微电子封装技术的新趋势

本文从应用的观点出发简要介绍了各种封装技术在新世纪中的发展趋势。论述了如CSP、BGA 及倒装芯片等先进封装技术在微电子工业中所发挥的重要作用。     

手机中的微电子集成解决方案

本文介绍了手机中的微电子集成解决方案，着重论述了单封装射频装置的发展情况。     

“微电子发展趋势与展望”（2003嵌入式世界研讨暨展示会上的讲话节选）

21世纪的硅微电子技术方向 现今，信息技术发展史上有三个重要定律：第一个就是众所周知的“摩尔定律”；另外还有“光子定律”，表明光传输数据每9个月翻一番；还有“迈特卡夫定律”，这个网络定律说明网络价值与联网设备数的平方成正比。假设联网设备数增加10倍，那么该网络的价值就增加100倍，其增长是以平方关系实现的。从以上三个定律可以看出，世界上没有哪个行业的增长速度可与信息技术相比。     

浅谈后摩尔定律时期微电子技术的发展

根据理论研究和国际半导体技术发展路线图(ITRS),传统的硅基CMOS正在接近其极限.为了使微电子技术得以继续发展,最近提出了许多基于多种不同机制的新兴器件,它们可能作为下一代的微电子技术的支柱.但是,作为经典的、二能级开关,这些新兴器件也都受到量子力学和热力学的限制.为了克服这两个基本限制,更大的提高ULSI系统的性能,需要发展功能比二值开关更高的器件或者提出新型的、不同于传统的信息处理系统模型.本文将从器件功耗延迟积的角度来讨论这个问题.     

从大腕眼中看中国IC设计的发展--大唐微电子技术有限公司专访

大唐微电子技术有限公司是大唐电信科技股份有限公司的控股子公司,其前身是原邮电部电信科学技术研究院集成电路设计中心,现已发展成中国智能卡集成电路领域的领导者.大唐微电子技术有限公司于2002年和2003年连续两年实现经营业绩150%的增长幅度,2003年被评为2003年度10大最具增长性企业,根据赛迪顾问的统计,大唐微电子的经营业绩和增长速度均居国内集成电路IC设计企业之首.事实上,大唐微电子已经成为中国移动通讯集团智能卡市场的最主要供应商,正在成为中国联通的主要供应商之一,并且正实现着出口创汇.     

具有周边硅通孔的晶圆级芯片封装有限元分析

针对外围分布着硅通孔的晶圆级芯片封装结构,利用有限元分析软件ANSYS建立全局模型与次模型,在温度循环试验规范条件下将封装体与硅通孔结构分开进行仿真与探讨。了解模型受到温度载荷所产生的热力学行为。研究发现封装体在经历温度循环试验后所产生的位移呈现圆形对称分布,结构在高温时向外翘曲,在低温时向内弯曲;重布线层在与锡球交界处会产生明显的应力集中。硅通孔结构中铜垫片越接近开孔所受应力越大;硅通孔结构的重布线层部分,应力集中在转角处以及靠近钝化保护层交界处。     

IP核设计——中国集成电路产业发展的突破口

随着集成电路设计水平和工艺技术的提高，集成电路规模越来越大，芯片设计规模和设计复杂度也急剧提高，工艺流程呈现专业化，EDA设计逐步发展和完善。到了九十年代出现了SoC芯片（系统级芯片），即可以在一个芯片上包括了CPU、DSP、逻辑电路、模拟电路、射频电路、存储器和其它电路模块以及嵌入软件等，并相互连接构成完整的系统。由于系统设计日益复杂，设计业出现了专门从事开发各种实现不同功能的IP核的专业公司，     

