基于多层次灰色评价方法的新能源电动汽车充电设施选址的研究

为了保护生态环境,使用新能源电动汽车的人越来越多,配套的充电设施建设迫在眉睫。针对新能源电动汽车充电设施选址问题,本文通过建立新能源电动汽车充电设施选址评价指标体系,采用多层次灰色评价方法和符号计算软件Mathematical确定各层评价指标的权重,构建了新能源电动汽车充电设施选址问题的多层次灰色评价模型,并用实际算例进行了评价研究,该模型有效的解决了新能源电动汽车充电设施的选址问题。 更多还原     

SiC短程结构的分子动力学模拟

采用Tersoff势函数对晶体、液态、非昌SiC结构进行了分子动力学模拟.模拟的结果表明由于C成键的影响使非晶SiC的结构偏离正四面体构型.在晶体中SiC保持长程排列的闪锌矿型结构.液态SiC的模拟得到Si的配位效为5.64,C的配位效为3.67,C-C的键角分布在～66°和～120°有两个峰值,表明有相当一部分C是三次配位,形成石墨型结构.非晶SiC的结构基本保持了液态SiC的构型,但Si和C的配位数下降,Si的配位数为4.24,其结构为正四面正体构型.     

太阳能多晶硅锭中硬质夹杂及其形成

多晶硅锭中常出现的硬质夹杂是造成硅片线切割生产中断线的主要原因之一,同时影响到太阳能电池片的质量.我们采用扫描电镜-特征X射线能谱仪、3D数码显微镜、傅立叶红外光谱等手段对定向凝固多晶硅断面、抛光面、溶解沉淀以及硅片中的游离碳含量进行了分析.结果表明,硅锭顶表层出现大量SiC和Si3N4夹杂,其数量随深度迅速减小;硅锭内部SiC十分稀少,尺寸也一般很小,但有时会出现大颗粒(～100 μm).硅片中游离碳含量远低于形成SiC所需临界平衡C浓度.就以上结果对SiC形成原因进行了讨论,并提出了减少SiC夹杂的建议措施.     

电动汽车用锌空电池电量预测方法的研究

讨论了电动汽车用锌空电池电量的预测算法.针对锌空电池的工作原理和放电特性,设计了一套电池电量的测量系统.通过电动汽车运行模拟工况试验,对锌空电池的电压、电流、温度参数进行精确采样,提出了用一种新的方法--修正的电量累积法,来预测电动汽车用锌空电池剩余电量.     

基于太阳能光伏发电系统的直流电源分析与设计

为解决独立光伏发电系统中太阳能转换效率低、蓄电池使用寿命短等问题,将最大功率点跟踪技术(MPPT)和蓄电池优化充放电控制策略应用到太阳能充电系统中.同时,应用以TL494为核心的推挽升压电路,降低系统对太阳光的依赖性,在没有太阳光时,系统由储存的蓄电池能量通过升压电路给负载供电.据此设计了一种以Atmega 88单片机为核心,由DC-DC充电变换器和蓄电池升压电路组成的直流电源.实验结果表明,采用MPPT充电方式可以实现对蓄电池充放电的优化管理,其平均充电效率达到了91.24%,延长了蓄电池的使用寿命,且推挽升压电路性能稳定可靠.     

开关不完全可靠潜艇充电系统可靠性分析

研究了潜艇充电系统的可靠性问题,在转换开关不完全可靠的情况下给出了潜艇充电1次及n次充电系统可靠性的表达式,并利用计算机仿真给出了仿真结果,验证了所给出的可靠性表达式的准确性,为实际应用提供了依据.     

SiCp/Y112铝基复合材料制备工艺及性能

3种不同铸造工艺条件下铝基复合材料的微观组织,并对其硬度进行了测定.研究表明:与全液态铸造法和半固态铸造法相比,搅熔铸造制备的SiCp/Y112铝基复合材料,其增强相SiC颗粒分布均匀,气孔率较少.是一种较理想的金属基复合材料制备工艺.未增强的Y112基体铝合金的维氏硬度高于其半固态坯料的维氏硬度;而SiCp/Y112铝基复合材料的维氏硬度明显高于基体的维氏硬度,并随着SiC颗粒的体积分数的增加其复合材料的维氏硬度不断提高.     

基于MOS-NDR负阻器件的D触发器设计

负阻器件由于在电流 电压特性曲线中表现出独特的负微分电阻特性,从而大大增加了单个器件所能实现的逻辑功能.如果将其用于数字逻辑电路设计,尤其是触发器的设计,可有效减少器件的数目.通过分析CMOS工艺负阻器件MOS-NDR及单双稳态转换逻辑单元MOBILE的工作特性,设计了一个时钟上升沿触发的D触发器.采用TSMC 0.18 μm工艺对所设计的电路进行HSPICE仿真,仿真结果表明所设计的电路具有正确的逻辑功能.与基于MOS-NDR负阻器件的同类触发器相比,新设计的D触发器具有更稳健的输出和较强的抗干扰能力     

利用双光子聚合在非透明基底上制备微结构

在不改变双光子聚合微加工设备结构的基础上,介绍了利用环绕字母数字螺旋塔,在以铜片和硅片为代表的2种非透明基底上进行光刻,根据所光刻的图案,分别得出在铜片和硅片上的有效光刻距离区间以及最佳光刻距离,总结出成熟的非透明基底上光刻微结构的方法,分别在2种不透明基底上光刻二维和三维立体图案,清晰的图案说明在非透明基底上光刻方法有效可行.研究结果可为诸多双光子聚合设备在非透明基底上光刻提供参考,并有助于双光子聚合在光学微器件、微机电系统、生物组织工程等领域发挥更大的作用.     

