用触针下分布电阻的光电导衰退来测量半导体中少数载流子的寿命

本文提出了一种新的测量半导体材料中少数载流子寿命的方法。这方法是测量触针下分布电阻的光电导衰退。这方法具有下列优点:(1)样品不需要切成一定形状;(2)在样品上不需要做固定电极;(3)可以检验不均匀的材料;(4)不需要一定的表面处理;(5)仪器简单,操作方便;(6)有一定的准确度。文中对表面复合速度以及光线在样品中的吸收深度的影响进行了理论分析;同时对Ge和Si样品的实验数据进行了讨论。用这方法测得的寿命基本上与其他方法的结果符合。 关键词：     

用触针下分布电阻的光电导衰退测量锗和硅中少数载流子的寿命

研究了光谱成分不同的激发光和不同表面条件下锗和硅在触针下分布电阻的光电导衰退。对体寿命为τ的半导体,当用贯穿光激发、表面复合速度小时,非平衡载流子分布均匀,分布电阻的改变随时间t的变化服从△R=△R₀e^-t/τ的规律;当用白光激发、表面复合速度小时,非平衡载流子的分布很不均匀,衰退服从△R=△R₀t^-1/2e^-t/τ的规律。但当表面复合速度大时,不管激发光的成分为白光或贯穿光,总是在体内激发的非平 关键词：     

非均匀寿命分布电导调制基区中非平衡载流子的WKB解

针对非均匀寿命分布情况，建立了描述电导调制基区的双极输运方程,并利用Liouville-Green变换获得该方程在不同边界条件下的WKB解. 其结果可用于局域寿命控制下电导调制器件的建模分析. 关键词： 寿命控制 电导调制 非平衡载流子 WKB     

正弦式注入下半导体中过剩载流子的相移寿命

本文用单能级复合中心模型,分析了半导体中正弦式注入下过剩载流子的相移寿命与复合中心参数的关系,由此得出了相移寿命与稳态寿命和瞬态寿命的异同:(1)相移寿命与注入频率有关,随频率的增高而减小。(2)低频注入下电子空穴相移寿命相同,并等于瞬态寿命。文中同时讨论了低频注入的条件。     

方波调制下自由载流子吸收测量半导体载流子输运参数的时域模型

本文建立了用于测量半导体载流子输运特性(载流子寿命、载流子扩散系数和前表面复合速度)的方波调制下自由载流子吸收(free carrier absorption,FCA)检测技术的时域理论模型.通过数值模拟,分析了在不同调制频率下时域曲线的变化趋势以及各个载流子输运参数对时域曲线的影响.结果表明方波调制下的自由载流子吸收的时域信号对各个参数都用较高的灵敏度,且参数值的测量范围大于频域测量范围.     

用电发光法测量碳化硅少数载流子寿命的若干问题

本文介绍一种测量碳化硅半导体少数载流子寿命的方法,叙述有关的原理和测试设备,并就对测试结果有极大影响的谐振干扰、点接触的电学性质和电发光特性等问题进行了试验。提出了若干可以避兔谐振干扰、防止触点旁路并控制整流比的有效措施。推荐采用焊铟方法制备低阻接触。指出,为了保证实验结果的可靠性,测试前必须了解样品的发光特性。采用这种方法测定了若干碳化硅单晶的少数载流子寿命,测得值一般低于4.2×10^-9秒。     

用四探针技术测量半导体薄层电阻的新方案

本文介绍用四探针技术测量半导体薄层电阻的新方案。其特点是,不论对无穷大薄层还是有限尺寸小样品,都不要求探针之间的距离相等,测量结果与探针间距无关,消除了针距不等引起的误差;同时,对于矩形或圆形小样品,不需要另加边界修正,因而也不必知道样品几何尺寸,只从电测量中即可求出电阻值。 关键词：     

基于光束法平差的相位测量偏折术镜面面形测量

为了简化相位测量偏折术的系统标定,并减少系统标定和图像噪声对测量精度的影响,提出在相位测量偏折术中引入自由参考系,并在自由参考系内对测量结果进行光束法平差.由于基于梯度恢复面形的相位测量偏折术缺少绝对高度信息,因而不能直接进行光束法平差,自由参考系使入射光线和反射光线处于同一个坐标系内,通过光线三角交会计算自由参考系下...     

