基于机器视觉的军用液晶显示器颜色Mura的研究

选取一个在高温下存在颜色mura现象的样品,在45℃、50℃、55℃、60℃、65℃等温度条件下,使用CA-2000对mura现象进行色温测量,结合SEMI标准,制定一个mura定量评价标准.试验结果表明,颜色mura越严重,标准semu定值越高.该标准完全可以对颜色mura进行定量评价,避免不同视觉观察效果不一致的情况.     

具有管控液晶面板设备工艺参数的制造执行系统的技术研究

由于液晶显示行业材料成本高且生产工艺复杂,不同尺寸的产品需切换不同的工艺参数,频繁换模造成了对工艺参数难以把控,一旦出现将造成较大亏损。本文提出对制造执行系统MES进行模块增加,形成一种具有智能化管控工艺参数的设计方案。这种新方案使得MES可以实时管控生产工艺参数,并提供后期数据分析,减少生产过程中的人为风险,以提高生产过程的稳定性。     

高PPI ADS产品白Mura不良产生原理及改善研究

现有传统TFT-LCD 生产工艺中,Rubbing工艺在生产高PPI ADS产品的过程中,在改善Rubbing Mura不良时会使用H Cloth,但使用H Cloth Glass在经过Rubbing后ODF Rubbing Cleaner清洗时会出现白Mura不良。经过对白Mura不良Panel的微观解析,并结合H Cloth性质分析出白Mura不良是由于H Cloth自身的聚醋酸脂颗粒经过Rubbing Cleaner聚集造成的。从Rubbing Cleaner清洗时改变Glass表面性质(醇类可以有效改变界面性质)入手,通过使用IPA对Glass进行清洗以改变聚醋酸脂疏水性,使得聚醋酸脂颗粒更易被Rubbing Cleaner清洗掉来改善白Mura不良,并结合生产实际定期对IPA进行更换以保持IPA浓度处于一个稳定的区间,使得高PPI ADS产品白Mura不良发生率由改善前的3.42%降低至改善后的0.11%,白Mura不良得到非常有效的改善。     

液晶面板的类型

一个液晶显示器的好坏首先要看它的面板．因为面板的好坏直接影响到画面的观看效果,并且液晶电视面板占到了整机成本的一半以上,是影响液晶电视造价的主要因素,所以要选一款好的液晶显示器,首先要选好它的面板。液晶面板可以在很大程度上决定液晶显示器的亮度、对比度、色彩、可视角度等非常重要的参数。液晶面板发展的速度很快,从前些年的三代,     

三星电子开发出世界最薄手机液晶面板

三星电子日前宣布，通过对LCD面板上占主要体积的玻璃基板和导光板的技术突破性减薄，他已成功开发出世界上最薄的手机用LCD显示面板。该面板的厚度只有0．82mm，仅相当于一张普通信用卡的厚度。比此前东芝松下显示技术公司于2006年10月在第七届日本高新技术博览会（CEATEC JAPAN 2006）上亮相的世界最薄型的0．99mm手机用低温多晶硅TFT液晶显示面板厚度还要薄0．17mm。     

液晶面板不是救世主

中国液晶面板的好消息接踵而至。日前,京东方宣布其位于北京经济技术开发区的8.5代TFT-LCD生产线正式投产,由此成为国内首条投产的高世代面板生产线。而京东方的对手深圳华星光电的8.5代生产线,预期也将于年内投产。     

车用液晶面板设计技巧

从90年代TFT屏幕汽车导肮仪问世至今,历经20年的发展,目前已经成为生活中随处可见的数字电子产品.     

无源LCD液晶面板制造新工艺探讨

无源LCD面板及触摸屏制作过程通常采用湿法刻蚀的方法来制作ITO电极图形,在生产过程中要用到光刻胶、刻蚀液、脱膜液等对环境有污染的材料,而对这些生产过程中的污染物要进行环保处理后才能排放。且工艺过程长,加工成本较高,加工后的ITO图形存在明显的缺陷,如ITO电极线条边缘有毛刺等。文章介绍了一种用激光刻蚀的方法来代替传统的湿法刻蚀方法,来加工用于无源LCD面板及触摸屏等平板显示器的ITO电极图形方法,缩短了工艺过程以及节约了成本、提高了产品质量。     

友达展示“真技术”液晶显示系列技术

全球第三大液晶面板设计、研发及制造公司友达光电（AUO）在日前举行的“FPDChina2009”盛大展出了全系列“真技术”＊液晶电视屏,包含“真对比”46英寸AMVA3技术,对比度高达8000：1、     

