CdS/SiO2介孔组装体系的光学性质

溶胶-凝胶法获得多孔SiO2载体,用氮气等温吸附对其结构进行了评估.经浸泡热合成得到复合量不同的CdS/SiO2块体介孔组装体系,并研究了其光学性质.结果表明:随复合量减小,吸收边以及荧光谱中峰位向短波方向移动;退火温度升高后,发光强度增大,450℃以后开始减慢,这归因于缺陷和跃迁几率的竞争.     

CdS/SiO2介孔组装体系、CdS薄膜及纳米晶的光吸收性质

通过溶胶 凝胶法获得块材CdS纳米颗粒/介孔SiO2组装体系样品,喷雾热解获得CdS薄膜,水热法合成CdS纳米晶,室温下的拉曼谱中观察到CdS的两个特征峰;在氮气中做了退火处理,发现CdS/SiO2介孔组装体系和CdS薄膜的吸收边随退火温度升高而移动,与XRD图谱中衍射峰宽化减弱相对应,其分别归属于量子尺寸效应和缺陷等的变化.     

Fe2O3/SiO2介孔组装体系的制备和吸收边的光学性质

通过溶胶－凝胶法获得SiO2介孔固体，用浸泡－加热分解法将Fe2O3颗粒组装在SiO2介孔固体中，构成不同复合量的块材Fe2O3/SiO2介孔组装体系，观察到复合量的不同及退火处理后造成吸收边的移动，表明了量子限域效应。     

ZnS/SiO2介孔组装体系的光吸收特性

通过溶胶-凝胶法获得块材ZnS纳米颗粒／介孔SiO2组装体系(ZnS／SiO2)样品，分别在氮气和空气气氛中做了退火处理，发现吸收边位置随复合量和退火温度不同而移动，经计算颗粒的理论值与其自由激子半径相当，说明吸收边的移动起因于量子限域效应。     

Ag/SiO2介孔组装体系的结构与光吸收特性

纳米颗粒介孔组装体系的光学特性是纳米材料领域的重要研究内容,采用浸泡-氢还原的方法制得Ag/SiO2介孔组装体系,通过透射电子显微镜(TEM)对样品进行表征,使用分光光度计(Cary 5E UV-Vir)对在不同还原温度下制得的样品进行光吸收测量.TEM结果证明银颗粒近似为球形,呈高度弥散且均匀分布于介孔之中,颗粒直径约为5 nm.光吸收测量结果发现,在还原性气氛H2中制备的样品表现出Ag纳米颗粒的吸收,即由自由电子共振引起的表面等离子体共振(SPR)吸收峰,且随着处理温度的升高,吸收边红移.     

Cd_(1-x)Mn_xS/SiO_2介孔组装体系退火特性

通过溶胶-凝胶法获得孔SiO_2载体。浸泡合成法获得Cd_(1-x)Mn_xS/SiO_2介孔组装体系样品,在氮气保护条件下和空气中研究了它们的退火特征,在两种不同的气氛下,它们的退火行为不同,前者的光吸收谱表现为红移而后者则蓝移。     

锂离子电池正极材料Li［CoxLi 1/3-x/3Mn2/3-2x/3］O2的制备与表征

采用柠檬酸盐法合成了Li［Co_xLi _{1/3-x/3}Mn_2/3-2x/3］O₂（x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5）正极材料. 利用X射线衍射(XRD), Raman光谱和红外光谱(FTIR)等方法研究不同质量分数的Co对材料晶体结构的影响, 并分析了原因. 对不同组分的材料进行了电化学性能测试, 结果表明, 当x=0.5时, 样品充放电容量高, 循环性能优良.      

耐湿性有序介孔SiO2减反射膜的制备及光学性能分析

采用氟硅烷链对有序介孔SiO₂光学减反射薄膜进行表面改性,有效提高其在潮湿环境中的稳定性。以三嵌段共聚物F127为模板剂,以正硅酸四乙酯为前驱物,在酸催化的醇体系中制备SiO₂溶胶。采用提拉法在石英基底上镀制薄膜,经350℃热处理后得到有序介孔SiO₂薄膜,薄膜对中心波长的透射率达到99.83%。通过嫁接氟硅烷链对薄膜表面进行改性,以有效阻止羟基和微孔开口对水蒸气的吸附。薄膜耐湿性测试在相对湿度80%、温度40℃的可控环境中进行,每隔15天进行一次薄膜透射光谱测试,采用光谱拟合方法分析薄膜的光学常数随测试时间的变化。结果表明,在湿度环境下,薄膜结构沿厚度方向具有非均匀性,薄膜折射率由靠近基底的边界到薄膜-空气界面呈非线性下降趋势。     

介孔SiO2固定化漆酶降解2,4DCP

以M-NH2-SiO2为载体,戊二醛为交联剂制备固定化漆酶,研究2,4-DCP(2,4-二氯苯酚)浓度、溶液酸度、温度对固定化漆酶降解2,4-DCP的影响.结果表明,固定化漆酶降解2,4-DCP最佳条件为:当2,4-DCP质量浓度为5mg.L-1,溶液pH为5.5,温度为30℃时,降解去除率为42.28%.固定化漆酶具有最大活性时的溶液pH值相比于自由酶的最佳pH向碱性偏移;与自由漆酶相比,固定化漆酶有良好的稳定性和重复使用性.     

原位法制备介孔SiO2@TiO2粉体及其性能研究

介孔SiO2@TiO2粉体具有较大比表面积及有序的孔径分布,在吸附、药物控释以及催化剂载体等领域应用前景广阔.以正硅酸乙酯为硅源、钛酸正丁酯为钛源、十六烷基三甲基溴化铵为模板剂,结合并改进溶胶凝胶法和水解沉淀法,设计了一种原位制备介孔SiO2@TiO2粉体的方法.通过对不同酸碱条件下所得样品进行结构与性能分析表明,碱性...     

