矿化剂和烧成温度对合成锆莫来石材料的显微结构与性能的影响

运用精细化工艺方法,选择适当的矿化剂,采用矾土生料和锆英石砂烧结合成锆莫来石材料,试验表明:引入矿化剂或提高烧成温度均可以促进锆英石的分解,加速固相反应和烧结的进行.1550 ℃保温2小时烧后的试样具有良好的显微结构和常温性能.     

烧成温度和锆英石对轻骨料镁尖晶石材料性能和显微结构的影响

以方镁石-尖晶石微孔陶瓷骨料、电熔镁砂、电熔尖晶石、α-Al2O3微粉等为原料,制备含轻骨料镁尖晶石材料,研究了烧成温度和锆英石加入量对试样性能和显微结构的影响.结果表明,随着烧成温度的升高,试样 的致密化程度逐步提高;试样强度先增大后减小, 在1600℃时达到最大值.在1600℃热处理下,随着w(ZrSiO4)的增加,试样的体积密度增大,显气孔率变小,试样力学强度在w(ZrSiO4)为4 %时达到最大值.w(ZrSiO4)为4%的试样整体显微结构致密,固相直接结合程度提高;并且方镁石和尖晶石晶粒的晶粒尺寸粗大,晶粒发育比较完整.     

添加金属铝粉的锆刚玉莫来石材料显微结构与性能

通过扫描电镜、x射线衍射分析和体积密度、抗弯强度、烧结线收缩率以及抗热震性能的测定,主要探讨了金属铝粉的添加对反应烧结锆刚玉莫来石材料性能和显微结构的影响.     

添加金属铝粉的锆刚玉莫来石材料显微结构与性能

通过扫描电镜、x射线衍射分析和体积密度、抗弯强度、烧结线收缩率以及抗热震性能的测定 ,主要探讨了金属铝粉的添加对反应烧结锆刚玉莫来石材料性能和显微结构的影响。     

热处理对锆莫来石复相陶瓷材料显微结构的影响

利用电子扫描电镜重点研究了以锆英石与氧化铝、A级铝矾士为原料反应烧结锆莫来石复相陶瓷材料的显微结构.分析表明:在不同的液相条件下,莫来石的晶粒发育产生了3种完全不同的晶形;液相量越高,莫来石的针状发育越好.过量氧化铝的存在严重阻碍了残余晶界玻璃相的析晶.金属铝粉的添加容易引入热处理难以消除的大的贯通性气孔.这些大的气孔是影响反应烧结材料性能提高的重要因素.     

热处理对锆莫来石复相陶瓷材料显微结构的影响

利用电子扫描电镜重点研究了以锆英石与氧化铝、A级铝矾士为原料反应烧结锆莫来石复相陶瓷材料的显微结构。分析表明：在不同的液相条件下,莫来石的晶粒发育产生了3种完全不同的晶形;液相量越高,莫来石的针状发育越好。过量氧化铝的存在严重阻碍了残余晶界玻璃相的折晶。金属铝粉的添加容量引入热处理难以消除大的贯通性气孔。这些大的气孔是影响反应烧结材料性能提高的重要因素。     

矿化剂对莫来石质偏转磁芯承烧座性能的影响

以电熔莫来石颗粒、莫来石细粉以及生粘土为主要原料,α-A l2O3微粉和矿化剂Mg-CO3、CaCO3、BaCO3为添加剂,经配料、混练、成型后,在1 460℃保温3 h条件下烧成,合成出莫来石质偏转磁芯承烧座,并检测试样吸水率、显气孔率、体积密度及烧后线变化率,同时进行显微结构分析。研究了单独添加MgCO3、CaCO3、BaCO3以及三种矿化剂两两复合对莫来石质偏转磁芯承烧座性能的影响,结果表明:使用MgCO3、CaCO3、BaCO3三种矿化剂均能起到矿化作用,改善制品的烧结性能,从单种加入来看,以添加3%BaCO3的矿化效果最好,其体积密度2.20 g/cm3为最高、显气孔率28.7%为最低,明显提高了试样的烧结性能。复合加入以添加3%BaCO3和3%CaCO3的7#试样效果更为明显,其显气孔率最低,体积密度最大,烧结程度最好,这有利于提高承烧座的抗热震性和使用寿命.     

