长Ｐ型半导体ＭｇＯ（１１０）薄膜，然后利用同步辐射光电子能谱研究钆在此表面的吸附，结果发现由于Ｇｄ／ＭｇＯ界面的能够弯曲使Ｍｇ２ｐ向高结合能端位移０．４ｅＶ，而且从实验结果推断，钆与衬底反应很弱，并且主要以团簇的形式吸附。     

NO在Cs／Ru（1010）表面上吸附的ARUPS研究

在１５０Ｋ的低温下，ＮＯ在清洁的Ｒｕ（１０１０）表面上的吸附，Ｈｅｌｌ－ＡＲＵＰＳ显示在Ｅ以下９．３ｅＶ（５σ＋１π）和１４．６ｅＶ（４σ）处有两个峰，表明ＮＯ在Ｒｕ（１０１０）表面上是分子吸附，ＮＯ在Ｃｓ／Ｒｕ（１０１０）表面上的吸附，ＡＲＵＰＳ测得在Ｅ以下６．２，９．２，１１．１，１２．４和１４．９ｅＶ处有５个峰，和Ｎ２Ｏ气相的ＵＰＳ谱比较认定它们是Ｎ２Ｏ和ＮＯ共存的结果，表明ＮＯ在Ｃｓ／Ｒｕ     

NSRL在表面化学中的同步辐射研究进展

综述了国家同步辐射实验室在表面化学的同步辐射研究中的部分新进展，其中包括碱金属Ｋ和稀土金属Ｇｄ对半导体表面氧化和氮化的催化作用；ＧａＡｓ（１００）半导体表面采用ＣＨ３ＣＳＮＨ２硫钝化的新方法，稀土金属Ｇｄ在半导体表面的吸附及界面形成；一种新的氧化镁薄膜的制备方法。     

在He和Ne的流动余辉中POCl3的解离动力学

本文利用流动余辉技术研究了亚稳态原子Ｈｅ（２＾３ｓ）和Ｎｅ（＾３ｐ０．２）与ＰＯＣｌ３分子的传能反应，获得了激发态碎片ＰＯ（Ａ）和ＰＯ（Ｂ）的发射光谱，测定了Ｈｅ（２＾３ｓ）与ＰＯＣｌ３反应中ＰＯ（Ａ）和ＰＯ（Ｂ）的形成速率常数，其数值分别为：ＫＰＯ（Ａ）＝３．６８×１０＾－１１ｃｍ＾３·ｍｏｌｅｃｕｌｅ＾－１Ｓ＾－１和ＫＰＯ（Ｂ）＝９．４０×１０＾－１１ｃｍ＾３·ｍｏｌｅｃｕｌｅ＾－１·Ｓ＾－１     

M／M（100）体系（M＝Li，Na，K，Rb，Cs）的吸附与表面扩散的势能函数研究

利用碱金属原子晶体性质导出的经验势能函数，研究了碱金属原子在其固体（１００）表面的吸附与自扩散性质。结果发现表面吸附原子的束缚能小子体相原子的束缚能，而吸附高度且大于晶格常数的一半；自扩散的能垒分别为０．４２（Ｌｉ），０．３０（Ｎａ），０．２６（Ｋ），０．２４（Ｒｂ）和０．２３ｅＶ（Ｃｓ）。     

具有析氢催化活性的纳米微晶Pd／Si电极的制备及表征

利用化学置换法在ｐ型Ｓｉ（１１１）表面制轩了米微晶Ｐｄ，对其析氢反应催化活性进行了考察，采用阳极溶出法对沉积层进行了研究，并借助于Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）对表面和界面进行了分析，结果表明，表面沉积微晶Ｐｄ的ｐ型Ｓｉ电极在０．５ｍｏｌ／ＬＨ２ＳＯ４中的析氢这塌位比裸Ｓｉ电极下降近４５０ｍＶ，阳极溶出曲线在０．３６－０．３９Ｖ附近出现Ｐｄ的溶出峰；ＸＰＳ测试证明Ｐｄ沉积层呈不连续微晶弥微分布于基底表面，     

