掺杂铌酸锂氦氖相位共轭激光器

以掺杂铌酸锂单晶为相位共轭镜,氦氖气体为激活介质构成了外泵浦相位共轭激光器。实现了LiNbO_3在632.8nm波段上相位共轭激光器的连续自振荡。     

掺杂铌酸锂双相位共轭镜光学谐振腔的温度特性

用带导模型和耦合波方程在强泵浦条件下建立了能反映温度特性的光折变双相位共轭镜光学谐振腔的稳态强度公式,研究了这种光腔的温度特性.相位共轭镜的温度相对于输出光功率来说存在着一个最佳值,在此温度值下输出光功率最大.不同温度下两个相位共轭镜的最佳泵浦比不同.用Ce:LiNbO3单晶和He-Ne激光构成了光折变双相位共轭镜光学谐振腔.测得的实验值与理论值基本吻合.     

四价掺杂铌酸锂晶体

综述了四价掺杂(包括铪和锆)铌酸锂晶体的研究进展.掺铪铌酸锂晶体具有与掺镁铌酸锂晶体相似的抗光折变性能,而掺锆铌酸锂晶体的抗光折变性能远优于掺镁铌酸锂晶体.铪铁双掺与锆铁双掺铌酸锂晶体兼有高光折变灵敏度和高光折变衍射效率的性质.并且在掺杂量超过阈值时,铪离子和锆离子在铌酸锂晶体中都具有接近于1的有效分凝系数.这些实验结果表明,四价掺杂铌酸锂有望成为出色的非线性光学晶体.     

掺铈铌酸锂相位共轭腔的双稳输出特性

以掺铈铌酸单晶为相位共轭镜构成了相位共轭光腔,测量了它的稳态输入输出特性。该特性表现出明显的双稳态。     

掺杂铌酸酸锂氦氖相位共振激光器

以姑铌酸锂单晶为相位共轭镜，氦氖气体为激活介质构成了外泵浦相位共轭激光器，实现了LiNbO3在632．8nm波段上相位共轭激光器的连续自振荡。     

铌酸锂波导调制器的相位漂移机理

铌酸锂波导调制器的相位漂移是其主要失效模式之一.分析了外电场、温度、机械应力等外场作用对铌酸锂波导调制器相位稳定性能的影响,并提出了相应的解决措施,以提高铌酸锂波导调制器的调制相位稳定性.     

相位共轭镜和相位共轭腔

本文使用矩阵光学方法,分析了下述论题:1.相位共轭镜的两类变换矩阵及其物理意义;2.相位共轭腔与常规稳定腔的比较;3.相位共轭腔的模参数;4.有频移的相位共轭腔;5.相位共轭腔的稳定性,并提出了一些问题加以讨论。     

相位共轭镜和相位共轭腔

本文使用矩阵光学方法分析了:1.相位共轭镜的第Ⅰ和第Ⅱ变换矩阵的物理意义及其等效性;2.相位共轭腔与常规稳定腔的比较;3.相位共轭腔的模式特性;4.有频移的相位共轭腔以及相关的一些问题,5.相位共轭腔的稳定性问题。还对近期的一些理论和实验结果作了比较和讨论。     

利用两波耦合增强BaTiO_3晶体的自泵浦位相共轭反射

本文报道了利用BaTiO_3晶体的两波耦合和自泵浦效应,实现高位相共轭反射率的方法。给出位相共轭反射率R随两耦合光束之间的夹角2θ,以及光束强度比β变化的实验结果。在适当的条件下(2θ≈35°,β=2600),得到共轭反射率大于35。     

NEW EXPONENTIAL BIDIRECTIONAL ASSOCIATIVE MEMORY

A new exponential bidirectional associative memory model is introduced. It offers an even better recall performance than the modified exponential bidirectional associative memory (MEBAM). Only a little complexity of realization is spent for the improvement.     

Chaotic neural network for associative memory

Based on current research on applications of chaotic neuron network for information processing, the stability and convergence of chaotic neuron network are proved from the viewpoint of energy function. Moreover, a new auto-associative matrix is devised for artificial neural network composed of chaotic neurons, thus, an improved chaotic neuron network for associative memory is built up. Finally, the associative recalling process of the network is analyzed in detail and explanations of improvement are given.     

准深全息联想存储器的研究

本文提出了一种利用准深全息图原理实现的光学联想存储器。它能实现三维图像的存取，并且具有高存储能力和较大容错本领的特点，可考虑作为计算机的联想存储器。     

All-optical active switch using a multiple quantum well nonlinearetalon as a laser diode mirror

A GaAs/AlGaAs multiple quantum well nonlinear etalon with a Bragg reflector was used as a feedback mirror of an external cavity laser diode. The laser oscillation was switched on/off by an external control light with high contrast ratio of 30:1     

量子纠缠联想记忆

提出一种基于量子纠缠的联想记忆神经网络(QuEAM).对比传统的联想记忆网络,QuEAM的存储容量得到了指数级的增大.学习算法是根据纠缠量度的性质,采用Grover量子迭代算法的基本原理局域放大量子位(qubit)的概率振幅,相当于传统计算机的按位操作,讨论了这个学习算法下的量子基本原理.最后给出具体的例子说明了算法的有效性.     

采用正交参考光束的全光学联想存储器

本文采用LiNbO_3晶体作为动态全息存储元件和相位共轭反射镜,实现了全光学联想存储器。提出了正交参考光束法存储图像,用于以上结构时,可使联想存储器的存储容量提高一倍。     

A new bidirectional associative memory model—HOMIBAM

A new bidirectional associative memory model named as HOMIBAM is introduced. The relationships of HOMIBAM with the models existed are pointed out. Both theoretical analysis and simulations show that the capacity and recall performance of HOMIBAM are superior to that of modified intraconnected BAM (MIBAM), higher-order BAM (HOBAM) greatly. Supported by Climbing Progamme-National Key Project for Fundamental Research in China     

利用电子全息术测量掺锰钛酸锶双晶界面的势场分布

用电子全息方法测量了掺锰钛酸锶 2 4°[0 0 1]倾转晶界面的电势场分布。该势场分布特征是以界面为中心的双Schottky势垒。利用Poisson方程由势场分布导出了电荷在界面处的分布。特征是界面中心处有负电荷集聚 ,相邻空间分布着等量的正电荷使得该界面在整体上保持电中性。势场分布的宽度约为 3nm。导致Schottky势垒产生的原因是界面上发生了Mn+2 及Mn+3 离子与Ti+4 离子间的替代反应 ,使得电子在界面处聚集 ,Ti+4 阳离子集中分布在相邻的空间