高硫煤——萤石复合矿化剂慢冷对立窑熟料显微结构影响的研究

本文论述复合矿化剂作用下,慢冷对立窑熟料显微结构的影响。通过对实际工厂立窑煅烧情况的分析,找出导致慢冷的原因,提出了改进煅烧工艺的建议。     

氧化锆对刚玉-莫来石复相材料显微结构的影响

通过扫描电镜、光学显微镜、X射线衍射仪和能谱探针研究了单斜晶型氧化锆对刚玉-莫来石复相材料显微结构的影响.结果表明:当氧化锆质量分数＜25%时,氧化锆对刚玉-莫来石基体骨架有充实作用;氧化锆质量分数增加到35%左右时,基体骨架被氧化锆晶粒瓦解,处于一种过渡态;氧化锆质量分数超过40%后,氧化锆晶粒会堆集成串珠链状,并与基体主晶相共同交织成一种新的结构骨架,但新骨架仍较松散.氧化锆晶体的马氏体相变导致了刚玉-莫来石复相材料产生微裂纹,裂纹密度与氧化锆加入量有并增趋势.     

添加碳化硅晶须的锆莫来石材料力学性能

通过对体积密度、三点抗弯强度、断裂韧性地测定以及对复合材料断口和表面的SEM分析，重点探讨了直接混磨和湿化学法制粉两种方法对添加有碳化硅的锆莫来石材料的影响。结果表明：在N2气氛中，直接混磨法更易获得碳化硅与锆莫来石基质的匹配和较高的力学性能。     

烧结温度对低压ZnO压敏陶瓷显微结构及性能的影响(2)

利用传统的电子陶瓷工艺,对ZnO—Bi_2O_3—TiO_2系低压压敏电阻材料,研究了不同烧结温度下材料的相结构,显微组织,电性能与烧结温度的关系。结果表明,在1150～1200℃温度范围内,可通过烧结温度,调整材料的压敏电压值,而材料的非线性系数α变化不大.     

烧结温度对Ti-15Nb-25Zr-2Fe合金组织与力学性能的影响

采用放电等离子烧结技术制备Ti-15Nb-25Zr-2Fe钛合金,研究了烧结温度（800,1 000和1 200 ℃）对合金致密度、相组成、显微组织及力学性能的影响。结果表明：合金的致密度随烧结温度的升高逐渐升高。800 ℃烧结的样品主要由β相、α"相、α相和单质Zr组成。1 000 ℃和1200 ℃烧结的样品主要由β相和α"相组成,α"相含量随烧结温度的升高逐渐降低。三种温度烧结的样品中均观察到未固溶的Nb,其含量随烧结温度的升高逐渐降低。随着烧结温度的升高,合金的抗压强度逐渐升高,塑性先升高后降低。     

低温烧结PZT压电陶瓷的研究

对ＰＺＴ压电陶瓷的低温烧结进行了研究。实验发现，在ＰＺＴ陶瓷中添加少量低 熔玻璃（ｘＢ２Ｏ３－чＢｉ２Ｏ３－ｚＣｄＯ）可使烧结温度从１２５０℃降低至９６０℃。其性能参数： Ｋｐ≥０．５２～０．５６，Ｑｍ≥１０００，ε３３Ｔ／ε０＝８００～１２００， ｔｇδ≤５×１０－３．借助于扫描电镜 （ＳＥＭ）、电子探针微区分析（ＥＰＭＡ）、Ｘ光光电子能谱分析（ＸＰＳ）和体积烧缩速率的 测量，对陶瓷显微结构、烧结机理和添加剂的作用进行了讨论，所研制的低温烧结瓷料 巳用于制备独石压电陶瓷变压器，其空载交流升压比可高达 ９ ０００以上。     

