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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
将电负性差法估算的GaxIn1-xAs1-ySby/InP和GaxIn1-xAs1-ySby/InAs的固相和液相组份数据应用于液相外延生长,均获得了晶格匹配的材料,并首次获得了波长λ>3.5μm的GaxIn1-xAs1-ySby/InAs异质外延材料。GaxIn1-xAs1-ySby/InP的固体组份为...  相似文献   

2.
本文引入了条件(Pw),讨论了条件(Pw)与条件(P)、条件(PE)之间的关系,刻画了幺半群上S-系的平坦性.  相似文献   

3.
在不同磁场H下 ,在 300~ 77K范围内测量了外延La2 /3 Ca1/3 MnO3-y薄膜的电阻率ρ(T) ,发现电阻率的温度依赖关系可以按如下的经验公式来描述:ρ(T) =1σ(T) =1/α(M/Ms)2 + βexp(-E0/kBT) ,其中拟合参数α ,β随磁场的变化略有变化,E0为磁极化子热激活能 ,约等于1 160kB,Ms 为饱和磁化强度 ,M/Ms采用平均场近似求得,据此对提高CMR效应的可能性作了讨论.  相似文献   

4.
能带是决定固体特性的头等重要的因素。我们用光谱方法对单相YBa2Cu2Ox高T。超导体进行了研究,测量了样品的反射-吸收谱、Raman光谱和荧光光谱.其350和500nm吸收带以及390nm,560nm荧光峰来自晶格中Cu+发光中心,是跃迁过程1A1g(3d10)-1Eg和~3Eg(3d94s1)。其720nm和860nm荧光峰来自Cu2+发光中心,是由于自由离子光谱项2D在八面体晶场、正交晶系晶场中分裂为5个能级之间的跃迁。此外,还有一些光谱可能来自晶格中Cu3+发光中心,其481cm-1和551cm-1声子对说明了312cm-1处声子对与电子系统是强耦合。  相似文献   

5.
本文首先讨论空间l1(Xn)中的弱收敛性,然后给出了l1(Xn)中弱紧性的几种等价刻画,同时对lp(Xn)(1<p<∞)中的弱紧性也得到了类似的结果.  相似文献   

6.
本文首先得到了以l(Xn)为值域的有界线性算子为弱紧算子的一个充要条件和一个充分条件,讨论了l(Xn)中的弱收敛,然后给出了l(Xn)中弱紧性的几种等价刻画.  相似文献   

7.
利用高分辨透射电子显微镜对高Tc YBa2Cu3O7/PrBa2Cu3O7(以下简称为YBCO/PrBCO)超晶格的微结构进行了系统的观察分析,高分辨电子显微象(HREM)表明YBCO/PrBCO超晶格层与层之间具有清晰的衬度,没有界面互扩散,通过HREM象观察,发现衬底表面的原子台阶和缺陷使薄膜最初1—2个晶胞层中出现层错等缺陷,但这些缺陷并没有向薄膜内部扩展,当薄膜厚度超过几个晶胞层后,其结构趋于完整。另外,在HREM照片上还可看出YBCO/PrBCO超晶格的调制周期存在波动,波动范围相当于一个晶胞层厚度,实验结果表明,利用YBCO/PrBCO超晶格研究CuO2面的二维超导电性时,临界温度Tc和临界电流密度Jc的变化不仅与二维CuO2面的失耦程度有关,还会受到各种晶格缺陷的影响,对YBCO/PrBCO超晶格和超薄YBCO膜的输运特性进行理论解释时,必须考虑衬底和晶格缺陷造成的影响。  相似文献   

8.
本文用实验测定和理论计算相结合的方法,研究了BaB2O4-Na2B2O4-K2B2O4三元系.在对该三元系3个侧边二元系相图热力学分析的基础上,用非对称的Toop模型将二元系热力学数据延拓到三元系,计算了BaB2O4-Na2B2O4-K2B2O4三元相图,计算结果与该三元系的一个典型垂直截面的测定结果吻合很好.  相似文献   

9.
对新概念指导下而设计的 (La1-xSrx)2Cu1-xSnxO4超导体进行了119Sn MÖssbauer谱研究 .对不同掺杂量样品的系统研究表明 ,MÖssbauer谱实验结果进一步证实了Sn以Sn4+价态存在并占据Cu晶位 ,不存在占据La晶位的Sn2 +离子 .Sn4+离子附近的局域晶格畸变较小 ,但是随Sn掺杂量有增加趋势 .在对La2 CuO4母体进行Sr和Sn同时掺杂所引入的载流子对超导电性的影响存在新的机制 .在新的额外氧机制下 ,讨论了Sn掺杂所导致的额外氧对超导电性的影响 .  相似文献   

10.
关于Pn3的优美性   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
设G(V,E)是一个简单图,对自然数k,当V(Gk)=V(G,E(Gk)=E(G)∪{uv|d(u,v)=k},则称图Gk为k-次方图,本文证明了图Pn3的优美性。  相似文献   