TiO_2/SiO_2纳米粉体的相变及其红外性能

以溶胶-凝胶法制备纳米TiO2/SiO2复合粉体,用XRD,AFM,IR等方法进行了表征,研究了纳米TiO2/SiO2复合材料的晶型转变温度变化和红外吸收性能.结果表明,所制备的纳米TiO2/SiO2复合材料与单一组分的纳米TiO2,SiO2相比,晶型转变温度有提高的趋势,并且该复合材料在1700～400cm-1范围内有较强的红外吸收.     

等离子体改性制备NiO-TiO2/SiO2及其对甲基橙的降解性能

以正硅酸乙酯、异丙醇、钛酸丁酯、硝酸镍为主要原料,采用等离子体改性法制备了负载型NiO-TiO2/SiO2复合半导体材料,利用傅里叶红外光谱(FT-IR)、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)等手段对催化剂的性能进行了表征,并考察了催化剂对甲基橙溶液的光催化降解性能。实验结果表明,所制得的复合半导体材料具有较高的比表面积,NiO的加入促进了载体表面的分散程度,有效地抑制了光生电子与空穴的复合从而增强了对可见光的吸收性能,而催化剂经等离子体处理后在分散性、稳定性方面也有了一定提高,材料的光催化性能得到改善。     

nc-Si/SiO_2球形量子点的三阶极化率

在有效质量近似下,采用无限深势阱,理论计算nc-Si/SiO2球形量子点导带中的电子束缚态,并利用紧束缚密度矩阵理论,推导出共振三阶极化率的表达式.通过数值模拟,分析讨论nc-Si/SiO2球形量子点的三阶极化率与量子点半径、入射光子的能量和弛豫相的关系.结果表明,在强受限中,三阶极化率与量子点半径、入射光子能量和弛豫相有着显著的关系.随着量子点半径的增大、入射光子能量的增大和弛豫相的减小,三阶极化率都有不同程度的增强.     

用RAS模型估算半磁半导体Cd_（1－x）Mn_xTe富碲溶液蒸汽压

Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ富碲溶液的平衡蒸汽压是设计优化生长装置和获得最佳生长条件所不可缺少的．本文用缔合规则溶液（ＲＡＳ）模型估算了Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ富碲溶液的平衡蒸汽压，并且和实验结果进行了定性比较．     

稀磁半导体Cd＿（1－x）Mn＿xTe，Cd＿（1－x）Fe＿xTe的巨法拉第效应

用消光法、交替磁场法和磁光调制法测量了不同温度下、不同组分的稀磁半导体Ｃｄ＿（１－ｘ）Ｍｎ＿ｘＴｅ和Ｃｄ＿（１－ｘ）Ｆｅ＿ｘＴｅ的巨法拉第效应。实验表明：对较高组分的，法拉第旋转角为负，用单振子模型能很好地描述实验结果。稀磁半导体Ｃｄ＿（１－ｘ）Ｆｅ＿ｘＴｅ表现出与Ｃｄ＿（１－ｘ）Ｍｎ＿ｘＴｅ同量级的巨法拉第效应，当组分较低时，法拉第旋转角随入射光子能量出现由正到负的变化，必须用多振子模型才能很好解释实验结果。当样品很薄或磁场较低时，磁光调制法以其很高的测量精度显示出巨大的优越性。     

环戊二烯在负载型非晶态NiB/SiO_2催化剂上的选择加氢

制备了负载型非晶态NiB/SiO2 催化剂并考察了其对环戊二烯加氢的催化活性 .结果表明 ,N2 流速、反应温度和溶剂比对催化加氢活性影响不大 ,合适的氢烃比是高催化活性的决定因素     

TiO_2/SiO_2的制备及其光催化性能

采用溶胶 -凝胶法制得 Si O2 胶体 ,并将其与锐钛型 Ti O2 微粒复合制得 Ti O2 / Si O2 催化剂 .用透射电镜 (TEM)观察表面形貌 ,用红外光谱 (IR)和 X-射线衍射 (XRD)表征其结构 .以敌敌畏溶液等为体系 ,考察了 Ti O2 / Si O2 的催化性能 ,同时与单一的锐钛型 Ti O2 作对比 .结果表明 ,Ti O2 / Si O2 具有比 Ti O2 更强的光催化性能     

nc-Si/SiO2复合膜的非线性光学性质

采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术,制备a-SiOx∶H(0相似文献   

NiO/SiO2催化剂上CO氧化的反应机理研究

NiO/SiO2 是优良的非贵金属型CO氧化催化剂 ,EXAFS和TPR表征表明其活性中心为NiO .在此基础上进行的MonteCarlo模拟表明 ,在NiO/SiO2 上CO氧化遵循L H机理 .     

ZnS：Tb／SiO2核壳结构纳米晶的光学性质

用微乳液法合成了ZnS：Tb／SiO2核壳结构纳米晶,并通过X射线粉末衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、荧光光谱等手段对产物的结构、尺寸、形貌、荧光特性进行了表征。结果表明,ZnS：Tb纳米晶的粒径为3nm,ZnS：Tb／SiO2核壳结构纳米晶的粒径为5nm左右,这样就得出壳的厚度约为1nm。在ZnS：Tb／SiO2核壳结构纳米晶的发射光谱上可以观察到有5个发射峰为460、489、544、584和620nm,分别对应ZnS基质的发光和Tb^3＋离子的^5D4→^7F6、^5D4→^7F5、^5D4→^7F4、^5D4→^7F3跃迁。