烧结温度对细晶粒Ti(C,N)基陶瓷组织和性能的影响

采用真空烧结工艺制备超微、纳米复合Ti(C，N)基金属陶瓷．研究了烧结温度对超微、纳米复合Ti(C，N)基金属陶瓷的显微组织、性能的影响，并用SEM观察试样的断口形貌．结果表明，随着烧结温度的升高，陶瓷材料的显微组织逐渐变得均匀致密，晶粒长大不明显，环形相逐渐变得完整；当烧结温度超过1450℃，晶粒会明显长大，环形相变厚、变脆，导致材料的性能下降．进一步分析表明，超微和纳米复合Ti(C，N)基金属陶瓷的最佳烧结温度分别为1410℃、1450℃．     

烧结温度对工业ZnO压敏电阻避雷器电气的影响

综合比较工厂试验结果得到的微观结构和电气参数的差异,优化得到了适合作为高电压梯度ZnO电阻片的配方和工艺。研制的ZnO电阻片在1135。C电压梯度达到330V／mm,最小漏电流IL4uA。并研究了其致密化过程,运用SEM、电性能测试等手段,分析了烧结温度对其微观结构和电性能的影响。     

烧结工艺对含硅锰烧结钢性能与组织的影响

研究了烧结温度和时间对Ｆｅ－３．１Ｍｎ－１．２Ｓｉ－０．４Ｃ烧结刚性能与组织的影响，实验结果表明：提高烧结温度和延长烧结时间都能改善Ｆｅ－３．１Ｍｎ－１．２Ｓｉ－０．４Ｃ烧结钢的机械性能；并使烧结试样由膨胀逐渐向收缩过渡，Ｆｅ－３．１Ｍｎ－１．２Ｓｉ－０．４Ｃ烧结网在１１００℃以上烧结时，由于有液相的出现，合金化过程可以被大大地提高，在烧结过程中，只有那些较小的硅锰母合金颗粒才能全部熔化，而那些尺     

放电等离子烧结制备碳化硅块材及其高温导热性能研究

通过放电等离子烧结制备了碳化硅块材,分析了烧结温度、保温时间等对碳化硅块材的密度、物相组成、微观形貌和硬度的影响,并对其高温导热性能进行了测试.结果表明,当烧结温度为1800℃,保温时间为5min时,通过放电等离子烧结能够获得致密度为98%的碳化硅块材.与传统热压烧结相比,放电等离子烧结制备的碳化硅块材的热导率略低,其主要原因是放电等离子烧结的保温时间较短与烧结样品的致密度略低,且晶界结合性较差所导致.     

烧成温度对硫铁铝酸钡钙矿物形成和强度的影响

利用DTA和XRD方法,研究了烧成温度对硫铁铝酸钡钙矿物性能的影响。结果表明,C2.75B1．25A2.75Fe0．25最佳烧成温度为1300℃,其强度达到最大值,1d为49．8MPa,3 d为 64．4 MPa,28d为90 MPa。随着烧成温度的不断升高,CaO· Al2O3和BaSO4的含量有所减少,C2．75B1．25A2.75Fe0．25矿物晶体数量大幅度提高。烧成温度的升高可以促进CaO·Al2O3和 BaSO4转化生成C2．75B1.25A2．75Fe0.25矿物。该水泥矿物的主要水化产物为BaSO4,含铁C3AH6,CAH10,C2AH8,铁胶和铝胶。     

烧结温度和升温速率对钛酸钡陶瓷结构及介电性能的影响

采用固相法制备BaTiO₃陶瓷,研究了烧结温度和烧结升温速率对陶瓷试样晶体结构、微观形貌、介电性能的影响。实验表明,所制陶瓷均为四方相钙钛矿晶格结构。烧结温度低会造成较多点缺陷,随烧结温度的增大,晶体均匀度和致密性有效提高,晶粒尺寸增大有助于促进畴壁运动,介电性能有所提升。烧结升温速率过慢同样会造成点缺陷浓度增多,且有液相生成,气孔较多,气孔含量高会降低介电性能的稳定性、减小介电常数、增大介电损耗;提高升温速率同样有助于提高晶粒尺寸、均匀度和致密性,当晶粒尺寸到达单畴晶粒尺寸附近时,内应力为0,90°铁电畴贡献高介电常数;但过快的升温速率会出现“过烧现象”,致使介电性能下降。当以5℃/min的烧结升温速率升温至1 275℃时,介电常数最大,介电损耗最小,其值分别为ε=2 374,tanδ=0.023 18。