掺铁InP肖特基势垒增强InGaAs MSM光电探测器

采用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ方法及常规器件工艺制成了ＩｎＰ：Ｆｅ肖特基势垒增强ＩｎＧａＡｓＭＳＭ光电探测器。用自建测试系统对其直流和瞬态特性进行了测试，测试结果表明，器件的击穿电压大于１０Ｖ，２Ｖ偏压下暗电流为１７０ｎＡ，对应的暗电流密度约为３ｍＡ／ｃｍ２；瞬态响应中上升时间ｔｒ为２１ｐｓ，半高宽ＦＷＨＭ为７５ｐｓ。     

多相氧载体CoO－MgO和氧分子作用的ESR研究

用ＥＳＫ研究多相氧载体ＣｏＯ－ＭｇＯ表面上氧的吸附作用，发现在７７－１５０Ｋ温度范围内表面Ｃｏ￣（２＋）离子和Ｏ＿２的结合是可逆的，吸附产生Ｃｏ￣（３＋）－自由基加合物有超精细结构的ＥＳＲ谱；当温度增加，吸附态自由基发生转移并稳定在Ｍｇ￣（２＋）离子上形成Ｍｇ￣（２＋）－Ｏ自由基，文中着重讨论Ｃｏ￣（３＋）－自由基的电子结构和成键本质，认为自由基是通过自旋成对的方式形成的，由于σ－л键作用引起的自旋极化以及由于电子离域作用而引起的偶极作用与ＥＳＲ制的超精细结构线产生有关。     

M／M（100）体系（M=Li,Na,K,Rb,Cs）的吸附与表面扩散的势能…

利用碱金属原子晶体性质导出的经验势能函数，研究了碱金属原子在其固体（１００）表面的吸附与自扩散性质。结果发现表明吸附原子的束缚能小于体相原子的束缚能，而吸附高度大于晶格常数的一半；自扩散的能垒分别为０．４２（Ｌｉ），０．３０（Ｎａ），０．２６（Ｋ），０．２４（Ｒｂ）和０．２３Ｅｖ（Ｃｓ）。     

金属羰基化合物（CpFe（CO）2）2与金属氧化物表面作用的傅里叶变…

用漫反射红外光谱和光声红外光谱研究了金属羰基化合物（ＣｐＦｅ（ＣＯ）２）２Ｃｐ＝η＾５－Ｃ５Ｈ５与酸性，中性和碱性Ａｌ２Ｏ３及ＴｉＯ２的相互作用，结果表明，在Ａｌ２Ｏ３表面生成的洗生物种类及浓度与Ａｌ２Ｏ３的酸碱度明显相关，在酸性Ａｌ２Ｏ３表面，主要存在衍生物（ＣｐＦｅ（ＣＯ）２Ｆｅ－Ｈ－Ｆｅ（ＣＯ２Ｃｐ）＾＋及少量的ＣｐＦｅ（ＣＯ）２（－Ｏ－）；在中性Ａｌ２Ｏ３表面存在的ＣｐＦｅ（ＣＯ）２（－Ｏ     

CdTe(111)表面碱金属吸附的电子结构特性研究

从理论和实验两个方面对ＣｄＴｅ（１１１）表面碱金属吸附的电子结构特性进行了研究．实验结果表明碱金属Ｋ在ＣｄＴｅ（１１１）表面吸附是Ｃｄ替位吸附，它影响了ＣｄＴｅ（１１１）表面的表面态分布，产生了费密钉扎现象．在理论方面，首先采用线性糕模轨函数（ＬＭＴＯ）方法对ＣｄＴｅ（１１１）表面的Ｋ吸附电子结构特性作了研究，得出了与实验符合的结果．对碱金属在ＣｄＴｅ（１１１）表面的吸附电子结构特性系统对比研究表明ＣｄＴｅ（１１１）表面的碱金属吸附特性不仅受碱金属原子序数的影响，而且与碱金属原子的内层电子组态有关 关键词：     

饱和吸附H原子的Si（100）表面的光学二次谐波研究

测量了Ｓｉ（１００）（２×１）－Ｈ表面和Ｓｉ（１００）（３×１）－Ｈ表面的反射二次谐波强度随温度的变化关系，并与清洁的Ｓｉ（１００）（２×１）表面进行了比较。Ｓｉ（１００）（２×１）表面和Ｓｉ（１００）（３×１）－Ｈ表面的二次谐波强度随温度的上升而单调地减小，Ｓｉ（１００）（２×１）－Ｈ表面二次谐波强度随温度的变化不是单调的，约在４７０Ｋ时信号最大。可以根据二次谐波信号的强度及其随温度的变化关系来确定样品温度和表面结构。     

