CdS纳米粒子的微波法制备及其光谱特性研究

用微波法以硫代乙酰胺为硫源,成功合成了CdS纳米粒子。透射电子显微镜(TEM）对合成的CdS纳米粒子的表征结果为粒径约12 nm, 粒径分布较为均匀,分散性较好。研究了微波功率、pH值、反应时间等因素对其吸收光谱,荧光光谱和粒径的影响。结果表明,在微波功率为30％、初始反应pH 9.0、微波反应时间为25 min时,可合成质量较高的CdS纳米粒子。比较了以硫代乙酰胺、硫脲和硫化钠为硫源合成的CdS纳米粒子,结果表明,以硫代乙酰胺为硫源合成的CdS纳米粒子荧光带边发射强,缺陷发射弱,荧光性质较好;而以硫脲为硫源合成的CdS纳米粒子荧光边带发射弱;以硫化钠为硫源合成的CdS纳米粒子荧光以缺陷发射为主。铜离子在6.4～512 μg·L-1范围内对该纳米粒子荧光的猝灭呈现良好线性, 可用于痕量铜离子的测定。     

液相二氧化钛纳米微粒的荧光和共振散射光谱特性

以钛酸四丁酯(TBTi)为前驱体,利用微波高压反应法合成了纳米二氧化钛溶胶,并与Ti(SO4)2水解法制备出的二氧化钛纳米微粒对比.考察了两种前驱体制备的二氧化钛纳米微粒荧光光谱及共振散射光谱特性,用TBTi制备的二氧化钛纳米微粒在320 nm有一个共振散射峰,在470 nm有一个同步散射峰,在360,400和470 nm处有三个荧光发射峰;用Ti(SO4)2制备的二氧化钛纳米微粒在340 nm有个共振散射峰,在470 nm有一个同步散射峰,400和470 nm处有两个荧光发射峰.反应条件对共振散射强度的影响与其对荧光的影响变化趋势一致,但共振散射光强度较荧光强度强得多.     

铈（Ⅲ）离子掺杂邻苯二甲酸钙荧光材料的红外光谱分析

采用溶液反应法合成了掺杂不同摩尔比Ｃｅ（Ⅲ）离子的邻苯二甲酸钙荧光材料，测定了基质及荧光体的红外光谱，进行了分析和指认，讨论了掺杂离子Ｃｅ（Ⅲ）对这些荧光材料红外光谱的影响。     

Sol-Gel法和微波辐射法合成亚纳米级Zn_2SiO_4∶Mn~(2+),Er~(3+)高效绿色荧光体

用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法和微波法合成了亚纳米级Ｚｎ２ＳｉＯ４∶Ｍｎ２＋ ， Ｅｒ３＋ 高效绿色荧光体， 考察了Ｍｎ２＋ 单掺和Ｅｒ３＋ 敏化的荧光体的发光， 探讨了掺杂浓度对发光性质的影响， 发现Ｅｒ３＋ 可有效敏化Ｍｎ２＋ 的发光． ＳＥＭ 表明Ｚｎ２ＳｉＯ４∶Ｍｎ２＋ ， Ｅｒ３＋ 的粒度约为１５０～３５０ｎｍ ．     

微波辐照乙醇还原法绿色合成纳米金溶胶

在乙醇和碱性条件下绿色微波合成了金纳米溶胶,并做了电子显微镜表征。紫外吸收光谱仪和荧光光谱仪研究了胶体金吸收的吸收光谱和共振瑞利散射光谱及不同的影响因子对合成过程的影响,氢氧化钠的量对于胶体金的形成是重要影响因子。微波法反应迅速,乙醇和氢氧根离子是缺一不可的,并探讨了SERS光谱。     

微波场作用下CaS：Eu^2＋的快速合成及其荧光光谱特性

在微波场作用下快速合成了CaS：Eu^2 红色荧光体,用X射线粉末衍射（XRD）分析证实它们是立方晶相,用扫描电镜（SEM）观察了Eu^2 各种掺杂浓度下CaS：Eu^2 微晶的形貌及其粒径,测定了它们的荧光光谱和荧光衰减曲线。系统地探讨了Eu^2 离子浓度对晶体形貌和粒径以及荧光光谱性质之间的影响关系。     

