非晶态合金Fe_(81)B_(13.5)Si_(3.5)C_2在退火过程中磁各向异性和晶化的穆斯堡尔研究

用穆斯堡尔谱和X射线衍射方法,研究了急冷非晶态合金薄带Fe_(81)B_(13.5)Si_(3.5)C_2在空气中退火时磁各向异性的变化,及其与表面结晶和整体结晶的相关性。实验表明,在空气中退火时,磁各向异性的反常变化亦与表面结晶向体结晶的发展密切相关。     

真空退火对周期性界面掺杂Ni80Co20薄膜磁性的影响

用磁控溅射方法制备了两个具有不同Fe层厚度的［Ni₈₀Co₂₀(L)/Fe(t_Fe)］_N多层膜系列样品,其中t_Fe=0.1和2nm.研究了两个系列样品的磁及输运性质随Ni₈₀Co₂₀层厚度L的变化关系.在退火态［Ni₈₀Co₂₀(L)/Fe(0.1nm)］_N系列样品中,发现各向异性磁电阻( 关键词： 多层膜 各向异性磁电阻 界面效应 退火     

金属玻璃(Fe1-xCox)78Si10B12的感生各向异性

本文研究了金属玻璃(Fe_1-xCO_x)₇₈Si₁₀B₁₂的磁化感生各向异性、应变感生各向异性随成分和温度的变化。磁化感生各向异性常数K_um为正值,x=0.7时为最大;不可逆的应变感生各向异性常数K_usi为正值,x=0.5时为最大;可逆的应变感生各向异性常数K_usr除了x>0.975区均为负值,在x=0.7时为最大;感生各向异性常数在温度变化时与M_s^α成正比,α在3.4和7.5之间随成分和退火工艺而变化。用短程有序模型解释了部分实验结果。 关键词：     

Fe39.4－xCo40Si9B9Nb2.6Cux纳米晶合金的有效磁各向异性研究

采用多晶材料趋近饱和定律研究了非晶Fe_39.4-xCo₄₀Si₉B₉Nb_2.6Cu_x(x=0.5,1,1.5) 合金在不同温度纳米晶化后的有效磁各向异性常数〈K〉.结果表明， Cu含量较低(x=0.5)时，纳米晶粒较大并且在较低的退火温度(550℃)下析出硬磁相，〈K〉随退火温度T_a升高显著增加；随着Cu含量的增加，有效地细化了晶粒，并且抑制了硼化物的析出，〈K〉明显减小.讨论了〈K〉与晶粒尺寸D及初始磁导率的关系. 关键词： 纳米晶 有效磁各向异性 磁导率 FeCo基合金     

Ce1.66Mg1.34Co3和α″-Fe16N2多层梯度膜磁反转性质的微磁学模拟

为了改善永磁薄膜的磁性能,基于微磁学理论,使用编程软件OOMMF针对Ce_1.66Mg_1.34Co₃和α″-Fe₁₆N₂交换耦合多层梯度膜的磁化过程进行模拟,系统研究磁晶各向异性梯度对多层膜性能的影响,分析体系的剩余磁化强度、矫顽力、磁滞回线和磁化反转过程中的能量变化。研究表明：减小磁晶各向异性梯度或增加界面处磁晶各向异性的差值,可以有效提高薄膜的矫顽力和剩余磁化强度,从而改善磁性能。通过计算磁矩分布发现一种磁涡旋态,这种磁涡旋态的产生过程伴随系统能量的增加。     

纳米超微晶Fe73.5Cu1Mo3Si13.5B9合金显微结构和磁性的研究

对纳米晶Fe_73.5Cu₁Mo₃Si_13.5B₉合金的原始制备态和各退火态样品进行了室温Mossbauer谱研究,结果表明晶化态的合金存在α-Fe(Si)微晶相和晶界的非晶相。晶相和非晶相内场和面积随退火温度的变化是退火时Cu,Mo,B等成分的扩散和在各相中的再分配引起的。最佳磁性能对应非晶相中的铁量占合金铁总量的30％左右,超微晶合金的双相无规各向异性模型表明,一定量的非晶相对保持纳米晶优异的软 关键词：     

SmCo5矫顽力与相变研究

用正电子湮没技术、1000kV超高压电子显微镜结合磁测量研究了SmCo₅永磁合金在回火中相析出和矫顽力机制。得出:从SmCo₅析出的Sm₂Co₁₇相本身不是反磁化形核中心,析出的Sm₂Co₁₇相中存在的某些多缺陷区域可以具有很低的磁各向异性,从而成为反磁化形核中心,使内禀矫顽力下降。实验中发现:SmCo₅从25℃到900℃回火,750℃出现最大磁不可逆损失。各种近邻Sm³⁺分布的中心Sm³⁺的磁各向异性随温度变化,越接近Sm₂Co₁₇结构,Sm³⁺为负磁各向异性的可能性越大。 关键词：     

