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采用新电极结构的PECVD技术,在高功率密度、高氢稀释比、低温、偏压及低反应气压的条件下,在SiO2玻璃表面形成双等离子流,增加了SiO2表面SiC的成核几率,增强成核作用,形成纳米晶。采用高H2等离子体刻蚀弱的、扭曲的、非晶Si-C及Si-Si和Si-H等键时,由于H等离子体对纳米SiC晶粒与非晶态键的差异刻蚀作用,产生自组织生长,发生晶化。Raman光谱和透射电子衍射(EM)的测试结果表明,纳米晶SiC是4H-SiC多型结构。实验结果指出,SiC纳米晶的形成必须经过偏压预处理成核,并且其晶化存在一个功率密度阈值;当低于这一功率密度阈值时,晶化消失;当超过这一阈值时,纳米晶含量随功率密度的提高而增加,晶粒尺寸加大。电子显微照片表明晶粒尺寸为10-28nm,形状为微柱体。随着晶化作用的加强,电导率增加,导电机理是渗流作用所致。 相似文献
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纳米晶SnO2气敏薄膜的制备与表征 总被引:4,自引:2,他引:2
以Sn(OH)4水合胶体为原料,采用溶胶-凝胶方法在Si片上制备了SnO2纳米晶薄膜,利用差热、热重、X光衍射以及原子力显微镜对薄膜的合成以及特性进行了分析,结果表明:在600℃条件下烧结结晶的纳米晶薄膜表面平整,具有金红石结构,平均粒度在10nm左右。以该薄膜为敏感体采用平面工艺制成的FET式气敏元件在常温下对乙醇蒸汽具有非常好的选择性。 相似文献
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Since Yoshizawa et al found iron-basednanocrystalline soft magnetic materials in 1988[1],nanocrystalline soft magnetic thin films have attractedmuch attention due to their wide applications.According to the random anisotropy model proposedby Herzer[2,3], as grain size is smaller than theexchange correlation length, coercivity andpermeability will be proportional and inverselyproportional to the grain size to sixth power,respectively. Therefore, in order to reach excellent softmagnetic properti… 相似文献
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简要介绍了纳米晶硅薄膜的微结构表征方法,重点讨论了PECVD制备方法中工艺参数对薄膜结构的影响,并探讨了氢在薄膜形成和生长中的作用。通过优化氢稀释率、衬底温度、反应气压、激励功率和激发频率等工艺参数可提高纳米晶硅薄膜的晶化率并改善薄膜质量。结合喇曼光谱、X射线衍射谱、傅里叶红外光谱和高分辨透射电镜等表征方法可深入研究薄膜形成机理,对进一步探索薄膜光电特性有重要意义。分析了等离子体化学气相沉积(PECVD)制备方法中各工艺参数对薄膜质量和沉积速率的影响,指出其存在的问题,并探寻了今后的研究方向。 相似文献
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The electrical conductivity of ceria thin films (epitaxial as well as dense and porous nanocrystalline) is investigated in dry and wet atmosphere at temperatures below 500 °C. For the epitaxial and the fully dense nanocrystalline samples, no significant differences can be observed between dry and wet conditions. In marked contrast, the nanocrystalline porous films obtained via spin coating exhibit a considerable enhancement of the protonic conductivity below 300 °C in wet atmosphere. This outcome reveals that the residual open mesoporosity plays the key role for the enhancement of the proton transport at low temperatures and not the high density of grain boundaries. The quantitative analysis of the various pathways, along which the proton transport can take place, indicates that the observed proton conduction can arise not only from bulk water adsorbed in the open pores but also from the space charge zones on the water side of the water/oxide interface. 相似文献
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在2×10-4 Pa真空下,采用XeCl准分子激光器(波长308 nm),调整激光单脉冲能量密度为3 J/cm2,交替烧蚀高纯单晶硅(Si)靶和铒(Er)靶,通过调整辐照两靶的激光脉冲个数比来控制掺Er浓度,分别在Si衬底和石英衬底上制备了掺Er非晶Si薄膜。在N2气保护下经高温热退火实现纳米晶化,退火时间为30 min。采用扫描电子显微镜(SEM)观察所得到的样品的表面形貌显示,铒掺杂影响着薄膜的表面形貌,与不掺Er情况相比,掺入适量的Er可以在较低的退火温度下得到晶粒尺寸分布更均匀的薄膜;拉曼谱的测量结果表明,在相同的退火温度下,Er的掺入有利于晶粒的长大,但同时降低了薄膜的晶化度,掺Er非晶Si薄膜要实现完全晶化需要更高的退火温度。 相似文献
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采用近距离升华法(Close-Spaced-Sublimation,CSS)引入Bi催化剂成功制备出了具有纳米线、近阵列排布的纳米棒等形貌的纳米晶CdTe薄膜.并利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见分光光度计等研究了薄膜的结构、表面形貌和光学性能.讨论了CdTe纳米结构可能的生长机制.Abstract: Bi-catalyzed nanocrystalline CdTe films were prepared by close spaced sublimation (CSS) technique successfully.These nanocrystalline CdTe films had surface appearance of nanowires or a similar array arrangement nanorod.The structure,the surface topograph and the optical properties of these films were studied using X-ray diffraction(XRD),scanning electron microscopy(SEM) and ultroviolet-visible (UV-VIS) spectrophotometer.And the possible growth mechanisms of these nanostructures were discussed. 相似文献
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热氧化制备纳米氧化锌薄膜的光致发光和室温紫外激光发射 总被引:8,自引:2,他引:6
利用低压 -金属有机汽相外延 (L P- MOCVD)工艺首先在二氧化硅衬底上生长硫化锌 (Zn S)薄膜 ,然后 ,将硫化锌薄膜在氧气中于不同温度下进行热氧化 ,制备出高质量的纳米氧化锌 (Zn O )薄膜 .X射线衍射 (XRD)结果表明 ,氧化锌具有六角纤锌矿晶体结构 .90 0℃氧化样品的光致发光 (PL )谱中 ,在波长为 3.3e V处观察到一束强紫外光致发光和相当弱的深能级发射 .紫外发光强度与深能级发射强度之比是 80 ,表明纳米 Zn O薄膜的高质量结晶 .在受激发射实验中观察到紫外激光发射 . 相似文献