11.
用透射光谱法和光热偏转谱法测得了C60和C70薄膜在宽能量范围(0.6到6.5 eV)的光谱,并计算了吸收系数.根据分子轨道模型分析了C60和C70薄膜的光跃迁行为.Fuller烯薄膜的弱吸收光谱与非晶硅的类似.用Tauc公式确定了C60和C70薄膜的光学带隙分别为1.75和1.65eV.Urbach吸收边和亚隙吸收表明Fuller烯薄膜中存在无序状态,导致带尾态和缺陷态,这虽非C60或C70薄膜所固有,但无序的存在给准确测定Fuller烯薄膜的禁带宽度带来障碍.讨论了偏转介质与衬底对Fuller烯薄膜的弱吸收光谱的影响.  相似文献   

12.
朱赋鎏 《中国科学A辑》1997,40(3):210-218
运用BC2根系的第1种转移算子,求出了例外有界对称域E6/Spin(10)×T的初等球函数,导出了这种空间的逆Abel变换,最后给出了其热核的表达式。  相似文献   

13.
研究了Y1-xNdxSr2Cu2.7Mo0.3O7-δ(x =0 ,0 .1 ,0 .2 ,0 .5 ,0 .8和 1 .0 )的Ra-man光谱、红外光谱,指出RSr2Cu2.7Mo0.3 O7-δ结构上与RBa2Cu3O7-δ有显著的差异,而伴随着Nd的掺入,晶体的微结构发生了变化 .结合电阻率和热电势的测量结果 ,我们讨论了这种微结构变化对载流子分布的影响和NdSr2Cu2.7Mo0.3O7-δ不超导的原因,进而指出在高温超导体中广泛存在的稀土离子尺寸效应也是大稀土离子替代产生的晶体微结构变化的结果  相似文献   

14.
本文利用高分辨率透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)对高Jc外延生长YBa2Cu3O7-x超导薄膜的微观结构进行了观察分析.研究发现,薄膜外延程度的好坏与生长工艺和衬底表面的完整性有直接的关系.实验结果表明(100)SrTiO3单晶衬底上外延生长YBa2Cu3O7-x超导薄膜中影响临界电流密度Jc的因素主要有界面过渡区、缺陷和不同的外延取代等.  相似文献   

15.
研究了Bi2Sr2Ca1-xYxCu2Oy.(BSCYCO)体系中Y替代Ca后材料从超导体向绝缘体的转变过程.研究结果表明,在替代量X=0.4附近发生的从四方到正交的结构转变是BSCYCO超导性消失的直接原因,并发现结构参数c/0.5(a+b)的变化与材料的超导—绝缘—反铁磁这一性能的转变过程有较明显的对应关系.  相似文献   

16.
在有40nm厚的PrBa2Cu3O7过渡层的(100)SrTiO3基片上生长了YBa2Cu3O7超薄膜,典型的厚度为2,6,10个原胞层.X射线衍射表明薄膜取向都是C轴垂直于膜面.原子力显微镜观察发现YBa2Cu3O7超薄膜具有层状和螺旋两种生长模式,并且在6个原胞层的生长阶段观察到螺旋位错,而类似的生长特征并没有出现在PrBa2Cu3O7过渡层中.实验结果表明,在 10个原胞层范围内,薄膜的超导转变温度和临界电流密度对厚度有很强的依赖关系.  相似文献   

17.
使用激光分子束外延 ,在SrTiO3 ( 1 0 0 )单晶衬底上成功生长了一系列c轴取向的 ,具有原子量级控制精度的BaTiO3/SrTiO3超晶格 .利用晶格失配导致的薄膜表面台阶密度的周期性变化 ,讨论了反射式高能电子衍射 (RHEED)强度在BaTiO3 层和SrTiO3 层中的周期性调制 .系统研究了二阶非线性光学极化率同超晶格结构的关系 .实验测量和理论拟合结果表明 ,BaTiO3 /SrTiO3 超晶格的二阶非线性光学极化率显著增强 ,其最大值比BaTi3体单晶提高一个数量级以上 .从应力导致的晶格畸变和极化增强出发 ,讨论了二阶光学非线性增强的物理机制  相似文献   

18.
采用机械合金法制备了纳米复合材料Fex(SiO2)1-x系列样品 .用X射线粉末衍射 (XRD)、透射电子显微镜 (TEM )、M ssbauer谱和Faraday磁天平系统地研究了该系列样品不同Fe合量和不同球磨时间的微结构和磁性 .实验表明样品的微结构和磁性与球磨时间和Fe含量密切相关 .当样品的Fe含量少于 2 0wt% ,并球磨了 80h后呈现出非常复杂的微观结构 :α -Fe纳米晶粒和Fe团簇镶嵌在SiO2 基质中 ,形成α -Fe纳米岛状和纳米尺度的类三明治结构 .Fe-SiO2 界面的相互作用和渗透效应、纳米晶的尺寸效应和类三明治的特殊微观结构导致了纳米复合材料Fex(SiO2)1-x的物理性能的变化  相似文献   

19.
本文证明了当n为奇数且(n,t+1)=1时,如果集合M={ni-1|i=1,2,…,t+1},N={(t+1)j|j=0,1,…,n-1}满足M∩N≠?时,图Cn+Kt是和谐图.从而推广了M.Keid的结果:Cn+K2是和谐图.  相似文献   

20.
完全t部图K(n1,n2…nt)的色唯一性   总被引:4,自引:0,他引:4  
本文使用比较两个色等价图的色划分数的方法,得出了完全t部图的色等价图类仍为完全t部图的一般形式数值条件,进一步得出了K(n1,n2,n3)和K(n1,n2,n3,n4)为色唯一图的一般形式数值条件。  相似文献   

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