微波合成的纳米球形CaS：Ag^＋荧光体的荧光光谱

在微波场作用下，快速合成了CaS：Ag^ 荧光体，用x射线粉末衍射(XRD)分析证实了它们是立方晶相。测定了它们的激发光谱和发射光谱，发现其发射峰位于372nm、450nm和577nm，分别是由Ag'Ca-Vs^2 中心的Ag^ 离子、间隙Ag^ 离子、Ag'Ca的Ag^ 离子和CaS基质自激活产生的，随着Ag^ 的掺杂浓度和助熔剂的改变，Ag^ 离子的几个发光中心互相转化，荧光体发出不同颜色的荧光。用扫描电镜(SEM)观察了它们的晶体形貌和尺寸大小，结果表明CaS：Ag^ 荧光体的晶体形貌都是球形的，但其粒径和晶体的分散性受Ag^ 的掺杂浓度和助熔剂的影响，出现了纳米晶(7～100nm)和亚微米晶(125～300nm)。     

微波场作用下CaS:Eu~(2+)的快速合成及其荧光光谱特性

在微波场作用下快速合成了CaS :Eu2 +红色荧光体 ,用X射线粉末衍射 (XRD)分析证实它们是立方晶相 ,用扫描电镜 (SEM )观察了Eu2 +各种掺杂浓度下CaS :Eu2 +微晶的形貌及其粒径 ,测定了它们的荧光光谱和荧光衰减曲线。系统地探讨了Eu2 +离子浓度对晶体形貌和粒径以及荧光光谱性质之间的影响关系     

微波辐射法制备水溶性CdTe量子点及其光谱学研究

用半胱胺作为稳定剂,采用微波辐射加热的方法快速合成了水溶性的CdTe量子点。吸收光谱和荧光光谱表明所合成的量子点具有优异的发光性能。透射电子显微镜(TEM)和X射线粉末衍射(XRD)表征了量子点的结构和粒径分布。通过荧光发射光谱研究了反应温度、加热时间和配体浓度对量子点晶体生长速度的影响。反应温度提高或稳定剂半胱胺的浓度减小,纳米晶体的生长速度加快。在一定温度下,随着反应时间的延长,量子点发射波长发生红移。与传统的水相回流方法相比微波加热制备水溶性的CdTe量子点具有反应速度快、得到的量子点尺寸分布均匀、半峰宽较窄和量子产率较高等特点。     

二噻吩乙烯桥连-环糊精二聚体光致变色性质

合成了以可光控的二噻吩乙烯分子为桥连单元的β-环糊精二聚体作为潜在的可调受体化合物．该化合物显示了显著的光致变色特性，即以254 nm的紫外光照射，开环体会立即发生光环化反应生成粉红色的闭环体；而有色的闭环体用大于460 nm的可见光照射后又会发生开环反应．同时还研究了正向光环化反应的反应动力学．此外，还以四苯磺基卟啉（TSPP）为客体化合物进行了荧光滴定，研究开/闭环体之间包合能力的差异，发现闭环体对TSPP的包合稳定常数是开环体的5倍．     

核磁共振磷谱在克林霉素磷酸酯合成中的应用研究

通过核磁共振磷谱对克林霉素磷酸酯合成反应过程进行跟踪，尤其是对克林霉素一氯代磷酸酯的水解情况进行了较为细致的分析，了解了反应中的一些机理问题，并依此确定了反应的最佳条件.     