中小尺寸液晶面板需求强劲

随着面板产业多年来的支柱产品大屏幕电视需求下降以及市场利润下跌,液晶面板制造商正面临越来越大的压力,未来智能手机、平板电脑或将取代大屏幕电视成为面板产业的支柱应用。目前发达国家平板电视市场接近饱和,大型液晶面板制造商正面临越来越大的压力而需要调整业务战略。由于供求关系恶化,从2010年第四季度起,世界五大液晶面板厂商已经连续四个季度经营亏损,日本制造商受日元走强的影响,其他亚洲制造商则仍然在日益下滑的盈利中挣扎,32英寸面板(最高产量尺寸)的平均价格已经低于9月份以来的平均现金成本。尽管制造商们终于真正开始削减产量,但由于     

一种TFT-LCD Vertical Block Mura的研究与改善

在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)以及其他显示器件产品中,Mura是一种比较常见的不良现象,它可以直接影响到产品的画面品质。文章结合生产工艺的实际情况,采用MM,CD,EPM,SEM,FIB等检测设备,对一种Vertical Block Mura进行了大量的实验测试、数据分析和理论研究工作,特别是对其产生的原因创新性地提出了两种方向上的理论观点。通过加强设备科学管理监控,减小耦合电容效应等一系列改善措施,产品质量得到了很大程度的提升,Vertical Block Mura从改善前的26.1%降到了1.3%,从而使Vertical Block Mura得以改善,很大程度地提高了产品的品质,并为今后相关问题的进一步研究和解决奠定了一定的理论基础。     

TFT-LCD工艺中角落白Mura的成因机理研究与改善

在新产品导入过程中会突发各种Mura类不良。本文为解决TV机种导入中出现的一种原因未知的角落白Mura,首先进行了大量的排查和推理,初步判定异常来源于成盒工艺(Cell)段,利用气相色谱(GC)、高效液相色谱(HPLC)设备测试并对比了角落白Mura区域与正常区域的液晶纯度、液晶组份和框胶溶出的差异,最后探讨了其形成的机理。结果表明角落白Mura区域液晶组份发生较大变动,液晶组份挥发是角落白Mura产生的主因。通过优化贴合时的真空抽气时间、真空保持时间、液晶滴下点数、液晶与边框胶距离等一系列的改善措施,使产品的角落白Mura发生率从16.59%降到了0.001%以下管控范围。实验有效解决了角落白Mura异常并为今后类似Mura类不良的对策提供了思路,同时提升了公司的效益和竞争力。     

基于改进Chan-Vese模型的液晶显示屏Mura缺陷分割

液晶显示屏Mura缺陷是一类较难检测的显示缺陷,它具有对比度低、背景亮度不均匀、边缘模糊等特点。针对传统Chan-Vese模型(C-V模型)对其分割时存在误分割及速度慢的问题,本文提出一种改进的C-V模型。首先,依据曲线演化理论,简化了传统C-V模型的图像数据力驱动项,这样减少了迭代过程中的计算量,提高了分割的速度。其次,为了平衡图像的亮度不均匀,在模型中引入一个新的能量项,该能量项与轮廓曲线内、外部之间的亮度差有关,提高了分割的准确性。最后,在算法的实现过程中引入迭代停止的判别式,通过设定分割的精度可以实现迭代的自动停止,并有利于正确地分割出目标。实验结果表明,本文提出的改进C-V模型能够准确分割背景不均匀的Mura缺陷,并且具有较快的速度。     

基于自适应局部增强的手机TFT-LCD屏Mura缺陷自动检测

针对手机屏幕图像整体亮度不均以及Mura缺陷对比度低等特点,提出一种基于自适应局部增强的Mura缺陷自动在线检测方法。首先对CCD相机采集的手机屏幕原始图像进行感兴趣区域提取、几何校正、滤波等预处理,获取图像中的屏幕区域,然后将屏幕区域划分为多个不重叠的像素块,并根据每个像素块的灰度分布特征,采用自适应局部增强算法自动识别并定位图像中的Mura区域,最后考虑到Mura缺陷大小的不确定,提出采用多层级分块的方式对屏幕区域进行检测,提高算法鲁棒性。实验结果表明,相较现有多种屏幕缺陷自动检测算法,本文方法能更准确有效地识别手机屏幕中的Mura缺陷,且覆盖率和误检率分别为91.17%和5.84%。     

