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本文提出了Si3N-Y2O3-La2O3三元系统的亚固(固相线下)相图。在此系统中,形成四个含固溶体的两相区和八个三相区。在富Si3N4区,发现存在一个新相:0.4Y2O3·0.6La2O3·3Si3N4,它于1550℃开始生成,随着温度升高,生成量增大,然而极难获得其纯单相。钇黄长石Y2O3·Si3N4可被La2O3取代形成有限固溶体,其固溶限为55mol%La_2O3,即0.45Y2O3·0.55La2O3·Si3N4。在Y-La-Si-O-N系统中,实验测得,具有同结构的三类含氮稀土硅酸盐,都分别形成连续取代固溶体。它们是:J相连续固溶体——2(Y,La)2O3·Si2N2O,K相连续固溶体——(Y,La)2O3·Si2N2O和H相连续固溶体——(Y,La)10(SiO_4)6N2。 相似文献
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采用直流磁控溅射法在NdGaO3 ( 110 )衬底上制备了La2/3Ca1/3MnO3-δ外延单晶薄膜 .在 0~8T的磁场范围内测量了不同温区下的磁电阻随磁场的变化关系 .结果表明 ,ρ(H )遵循以下规律 :当温度高于居里温度TC 时 ,ρ(H ) =1α(T) + β(T)H2 ;当T <Tc时,ρ(H ) =ρ0(T ) +1A(T)+B(T)exp(H/C(T));而当温度远低于居里温度时,ρ(H ) =1σ(T) + ν(T)H。表明负巨磁电阻的产生主要起因于磁场引起的电导率的增加。 相似文献
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利用同余式、平方剩余、Pell方程的解的性质、递归序列证明了:不定方程x3-1=749y2仅有整数解(x,y)=(1,0). 相似文献
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在不同磁场H下 ,在 300~ 77K范围内测量了外延La2 /3 Ca1/3 MnO3-y薄膜的电阻率ρ(T) ,发现电阻率的温度依赖关系可以按如下的经验公式来描述:ρ(T) =1σ(T) =1/α(M/Ms)2 + βexp(-E0/kBT) ,其中拟合参数α ,β随磁场的变化略有变化,E0为磁极化子热激活能 ,约等于1 160kB,Ms 为饱和磁化强度 ,M/Ms采用平均场近似求得,据此对提高CMR效应的可能性作了讨论. 相似文献
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本文研究了Y2O3-Al2O3-Si2N2O系统的亚固相关系和1550℃的等温面相关系。研究结果表明,Si2N2O可与小于15mol%的Al2O3形成O′-Sialon(O′s.s.)。2Y2O3·Si2N2O可与2Y2O3·Al2O3形成连续固溶体(Js.s.).在Y2O3-Al2O3-Si2N2O系统的Si2N2O一端,Si2N2O与Y2O3会反应生成Si3N4和Y10[SiO4]6N2(H相)。因此在该系统中有四个四元相区:H-Si2N2O-O′s.s.-Si3N4,H-3Y2O3·5Al2O3-O′s.s.-Si3N4,H-3Y2O3·5Al2O3-Y2O3·Si2N2O-Si3N4,H-3Y2O3·5Al2O3-Y2O3·Si2N2O-Js.s..在1550℃等温面相图中,在近Al2O3-Si2N2O系统一边有一个很大的液相区。其低共熔组成为:Y2O3:2Si2N2O:2Al2O3,T=1450℃。 相似文献
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For any integersa
1,a
2,a
3,a
4 andc witha
1
a
2
a
3
a
4≢0(modp), this paper shows that there exists a solutionX=(x
1,x
2,x
3,x
4) ∈Z
4 of the congruencea
1
x
1
2
+a
2
x
2
2
+a
3
x
3
2
+a
4
x
4
2
≡c(modp) such that
Research of Zheng Zhiyong is supported by NNSF Grant of China. He would also like to thank the first author and the Mathematics
Department of Kansas, State University for their hospitality and support. 相似文献
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关于一类S1,13(△(2)mn)插值与逼近 总被引:2,自引:1,他引:1
设△(2)mn是矩形域D=[a,b](?)[c,d]的Ⅱ-型三角剖分.S1,13(△(2)mn)是带边界条件的二元三次样条空间:本文我们将讨论一类S1,13(△(2)mn)的插值问题,证明了它的存在性,唯一性及逼近阶:如果f∈C4(D),则有|f-s|≤k(l)·ma 相似文献
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利用高分辨透射电子显微镜对高Tc YBa2Cu3O7/PrBa2Cu3O7(以下简称为YBCO/PrBCO)超晶格的微结构进行了系统的观察分析,高分辨电子显微象(HREM)表明YBCO/PrBCO超晶格层与层之间具有清晰的衬度,没有界面互扩散,通过HREM象观察,发现衬底表面的原子台阶和缺陷使薄膜最初1—2个晶胞层中出现层错等缺陷,但这些缺陷并没有向薄膜内部扩展,当薄膜厚度超过几个晶胞层后,其结构趋于完整。另外,在HREM照片上还可看出YBCO/PrBCO超晶格的调制周期存在波动,波动范围相当于一个晶胞层厚度,实验结果表明,利用YBCO/PrBCO超晶格研究CuO2面的二维超导电性时,临界温度Tc和临界电流密度Jc的变化不仅与二维CuO2面的失耦程度有关,还会受到各种晶格缺陷的影响,对YBCO/PrBCO超晶格和超薄YBCO膜的输运特性进行理论解释时,必须考虑衬底和晶格缺陷造成的影响。 相似文献
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在室温至液氦温区内,对良好(100)择优取向的La2/3Ca1/3MnOz薄膜的磁电阻作了实验研究.发现零场下未退火样品的电阻约在Tp=72K处出现一峰值,当外加磁场后,其电阻降低,而峰值所对应的温度Tp要往高温方向移动,然而其磁电阻变化值MR=δR/RH=(R0-RH)R_H的极大值却发生在25K附近,而且该值基本上不随外磁场的大小而改变.当样品在700℃t氧气中退火30min后,零场下电阻峰值往高温方向移动到230K附近,表明薄膜的Curie温度升高了. 相似文献
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首先用(12)上的模函数参数化椭圆曲线y2=x3+1,然后利用虚二次域Q((-p)1/2)上的类域论和Shimura互反律构造了当p≡7(mod24)为一素数时Y2=X3-p3上的一个无穷阶点. 相似文献
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高Tc氧化物Tl4Ba3Ca3Cu4Oy大块超导体,在HC1以下的磁场范围内存在着磁化反常,零场冷却样品在Hp以上磁场中的磁化强度与时间的关系的测量表明,存在着大量的磁通蠕动,并且在磁通蠕动期间伴随着磁通跳跃的发生,磁通蠕动速率与温度有关,表明与热激活有关,讨论了磁通的热激活,并且在77K的热激活能U≈0.14eV,还讨论了产生磁通跳跃的可能原因。 相似文献