物理学对微电子高新技术的推动作用

描述了物理学对微电子高新技术的推动作用,无论是从本世纪晶体管的发明到计算机的日新月异发展,或者从下个世纪的新结构半导体器件到计算机的全新变革,都充分说明了物理学的重要作用。     

真空激光自动监测大坝变形技术

针对大坝变形观测要求精度高和长期稳定可靠的难题，对美国斯坦福大学安装、调整直线加速器的真空中激光三点法作了关键性改进，并移用于大坝，其中用小孔代替透镜组，其作用是定位、限漂、扩束和点化，20年来，该技术先后运用和推广到太平哨、丰满、龚嘴、桓仁、云峰和太平湾大坝，特别在丰满发挥了重大的社会效益，该已正式被确定用于三峡。     

Na2CO3调质钙基脱硫剂硫化机理实验研究

对经Na2CO3溶液调质石灰石煅烧产物CaO的物理结构及硫化特性进行了研究,发现同等条件下调质后石灰石煅烧产物CaO(M-CaO)比未经调质的CaO(N-CaO)具有更高的钙转化率.利用XRD技术对CaO晶体结构进行了测定,通过比较二者的晶胞参数和晶格畸变度等并结合其孔特性,证实M-CaO之所以比N-CaO具有更高的钙转化率,是由于M-CaO比N-CaO具有更高的晶体缺陷浓度,使得在硫化反应过程中通过产物层的扩散具有更高的离子扩散率.     

利用甲醇氧化烟气中NO的实验研究

对利用甲醇氧化烟气中NO的反应开展了系统的实验研究。研究了反应时间、反应温度、甲醇用量比例、烟气中O2、SO2及夹带的固体颗粒对NO氧化率的影响。结果表明,在一定的条件下,甲醇能够氧化烟气中的NO;NO氧化率受反应时间和反应温度的综合影响,随着反应时间的增加,有效反应温度区域向低温方向移动,最大NO氧化率降低;随着甲醇用量比例的增加, NO氧化率增加;O2浓度增加可促进NO氧化;烟气中的SO2对反应有催化作用,可显著提高NO氧化率;烟气中固体颗粒的存在阻碍了自由基反应的进行,显著降低了NO的氧化率。     

红外光谱法研究仲辛醇氧化反应

用红外光谱法研究了浓硝酸氧化仲辛醇合成己酸的反应历程。考察了中间产物硝酸酯，亚硝酸酯，酮类化合物，硝基化合物，有机腈等成分随硝酸用量的变化规律，并对其反应机理进行了探讨。     

超强激光场中氘氚核聚变截面研究进展

超强激光技术的发展为光与物质相互作用的研究带来了历史性的机遇和拓展的空间。其中, 超强激光场辅助的原子核反应过程, 特别是对氘氚核聚变反应截面的影响越来越受到人们的关注。首先介绍近年来超强激光技术的发展及应用, 然后介绍核聚变反应截面及其影响因素, 重点综述超强激光场中轻核聚变反应截面的研究进展, 特别是强场增大氘氚核聚变截面的最新研究成果, 并展望这一研究方向的前沿发展。     

磷酸苯基二乙基酯的合成及NMR和ESI-MS/MS测定

在冰盐浴条件下,将DEPH和CCl₄混合液滴加到由苯酚、三乙胺、二氧六环组成的混合液中或由水杨酸乙酯, 三乙胺、二氧六环组成的混合液中. 分别用二乙基亚磷酸酯（DEPH)对苯酚和水杨酸乙酯进行磷酰化. 经电喷雾质谱（ESI-MS)及核磁共振检测,目标产物存在, 其分别为磷酸苯基二乙基酯和o-(邻乙氧甲酰（基）苯基)磷酸二乙酯.     

用Flash动画和旋转矢量法模拟简谐振动

动作补间、形状补间和遮罩是Flash动画制作中几种常用的技术,本文基于Macromedia公司的动画制作软件Flash6．0,并利用这几种技术,设计完成了一种用旋转矢量法演示弹簧振子运动轨迹的动画制作方案．     

双臂电桥测低电阻

低电阻测量实验由于测量精度高,方法巧妙,在电磁测量技术中有极其广泛的应用,挖掘其物理思想,有助于提高实验教学的质量．