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相似文献
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1.
邝小飞 《半导体技术》2002,27(10):38-42
给出了一种新的高速动态有比cMOS D触发器的设计.在分析64/65双模前置分频器工作原理的基础上,提出了提高其工作速度的方法,运用单相时钟(TSPC)动态CMOS、伪NMOS等电路技术,设计了多种内部电路结构.经HSPICE模拟,在0.8μmCMOS工艺、电源电压为5V的条件下,最高时钟频率达到了1.7GHz,其速度和集成度远远超过静态CMOS电路.  相似文献   

2.
一种采用交错耦合VCO和高速前置分频器的频率合成器   总被引:3,自引:0,他引:3  
陈钰  洪志良  傅志军 《微电子学》2001,31(3):212-215
文章提出了一种采用延迟单元交错耦合压控振荡器(VCO)和高速双系数前置分频器的锁相环(PLL)频率合成器设计方法。采用0.25μm的CMOS工艺模型,在Cadence环境下模拟,在相同级数情况下,设计获得的VCD比传统顺序连接的VCO速度快1.4倍;运用动态D触发器实现的双系数前置分频器,最高速度可达2GHz。该锁相环频率合成器在400MHz-1.1GHz的宽频范围内都能保持良好的相位跟踪特性,温度系数为886ppm/℃,电源反射比为3.3%/V。  相似文献   

3.
王永禄 《微电子学》1994,24(5):10-16
本文介绍了一种ECL高速可编程分频器的逻辑设计、电路设计、温度补偿设计、版图设计及研制结果。采用4μmpn结双埋层对通隔离ECL工艺技术制作的可编程分频器,其最高工作频率达100MHz以上,工作温度范围为-55~+125℃,分频模数在1~64之间任意自然数连续可变。  相似文献   

4.
一种宽分频范围的CMOS可编程分频器设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
设计了一种基于双模预分频的宽范围可编程分频器。对预分频器的逻辑电路进行了改进,提高了最高工作频率,同时,引入输入缓冲级,增加了低频时分频器的输入敏感性。基于Chartered 0.25μm厚栅CMOS工艺,在SpectreRF中仿真,分频器可在50MHz~2.2GHz频率范围正常工作。流片测试结果表明,该分频器可正常工作在作为数字电视调谐芯片本振源的PLL中,对80~900MHz的VCO输出信号,实现256~32767连续分频。  相似文献   

5.
对传统分频器电路工作在低电压(1V)时存在的问题进行了分析,在此基础上提出了一种新的分频器电路结构,将NMOS和PMOS管的直流偏置电压分开,有效地解决了分频器在低电压下工作所存在的问题.采用0.18μm CMOS工艺参数进行仿真的结果表明,该分频器在1V的电源电压下,能够工作的最高输入频率为19GHz,功耗仅为2.5mW.  相似文献   

6.
基于0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计实现了一种可编程高速宽带分频器电路,分析了分频器实现高频宽带的方法.提出了一种模值可切换的/4/5、/8/9前置分频器结构和CML差分结构的M/A计数器,实现了宽工作频带.实测验证结果表明,该分频器工作频率可覆盖1~10 GHz,整个频带射频输入灵敏度均低于-10 d...  相似文献   

7.
曾健平  谢海情  晏敏  曾云  章兢 《半导体技术》2007,32(1):65-67,73
提出了一种新颖的分频器设计方案,在高频段采用改进的CMOS源耦合逻辑(SCL)结构的主从D触发器进行分频,以满足高速要求;在低频段采用自锁存的D触发器进行分频.这种结构的D触发器不但具有锁存功能,而且所需的管子比主从式D触发器要少,以满足低功耗和低噪声要求.从而使总体电路实现高速、低功耗、低噪声要求.基于TSMC的0.18 μmCMOS工艺,利用Cadence Spectre工具进行仿真.该分频器最高工作频率可达到5 GHz,在27 ℃、电源电压为1.8 V、工作频率为5 GHz时,电路的功耗仅4.32 mW.  相似文献   

8.
李强  徐重阳 《微电子学》1998,28(5):354-357
讨论了锁相式频率合成器的基本原理,设计了一种通用可编程锁相式频率合成器,介绍了其编程置型格式,提出了一种可提高程控分频器工作频率的电路设计方法,并给出了其模拟波形。该电路的最高合成频率为100MHz最小频率间隔为100Hz,在工程上具有广泛的应用前景。  相似文献   