利用FePt/Au多层膜结构制备垂直磁记录L10-FePt薄膜

利用磁控溅射方法在100℃的MgO单晶基片上制备了［FePt/Au］₁₀多层膜,并研究了采用FePt/Au多层膜结构对FePt薄膜的有序化温度、矫顽力（H_C）、垂直磁各向异性、晶粒尺寸以及颗粒间磁交换耦合作用的影响.磁性测试结果表明：FePt/Au多层膜在退火后具有较高的H_C、良好的垂直磁各向异性、较小的晶粒尺寸且无磁交换耦合作用.截面高分辨电镜分析表明：Au可以缓解MgO和FePt之间较大的晶格错配,从而促进薄 关键词： 0-FePt薄膜')" href="#">L1₀-FePt薄膜 有序化温度 垂直磁各向异性 磁交换耦合作用     

金属玻璃在磁场张力退火时感生磁向各异性、磁致伸缩和应变的变化

本文通过同时测量金属玻璃Co_65.2Fe_4.2Ni₃Nb₁Al₂Si_9.8B_14.8的同一样品在各种横磁张力退火后的磁各向异性、磁致伸缩和应变,对这些物理量的变化情况作了比较。应变感生各向异性和暂态蠕变的行为有某种相似性,但其间不存在对应或因果关系。磁化感生各向异性K_um,应变感生各向异性K_us,饱和磁致伸缩常 关键词：     

R2Fe14B(R=Ce,Pr,Gd)磁晶各向异性常数K1,K2随温度的变化

本文在1.5—300K温度范围内测量了R₂Fe₁₄B(R=Ce,Pr,Gd)各向异性常数K₁,K₂和各向异性场H_A随温度的变化。同时用单离子模型计算了Pr³⁺离子对Pr₂Fe₁₄B磁晶各向异性的贡献,得到与实验值半定量符合的结果。 关键词：     

化合物HoMn6Sn6的磁晶各向异性及自旋重取向相变研究

采用交换相互作用的分子场理论模型对金属间化合物HoMn₆Sn₆的自旋重取向相变进行了研究. 从理论上计算了HoMn₆Sn₆的易磁化方向以及Ho和Mn离子磁矩与c轴夹角随温度的变化. 基于单离子模型计算了Ho离子的一阶和二阶磁晶各向异性常数K_1R和K_2R随温度的变化. 研究表明，为了很好描述该化合物的自旋重取向相变，必须考虑Ho离子的四阶晶场项及相应的二阶磁晶各向异性常数K_2R，K_2R与K_1R和Mn离子磁晶各向异性常数K_1t之间的相互竞争是导致HoMn₆Sn₆自旋重取向相变的重要因素. 关键词： 稀土-过渡族金属间化合物 自旋重取向 磁晶各向异性     

Si-W/Si/SiO2/Si(100)的横截面电子显微镜研究

本文用横截面电子显微镜法分析了Si-W/Si/SiO₂/Si(100)在440—1000℃退火后的晶化过程,以及各个界面的变化情况.发现Si-W合金膜中,WSi₂并未优先在表面、界面处形成晶核.当退火温度不高于700℃时,反应在合金膜内发生,表面、界面起伏和缓.退火温度高达800—1000℃时,界面、表面出现原子扩散,造成剧烈的界面起伏;表面则出现小的热沟槽,Si/SiO₂界面也出现高分辨电子显微镜才能观察到的起伏.表面、界面的原子迁移的动力来源于晶界与表面、界面张力.由于SiO₂中Si—O键很稳定,不易发生Si和O在界面处的互扩散,所以Si/SiO₂界面起伏很小. 关键词：     

Nd2Fe14B化合物磁晶各向异性起源的理论研究

本文根据Nd₂Fe₁₄B化合物中存有少量巡游电子的基本实验事实,提出了在Nd₂Fe₁₄B中配位子所产生的晶场和巡游电子所产生的电场共同造成了Nd离子磁晶各向异性的理论模型。提出并解决了计算巡游电子同中心Nd离子相互作用的理论方法。在同时考虑Nd离子所受配位子的晶场和巡游电子的电场的作用情况下,用单离子模型计算了Nd₂Fe₁₄B中Nd离子所产生的磁晶各向异性及其随温度的变化。所 关键词：     

R2(Fe1-xAlx)14B的内禀磁性和永磁性能(R=Nd和Y)

本文研究了Al在R₂(Fe_1-xAl_x)₁₄B多元合金中的固溶度(R=Nd和Y),当x<0.1时,可形成四方结构。研究了在此类合金中,饱和磁化强度、居里温度、磁晶各向异性等内禀磁性,以及矫顽力和磁能积等永磁性能随Al含量的变化。发现以Al代换Fe时,使铁次点阵的磁晶各向异性出现极值;同时以Al代换Fe时,可使磁体的矫顽力显著提高。以Co和Al同时对Fe进行代换,制造成分约为Nd_16.5B _关键词：     