高Tc氧化物La2CuO4+δ低频弛豫内耗峰的激活能研究

采用全自动多功能内耗测试仪（ＭＦＩＦＡ），对高Ｔｃ氧化物Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ的低频内耗作了细致的研究。发现Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ在１６０Ｋ－４３０Ｋ温区有三个弛豫峰ｐ１、ｐ２、ｐ３，并由变频实验求出它们的驰豫激活能。在激活能分析基础上，我们认为：ｐ１、ｐ２峰源于氧空位的驰豫跃迁，ｐ３峰则源于氧间隙原子的驰豫跃迁。     

非晶PET纤维的分子链段取向分布的研究

用对称透射法,收集在室温下不同拉伸比的非晶聚酯（ＰＥＴ）纤维之二有Ｘ射线散射（ＷＡＸＳ）强度函数Ｉ（κ,α）,采用自编ＭＰＳ９６型全谱分峰程序,将不同方位角α测得的ＷＡＸＳ强度曲线上的４个非晶重叠峰进行分解,获得分子链间原子 射引起的２个峰为：ＫＡ＝０．１４１ｎｍ＾－１,ＫＢ＝０．１７２ｎｍ＾－１;分子链内原子 射引起的２个峰为;ＫＣ＝０．３１１ｎｍ＾－１,ＫＤ＝０．５５５ｎｍ＾－１,详细分析了     

He／K系统两步激励产生极紫外相干辐射机制中的斯托克斯及反斯托克…

讨论了Ｈｅ／Ｋ混合蒸汽中两步激励产生极紫外（ＸＵＶ）相干辐射机制中存在的斯托克斯及反斯托克斯跃迁过程，计算了有关跃迁的振子强度、极紫外辐射过程及其竞争过程的受激拉曼散射增益系数和阈值，结果表明，其中６４．３ｎｍ极紫外相干辐射的产生过程与其竞争过程相比，具有最大的增益及最小的阈值；但到能级Ｋ［３ｐ＾５４ｓ＾２ ＾２Ｐ１／２，３／２］的反斯托克斯跃迁及到能级Ｋ［３ｐ＾５３ｄ（＾３Ｐ）４ｓ＾２ ＾２Ｐ１     

氟化Si（100）表面的结构研究

用Ｈｅ原子衍射研究了氟化Ｓｉ（１００）表面的结构。由Ｈｅ衍射测定表明Ｓｉ的悬空键是氟吸附的位置。Ｆ２与Ｓｉ（１００）２×１反应并不扰乱Ｓｉ－Ｓｉ二聚键，在Ｆ２入射平动能低时反应实际上在氟的复盖度为一个单层上停止进行。提高了Ｆ２入射平动能可经活化而使Ｆ２与氟化的表面进一步反应，而且在高能Ｆ２暴露后观察到无序的表面结构。     

稀土Er离子注入InP晶体中Er发光中心的形成和光激发机制

用离子注入法对ＩｎＰ晶体实现高浓度稀土（ＲＥ）Ｅｒ的掺杂，探索了优质材料的制作规律和条件。在低温（１０－２００Ｋ）测量了光致发光谱（ＰＬ），观测到Ｅｒ的尖锐发光峰，其峰值波长１．５３８μｍ，其发光强度较大；研究了该材料的热退火行为，Ｅｒ发光中心的形成和光激活过程；用Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射谱（ＲＢＳ）测量给出了热退火前后注Ｅｒ－ＩｎＰ晶体中Ｅｒ离子浓度的数值及深度分布；并对Ｅｒ发光中心的组成和光     

1,3—双（二乙基膦甲基）苯和顺—二氯（三乙基膦）合铂反应的NMR研究

应用＾３１ＰＮＭＲ技术研究了双膦配体１，３－（Ｅｔ２ＰＣＨ２）２Ｃ５Ｈ４和ｃｉｓ－（Ｐｔ（ＰＥｔ３）２Ｃｌ２）的反应过程，并对反应产物进行了元素分析和核磁表征，得到的结果表明，该双膦配体容易和ｃｉｓ－（Ｐｔ（ＰＥｔ３）２Ｃｌ２）发生金属环化反应，所选用的初始反应物应有利于和双膦配体形成一个中间（过渡状态）使苯环上的Ｃ－Ｈ键被活化，这是金属环化反应得以顺利进行的关键，据此提出了可能的反应途径。