基于Chan-Vese模型的TFT-LCD Mura缺陷快速分割算法

针对传统的Chan-Vese模型(C-V模型)分割背景不均匀的TFT-LCD Mura缺陷速度慢的问题,将水平集函数与符号距离函数的偏差作为能量项引入C-V模型,去掉了符号距离函数重初始化步骤;为了平衡图像的整体亮度不均匀,在传统的C-V模型中引入轮廓曲线内、外部区域之间的亮度差项,提高了分割准确性。在数值实现上,采用无条件稳定的半隐差分格式,适当加大步长,加速曲线演化过程,相比于有限差分格式和AOS格式,分割速度明显提高。实验结果表明,本文提出的算法能够准确地分割背景不均匀的Mura缺陷图像,并且分割速度快。     

TFT-LCD制程中Sand Mura的失效模式分析及改善研究

在薄膜晶体管液晶显示器件(TFT-LCD)的制作过程中,Mura是一种常见的不良现象,它可以直接影响到产品的画面品质。本文结合生产工艺的实际情况,采用宏观微观检查设备Macro/Micro(M/M)、扫描电子显微镜(SEM)、聚焦离子束测试仪(FIB)等设备进行检测分析,研究了产品开发过程中出现的Sand Mura问题。实验结果表明,Sand Mura发生的主要原因是像素电极ITO在刻蚀过程中由于过刻发生断裂,导致在通电时该处液晶分子偏转发生异常,进而阻挡了光的透过而形成暗点;通过变更ITO薄膜的厚度及刻蚀时间等一系列措施,防止了像素电极在PVX过孔处因过刻引起的断裂,不良发生率降至0.3%,产品质量得到了很大的提高。此外,过孔设计优化方案有助于新产品开发阶段避免该不良的发生,为以后相关问题的研究奠定了一些理论基础。     

灰度与亮度拟合对LCD面板Mura改善的影响

选择有限的采样灰度级准确拟合出整个灰度区间的亮度和灰度关系,是影响LCD面板Mura改善效果、实时性和成本的关键因素。通过迭代方法优化采样灰度级,并采用分段伽马拟合方法研究了采样灰度级对Mura改善的影响。针对1 920×1 080的55 inTFT-LCD模组,6个采样灰度级的优化使拟合亮度曲线与实际亮度曲线的相对误差之和在0~255灰度级从5.64降到3.68,4个采样灰度级的优化使相对误差之和从29.27降到8.98。通过对6个和4个优化采样灰度级的实验结果比较和分析,结果表明,4个优化采样灰度级可以在Mura改善效果、实时性及成本三者之间达到较好的平衡。     

Zara漏光和Rubbing Mura改善研究

研究了摩擦强度对Zara漏光和摩擦痕Mura的影响。实验表明,当摩擦强度偏低时,Zara漏光易发生,而摩擦强度偏高时,则易引发摩擦痕Mura。通过选择合适的摩擦强度,可降低Zara漏光和摩擦痕Mura的发生率。另外,利用FIB对基板表面进行分析,找到了FFS型产品容易发生Zara漏光和摩擦痕Mura的原因。     

印刷型设备产生配向膜Mura研究

薄膜晶体管行液晶显示(TFT-LCD)面板制造行业中,取向膜涂布方式主要有2种:一种为传统印刷方式辊式涂布法,另一种为新型印刷方式喷墨印刷法。本文通过对这2种印刷方式的比较,着重介绍了新型喷墨印刷法容易产生的三大主要不良(直线形不良、印刷头宽线形不良以及云状灰度不良)及产生原因。在对三大不良产生的原因进行详细的实验测试、数据分析和理论研究工作下,通过工艺调整并结合设备科学管控,最终使不良发生率大幅下降,极大地提高了产品的品质,并为今后新产品的开发及相关理论的研究提供了很好的基础。     

横线Mura的分析与改善

横线Mura是一种在TFT-LCD生产过程中产生的不良,对于画面品质有较大的影响。文中对横线Mura发生的原因进行分析,通过对金属膜层的应力测量及分析不良区域金属断面结构,认为横线Mura的发生是由于在栅电极成膜过程中,玻璃基板中心和边缘的Mo金属层的应力差异较大,造成在应力释放后Mo金属层与玻璃基板之间结合不紧密,从而影响到栅电极与源电极间的寄生电容参数发生变化和信号电平发生偏移。提出对栅电极膜层结构进行调整,将栅电极底层Mo金属膜去除可以有效地降低不良的发生比率,并进行了相关验证。