退火氧压对YBa2Cu3O7-x薄膜中的激光感生热电电压效应的影响

测量了在不同氧压下退火生长的YBa₂Cu₃O_7-x(YBCO)薄膜中的激光感生热电电压(LITV)信号,发现随退火氧压的增大可使LITV信号的峰值有2—4倍的增强,并且变化趋势与薄膜热电势的各向异性随氧含量的变化规律相同.波长在473—808nm范围内的连续激光辐照,在5000Pa的氧压下退火生长的YBCO薄膜中探测到的LITV信号最大;而紫外脉冲激光辐照时,LITV信号的最大值出现在退火氧压为10⁵Pa 关键词： 2Cu₃O_7-x薄膜')" href="#">YBa₂Cu₃O_7-x薄膜 激光感生热电电压 各向异性的Seebeck系数 氧含量     

Sol-gel法制备Bi0.85Nd0.15FeO3多铁性薄膜

利用sol-gel法在Pt/Ti/SiO₂/Si衬底上制备出Bi_0.85Nd_0.15FeO₃薄膜.研究退火温度对其晶相形成的影响,发现在450 ℃退火时,Bi_0.85Nd_0.15FeO₃晶相开始形成,但是结晶较差,而且存在杂相;在500—600 ℃退火可以获得单相Bi_0.85Nd_0.15FeO₃薄膜,退火温度升高有利于其结晶.对600 ℃退火的Bi_0.85Nd_0.15FeO₃薄膜的介电、铁电和电磁性能进行了测试.在测试频率为1 MHz时,其介电常数和介电损耗分别为145,0.032;饱和磁化强度大约为44.8 emu/cm³;剩余极化值(2P_r)大约是16.6 μC/cm². 关键词： sol-gel法 0.85Nd_0.15FeO₃薄膜')" href="#">Bi_0.85Nd_0.15FeO₃薄膜 铁电性能 铁磁性能     

非晶合金带制备态平面磁各向异性与技术磁性的关系

用磁转矩和磁化功方法测定Fe₄₀Ni₄₀P₁₂B₈和(Fe_0.1CO_0.5Ni_0.4)₇₈Si₆B₁₆非晶态合金带在制备态及退火后的磁各向异性常数。结果表明,用磁转矩方法测定的制备态非晶带中的平面磁各向异性常数,其中大部分是不因退火而改变的,这部分的磁各向异性对合金的技术磁化曲线无明显影响 关键词：     

不同氧含量Bi2Sr2CaCu2O８+δ单晶电阻率的各向异性

精确测量了在不同氧压下退火的单晶Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+δ(Bi2212)样品的Cu-O面内和Cu-O面外的电阻率ρ_c(T)和ρ_ab(T).发现ρ_c(T)和各向异性比(ρ_c(T)/ρ_ab(T))随着载流子浓度增加而迅速下降.在过掺杂样品中,高于120K时,ρ_c随温度线性下降,而各向异性 关键词：     

基于FTO/VO2/FTO结构的VO2薄膜电压诱导相变光调制特性

采用直流磁控溅射和后退火工艺在掺氟的SnO₂(FTO)导电玻璃衬底上制备VO₂薄膜, 研究了不同退火时间和不同比例的氮氧气氛对VO₂薄膜性能的影响, 对VO₂薄膜的结晶取向、表面形貌、表面元素的相对含量和透过率随波长变化进行了测试分析, 结果表明在最佳工艺条件下制备得到了组分相对单一的VO₂薄膜. 基于FTO/VO₂/FTO结构在VO₂薄膜两侧的透明导电膜上施加电压并达到阈值电压时, 观察到了明显的电流突变. 当接触面积为3 mm×3 mm时, 阈值电压为1.7 V, 阈值电压随接触面积的增大而增大. 与不加电压的情况相比, FTO/VO₂/FTO结构在电压作用下高低温的红外透过率差值可达28%, 经反复施加电压, 该结构仍保持性能稳定, 具有较强的电致调控能力.     

离轴磁场退火后Tb0.3Dy0.7Fe1.95〈110〉取向晶体的磁致伸缩"跳跃"效应

将〈110〉取向Tb_0.3Dy_0.7Fe_1.95合金棒放在与轴向成35°夹角的外磁场中退火处理,研究其在0—30 MPa预压应力σpre作用下的磁致伸缩效应.结果表明,σpre=0条件下的饱和磁致伸缩值λs由退火前的1023×10^-6提高到1650×10^-6;σpre 关键词： 磁致伸缩 磁场退火 磁致伸缩"跳跃"效应