首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
岳云 《今日电子》2003,(2):25-28
熊猫电子集团公司 岳云铁电随机存取存储器(FRAM)因为兼有RAM和ROM存储器的性能,自其问世以来便引起了人们的极大关注,并已在各种公用事业用表(如电表、水表、煤气表等)、测量和医疗仪表、非接触式智能卡、门禁系统和汽车黑匣子当中得到了日益广泛的应用。在此背景下,2001年11月,ITRS(InternationalTechnology Roadmap forSemiconductor)首次公布了FeRAM的发展计划(参见表1)。FeRAM的发展方向主要是精细化和低电压化,本文将着重介绍铁电电容器技术以及相关的电路技术方面的一些近期动向。一、铁电电容器技术从产品…  相似文献   

2.
铁电随机存储器的研究进展   总被引:7,自引:0,他引:7  
吴淼  胡明  王兴  阎实 《压电与声光》2003,25(6):472-475
铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器.以其高密度、高速度、非易失性及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。该文介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本存储单元、研究进展、应用及存在的问题,并指出1T结构的铁电随机存储器(FRAM)将会成为下一代随机存储器。  相似文献   

3.
Ramtron国际公司宣布推出1兆位的铁电存储器产品——FM201.08该存储器的工作电压为3Y,采用32引脚TSOP封装,FM20L08是Ramtron目前生产的容量最大的铁电俘储器,可以对其进行尢限次的读写操作。该型号是专门设计用束替换标准异步静态随机存储器的(SRAM)。同时.这个型号还特别适用电压多样或者电压会突然丢失的存储数掂系统,如机顶盒、汽车远程信息处理及工业应用等系统。  相似文献   

4.
铁电存储器是Ramtron公司近年来推出的一款掉电不挥发存储器,它结合了高性能和低功耗的操作,能在没有电源的情况下保存数据。FRAM克服了EEPROM和Flash写入时间长、擦写次数少的缺点。其价格又比相同容量的不挥发锂电SRAM低很多。已在工控仪表、办公复印机、高档服务器等系统中应用,具有广阔的应用前景。  相似文献   

5.
介绍了铁电存储器的存储原理,同时对两种铁电存储器(铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管存储器)的研究进展、当前存在的问题以及我国目前在这一领域的研究现状进行了简单介绍,并对今后的技术发展进行了展望。  相似文献   

6.
7.
8.
1 概述 随着DS32X35系列产品的发布,Dallas Semiconductor公司提供了无需电池的非易失存储器.这些器件采用铁电随机存取存储器(FRAM)技术,FRAM是非易失存储器,其读/写操作与RAM类似.  相似文献   

9.
王岸如  汤庭鳌  程旭  汤祥云 《微电子学》2001,31(6):414-417,421
近年来,集成铁电学(integrated ferroelectrics)迅速发展。铁电体是一种特殊的电介质,在不存在外场的情况下,它仍然可以保持一个自发的极化强度。其极化方向在外电场的作用下可以发生反转,表现出特殊的非线性介电行为,即电滞回线。文章讨论了铁电电容模型的SPICE实现。首先介绍电容模型的实现,然后结合2T-2C铁电存储单元的工作原理,验证了该模型。最后,给出了一个完整的32位铁电存储器的电路仿真结果。该结果可以非常容易地推广到更大容量的铁电存储器中。  相似文献   

10.
《电子质量》2004,(11):76-76
简称:ECC在处理单位作错误侦测和改正所有的单一位的误差,也可以作双位或多位的误差核对与改正。标准:ErrorCheckingandCorrection)简称:EDODRAMEDODRAM也称为HyperPageModeDRAM,这是一种可以增加动态随机存取内存(DRAM)读取效能的存储标准:ExtendDataOutDynamicRan-器,为了提高EDODRAM的读取效率,EDODRAM可以保持资料输出直到下一周期CAS#之下降边缘,而domAccessMemoryEDODRAM的频宽由100个兆字节(MB)增加到了200MB。中文:EDO动态随机存储器简称:EEPROM非挥发性存储器。电源撤除后,储存的信息(Data)依然存…  相似文献   

11.
FRAM(铁电存储器)、MRAM(磁阻存储器)和PRAM(相变存储器)等非易失性RAM相继上市,它们兼具DRAM和SRAM的高速性以及闪存和EEPROM的非易失性(见图1)。这类存储器产品的写入时间很短,  相似文献   

12.
《电子产品世界》2005,(8B):32-32
Ramtron国际公司(Ramtron International)宣布推出1兆位的铁电存储器产品——FM20L08。此型号操作电压为3伏,采用32引脚TSOP(薄型小尺寸封装)封装。FM20L08是Ramtron目前生产的容量最大的铁电存储器。该型号专门用来替换标准异步静态随机存储器(Standard asynchronous SRAM)。同时,该型号还特别适用电压多样或者电压可能突然消失的存储数据系统,如机顶盒、汽车远程信息处理以及工业应用等系统。  相似文献   

13.
任天令  张武全等 《电子学报》2001,29(8):1135-1137
从描述铁电电容的P-V滞回特性出发,本文在ZSTT宏模型的基础上提出了一个改进的铁电电容宏模型,并成功利用此模型对铁电存储器(FeRAM)进行了电路优化和电路模拟。最后将试图对此模型做进一步的推广,以模拟铁电存储器在另一种新读写过程中的操作。  相似文献   

14.
15.
FRAM是一种新型非易失性存储器。这种存储器可以克服目标现有非易失性存储器的缺陷和限制,本文介绍FM1608S的基本工作原理、结构特点和基本使用方法。  相似文献   

16.
汽车行驶状况的记录对分析、鉴定道路交通事故、提高交通管理执法水平和运输管理水平、保障车辆运行安全具有重要作用.采用铁电存储器(FRAM)作为汽车行驶实时数据存储设备,可以显著提高汽车行驶状况记录的速度和密度,减少汽车事故发生时恶劣环境对数据记录的影响,准确地记录并且长时间地保存事故发生过程数据,延长实时数据记录仪的使用寿命,为事故鉴定提供准确可靠的现场原始数据.  相似文献   

17.
铁电存储器制备中关键工艺的改进   总被引:1,自引:0,他引:1  
钟琪  林殷茵  汤庭鳌 《微电子学》2000,30(5):351-353
传统铁电存储器制备工艺中,存在着Pt/Ti下电极刻蚀难、制作的铁电薄 貌不好和上电极容易起壳等问题。文章对铁电存储器制备中的一些关键工艺进行改进,降低了工艺复杂性,解决了上述问题。  相似文献   

18.
介绍一种新型FM18L08型铁电存储器,分析TMS320VC25402型数字信号处理器(DSP)的并行引导装载模式,给出一种基于铁电存储器的DSP脱机独立运行系统的设计方案,并将该方案成功地应用在一种语音门锁系统中。  相似文献   

19.
《电子元器件应用》2006,8(1):134-134
SeikoEpson公司(“Epson”)日前宣布开发出业内首款柔性TFT—SRAM(16 kbits)。公司期望TFT—SRAM在未来被用作小而轻的柔性电子器件的关键元件。  相似文献   

20.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号