DCM02型数控恒流器件的设计分析

本文介绍一种具有D/A转换功能的恒流电路模块，从理论上讨论了器件的设计思想和性能，并研制成功.其性能测试表明，该模块是一种输出电流范围宽、稳定性好的恒流器件.     

采用KA3525的高效应急灯电路

KA3525是PWM控制器件,利用其输出方波脉冲激励逆变器推挽电路的工作原理,使输出功率器件工作在开关状态,从而达到高效的目的.从介绍逆变电路工作原理和充、放电控制电路的工作模式出发,对逆变器高效原理进行了探讨.实验证明:该电路工作效率高、实用、可靠,使用方便、灵活,可以大大延长蓄电池的使用时间和照明时间,有较大实用价值.     

图像处理设备的电磁兼容预测与工程应用

分析和测量了出现在三维图像处理设备上的电磁干扰信号，论述了如何在图像处理设备中建立电磁兼容预测模型及预测的工程方法，认真分析了设备中电磁骚扰源，骚扰途径和敏感设备的物理特点，并进行了电磁兼容预测计算，依据预测结果找出设备中的电磁兼容薄弱环节，分层次进行了电磁兼容综合的工程设计，经过实践达到了大型图像处理设备电磁兼容的目的。     

光纤CAN网络节点数计算方法

为电动汽车通信网设计了一种中继型节点的光纤CAN(Fibre--CAN)环型总线网络．采用塑料光纤(POF)作为传输介质，用波长为660nm的红光光电收发器件实现光电转换．在对中继型节点的传输延迟进行详细的分析后，结合CAN协议定义的位周期，给出了基于传输延时的网络最大节点数的计算方法．并对该方法进行了实验验证，实验结果与理论计算具有良好的一致性，表明该方法的有效性．     

电压敏感性隔膜用于锂离子电池可逆过充保护

研制了一种具有电压敏感功能并可为4．20V级锂电池和锂离子电池提供可逆过充保护的新型复合聚合物膜．这种膜由聚对苯（PPP）和聚苯胺（PAn）膜复合而成，在无掺杂的本征状态下为电子绝缘体；在高的氧化电势下因发生p-掺杂而变成电子导体；在正常工作电压下又因脱杂而恢复成电子绝缘体．因而，它可以作为一种电压敏感性隔膜用于防止电池过充．在Li／LiMn2O4模拟电池中的应用研究结果证实，在长时间的过充条件下，这种复合隔膜仍能够有效地钳制电池的充电电压，从而为电池提供町逆的过充保护．在正常充放电条件下，复合隔膜对电池性能没有产生负面影响．     

电路参数对外电极气体放电过程影响的计算机分析

本文通过对外电极气体放电物理过程的计算机模拟,研究了一些主要电学参量(包括电源电压、外电路阻抗、介质层电容和介质层上的壁电荷等)对放电过程的影响.文中给出了关于放电电流、辐射亮度和电功损耗等项放电特性随外电路阻抗变化的一维数值分析实例.     

基于Matlab短时闪变严重度计算方法研究

随着电力市场的商品化发展，电能质量受到广泛关注．电压波动和闪变是电能质量的重要指标之一．按照国际电工标准规定．分析了电压波动与闪变检测的各个环节，在simulink下建立了闪变仪模型,依据生成视感度系数序列的大小，编制计算短时阗变严重度的程序，结果表明该算法简单．相对误差小，方法简便实用，统计精度高．     

一种频率自适应的同步相位与对称分量检测方法

电网不对称故障时,快速、准确地检测同步相位和对称分量是电力电子装置实现控制与保护的关键问题之一.分析了负序分量对传统三相锁相环检测性能的影响,设计了一种频率自适应的同步相位与瞬时对称分量检测新方法.该方法利用瞬时对称分量理论在两相静止坐标系下实现对称分量的实时检测,利用广义二阶积分器实现90°相移,用测得的基波正序电压q轴分量作为锁相环的输入,用锁相环的输出角频率作为相移电路的谐振角频率,达到谐波抑制与频率自适应跟踪,是一个闭环的实时检测系统.分析了该方法的实现机理,给出了检测电路的实现框图,进行了实验验证.结果表明,该方法既能在被测电压不对称时准确检测同步相位和对称分量,又能消除电压频率变化对检测同步相位和对称分量的影响.     

比较AI6000-D智能仪和QS1在介质损耗上的测量

测量介质损耗是高压电气测量绝缘的基础试验.然而,从测量精度上、测量环境和测量时间上讲,现在用传统的方法和仪器测量已不能满足试验人员的测量要求.通过现代自动抗干扰精密介质损耗测量仪A I6000-D和传统的高压西林电桥Q S1对电压互感器(变比6 000V/100V)进行介质损耗测试结果的比较,智能仪A I6000-D的优势卓然而出.     

再论硅光伏探测器的响应度

实验中发现部分硅光伏探测器在以光生电压为输出信号时，开路电压Voc存在异常现象，在一定强度的光照下Voc出现峰值，随后Voc随入射光强的上升而下降。本文对这种异常现象的规律进行了研究和分析，认为该现象的产生是由于在金属与半导体之间形成了整流接触，这也是导致器件响应度下降的重要原因。