后摩尔时代的封装技术

介绍了在高性能的互连和高速互连芯片(如微处理器)封装方面发挥其巨大优势的TSV互连和3D堆叠的三维封装技术。采用系统级封装(SiP)嵌入无源和有源元件的技术,有助于动态实现高度的3D-SiP尺寸缩减。将多层芯片嵌入在内核基板的腔体中;采用硅的后端工艺将无源元件集成到硅衬底上,与有源元件芯片、MEMS芯片一起形成一个混合集成的器件平台。在追求具有更高性能的未来器件的过程中,业界最为关注的是采用硅通孔(TSV)技术的3D封装、堆叠式封装以及类似在3D上具有优势的技术,并且正悄悄在技术和市场上取得实实在在的进步。随着这些创新技术在更高系统集成中的应用,为系统提供更多的附加功能和特性,推动封装技术进入后摩尔时代。     

一种基于CMOS工艺的电平转换芯片

基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺设计了一种电平转换芯片.整体电路采用Hspice和CSMC 2P2M的0.6 μm CMOS工艺的工艺库(06mixddct02v24)仿真,基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS 工艺完成版图设计,并在一款多功能数字芯片上使用,版图面积为1mm×1mm,并参与...     

声表面波器件内连技术的发展趋势探讨

随着SAW器件向小型化、轻型化的发展,传统的引线键合技术已对其形成严重制约。倒装焊技术在30年前发展起来,它解决了器件小型化发展的问题,并与平行封焊等工艺手段一起,促进了表面贴装技术（SMT）的发展,也越来越多地用于其他工业中。文章介绍了传统线焊工艺的局限性,倒装焊工艺的核心技术以及对面临的困难可能的解决方法。     

基于CMOS传感芯片的荧光检测系统研究进展

回顾了荧光检测系统的发展历史,详细阐述了与半导体CMOS技术结合后荧光检测系统微型化的发展过程,包括基于CMOS荧光传感芯片的直接式和间接式荧光检测系统。最后,提出了一种新型的微型化单片集成CMOS荧光传感芯片,为荧光检测系统的设计和应用提供了新思路。     

硅加速度传感器芯片的优化设计研究

介绍了最新设计的双E型硅传感器芯片的结构及其形成工艺。通过控制不同的敏感硅芯片弹性膜的厚度，即可制得不同量程的双E型敏感硅芯片和加速度传感器。     

CMOS图象传感器技术及其研究进展*

简要介绍了图象传感器的技术原理,比较了CCDs和CMOS图象传感器的技术特点。通过了解单片CMOS图象传感器的系统结构功能与器件类型,分析了单片CMOS图象传感器的性能要求与技术难点,总结出了提高性能所要进一步研究的关键问题。     

SOICMOS的开发现状和21世纪的展望

叙述了 SOI CMOS迅猛发展的原因及技术背景、 SOI CMOS的特征及其适应 L SI低功耗和高速化要求的特点。并就 SOI CMOS在结构优化、性能提高等方面的发展态势作一论述。     

开关级数字比较器设计研究

本文研究了传统的数字比较器电路研究，提出了一类开关级ＣＭＯＳ传输门结构的数字比较器电路，分析了这种电路的的设计实现方法，研究表明：和传统的数字比较器电路相比，这种电路具有结构简单，布局规则，运算速度快等优点，有一定的应用研究价值。     

ESS试验中ASIC硅片脱落分析

在导弹生产试验中,某型专用集成电路的硅片从管壳座上脱落。对失效样品脱落的形貌和能谱图进行仔细分析确定硅片脱离界面,分析工艺过程找到失效原因,改进硅片表面处理工艺。     

EDA的发展及其应用

信息产业是21世纪的战略性产业,而EDA技术在其中起着举足轻重的作用。EDA技术的高速发展为各国带来了机遇和挑战。本文较详细地阐述了EDA技术的发展、基本设计方法、高层次的设计和应用,介绍了高速PCB和板级系统仿真技术以及EDA技术在我所的应用情况。     

激光穴位照射对心动周期信号的影响

研究了低强度半导体激光照射劳宫穴和内关穴对正常人心动周期的影响。结果表明，心动周期的不规则性在照射后均得到不同程度的增大。因而这种照射有促进心脏健康的作用。