用交流法测量钛酸钡半导体电阻中极化子导电到能带导电的转变

采用交流法测量大功率商用钛酸钡（BT）陶瓷加热器的电阻和加热功率随温度的变化关系，结果显示，BT陶瓷的电导特性在80℃附近出现了明显的转变，从低温时的极化于跳跃导电转变为高温时的能带导电，此时，电阻出现极小值，而加热功率出现极大值．     

用相位恢复方法测量多孔光纤的三维折射率分布

结合计算机断层成像方法，提出了一种新的相位恢复显微测量实验技术.应用该技术测量了多孔光纤的三维折射率分布.这种技术是基于强度传递方程的理论，对相位的测量是直接的，测量对光纤无损害.这是一种测量多孔光纤的三维折射率分布的有效方法. 关键词： 断层法 相位恢复 显微测量 多孔光纤     

INFLUENCE OF THE TEMPERATURE-DEPENDENCE OF RECOMBINATION LIFE-TIME OF FREE CARRIERS IN AMORPHOUS SEMICONDUCTORS ON THERMOSTIMULATED PHOTOCURRENT SPECTRA

In previous theoretical analysis of ther-mostimulated conductivity (TSC) in amorphous semiconductors, for the sake of simplicity, we assumed that the recombination life-time τ of free carriers is a constant independent of temperature. In fact, this assumption is incomplete. The influence of the temperature-dependence of T on thermostimulated conductivity spectra is investigated in the present work. Under the consideration of T-dependence of τ, all the characteristic of TSC spectra indicated by the previous theoretical analysis still remain valid qualitatively, but the quantitative results are considerably changed. The effect of the relaxation parameters describing the behavior of τ(T) on the CSC spectra is also discussed.     

低电阻测量中的接触电阻

本采用两种实验方法对比测量可知通常的导线连接其接触点的电阻，并由此进行分析，阐述在双电桥测量低电阻实验中四端扭接法的必要性。     

用红外光激励电流法研究非晶半导体带隙态分布

本文提出了用红外光激励电流法研究非晶半导体带隙态的新方法。当一本征脉冲光照射样品时,大量非平衡载流子陷落到带隙态上;经过延迟时间t_d,用红外光激励残存的非平衡载流子,能引起红外光电导的过冲,过冲量与延迟时间t_d成幂次关系。基于多次陷落模型分析红外光电导过冲与温度及时间t_d的关系,可以得到带隙态分布的细节。 关键词：     

在电阻丝上测量薄透镜的焦距

本文提供了一种用电学原理在一根电阻丝上测量薄透镜焦距的实验方法。该方法利用均匀电阻丝的电阻与其长度成正比的关系,把长度量转换成电阻量进行测量,并通过标定,可以在一块数字电压表上直接显示待测薄透镜的焦距值。如果薄透镜的焦距已知,利用该方法也可以确定薄透镜所成清晰像的位置。实验结果的相对不确定度小于3%。     

原位电阻法研究MTG-YBCO的吸氧扩散

本工作采用原位电阻驰豫方法研究了熔融织构（MTG）YBCO（YBa2Cu3O7_δ＋0.4molY2BaCuOz)复相体系中氧（缺位）扩散。实验结果表明：MTG－YBCO生长过程中保留的非氧缺位类缺陷能加速吸氧进程,经930℃高温退火的MTG－YBCO的吸氧速率比未经高温退火者小。高温火MTC－YBCO在400－550℃温区吸氧而致的电阻弛豫可近似用一热激活过程一氧（缺位）扩散描述,氧扩散激活能力－0.73eV,在400－550℃温区氧的化学扩散系数为－10^-5cm^2sec^-1。所得晶格扩散激活能和化学扩散系数分别处于文献报道相应值的低值区和高值区。这种行为可能和MTG－YBCO材料中复杂的缺陷状态有关,缺陷提供了氧的局域快扩散通道,从而一定程序上影响氧（缺位）迁移动力学。     

用非平衡电桥测金属导体的电阻温度系数

本文利用非平衡电桥的输出电压与工作臂电阻变化成正比的关系，测出金属导体的电阻温度系数，丰富了物理实验的内容。     

用瞬态法测定灵敏电流计的内阻

利用电流计线圈的运动方程,导出了确定电流计内阻Ｒｇ的解析函数式。根据函数关系,用最乘法对测量数据进行一元线性回归及计算出Ｒｇ值。     

载流子影响下铁磁膜中静磁孤子的存在性分析

铁磁膜近邻存在半导体载流子的影响下,静磁表面波在一定频率范围内与外加恒磁场相垂直的传播方向上能演化成静磁孤子,而且静磁表面波群速在一定频率范围会改变运动方向成为反向波,其大小受载流子浓度的影响 关键词： 静磁孤子 载流子 铁磁膜 静磁表面波