9.
提出了一种新颖的分频器设计方案,在高频段采用改进的CMOS源耦合逻辑(SCL)结构的主从D-Latch进行分频;在低频段采用自锁存的D触发器进行分频,从而实现高速、低功耗、低噪声双模前置32/33分频器。基于TSMC的0.18!mCMOS工艺,利用CadenceSpectre工具进行仿真。该分频器最高工作频率可达到5GHz,在27℃、电源电压为1.8V、工作频率为5GHz时,电路的功耗仅4.32mW(1.8V×2.4mA)。  相似文献   

10.
1V,19GHz CMOS分频器设计   总被引:2,自引:4,他引:2  
对传统分频器电路工作在低电压(1V)时存在的问题进行了分析,在此基础上提出了一种新的分频器电路结构,将NMOS和PMOS管的直流偏置电压分开,有效地解决了分频器在低电压下工作所存在的问题,采用0.18μm CMOS工艺参数进行仿真的结果表明,该分频器在1V的电源电压下,能够工作的最高输入频率为19GHz,功耗仅为2.5mW。  相似文献   

11.
The Dual Modulus Prescaler is a critical block in CMOS systems like high speed frequency synthesizers. The design of high divide-by-value, high speed and low power dual modulus prescaler, however, remains a design challenge. In order to face the challenge, this paper introduces an idea of using transmission gates and pseudo-PMOS logic in realization of the dual modulus prescaler. The topology of the prescaler proposed in this paper is different from the prior designs primarily in two ways: (i) it uses transmission gates in the critical path and (ii) the D-flip flops used in the synchronous counter are comprised of pseudo-PMOS invertors and ratioed latches. A design of the pseudo-PMOS logic based DFF is introduced and used in the proposed prescaler design. Based on the proposed topology, a dual-modulus divide-by-127/128 prescaler is implemented in 0.35 m CMOS technology. Its maximum operating frequency is observed as 2.4 GHz. It consumes 4.8 mW power from a 3 V supply. Circuit operations and measurement results are provided. The silicon estate required is only 0.06 mm2. There is no flip flop and logic gate in the critical path. The proposed topology is suitable firstly for the high speed and high divide-by-value prescaler designs. Secondly, it reduces: (i) design complexity, (ii) power consumption and (iii) load to preceding circuit.  相似文献   

12.
一种采用新触发器的高速CMOS前置分频器   总被引:2,自引:0,他引:2  
在锁相环设计中 ,前置双模分频器 (DMP)是一个速度瓶颈 .文中提出一种新的分析方法 ,将限制 DMP速度的因素分为两个方面 ,寄存器级限制 (RL L)和电路级限制 (CL L) .指出影响 DMP速度的原因在 CL L.提出了时钟延迟技术 (CDT)并采用高速触发器 ,解决 CL L 问题 .通过版图提取后仿真显示 ,用这种触发器构成的 0 .8μm n阱CMOS DMP在 5 V下工作频率达到 2 .4GHz  相似文献   

13.
马绍宇  韩雁   《电子器件》2008,31(3):894-897
描述了一个应用于高集成度2 GHz频率综合器的预分频电路的设计,预分频电路中D触发器采用了源极耦合逻辑电路结构,可以提高电路工作频率,同时有效减小开关噪声和电路功耗.预分频电路采用TSMC 0.25 μm IPSM CMOS工艺实现,Spectre仿真表明,在1.8 V的电源电压下,经过优化的预分频电路能够在各种工艺条件和温度下正常工作,整体功耗为6.2 mw(单个D触发器功耗仅为1.8 mW),满足手持设备的要求.  相似文献   

14.
在锁相环设计中,前置双模分频器(DMP)是一个速度瓶颈.文中提出一种新的分析方法,将限制DMP速度的因素分为两个方面,寄存器级限制(RLL)和电路级限制(CLL).指出影响DMP速度的原因在CLL.提出了时钟延迟技术(CDT)并采用高速触发器,解决CLL问题.通过版图提取后仿真显示,用这种触发器构成的0.8μmn阱CMOSDMP在5V下工作频率达到2.4GHz.  相似文献   

15.
采用0.35μm CMOS工艺设计并实现了一种多模分频器.该多模分频器由一个除4或5的预分频器和一个除128~255多模分频器在同一芯片上连接而成;在电路设计中,分析了预分频器功耗和速度之间的折中关系,根据每级单元电路的输入频率不同对128~255多模分频器采用了功耗优化技术;对整个芯片的输入输出PAD进行了ESD保护设计;该分频器在单端信号输入情况下可以工作到2.4GHz,在差分信号输入下可以工作到2.6GHz以上;在3.3V电源电压下,双模预分频器的工作电流为11mA,多模分频器的工作电流为17mA;不包括PAD的芯片核心区域面积为0.65mm×0.3mm.该可编程多模分频器可以用于2.4GHz ISM频段锁相环式频率综合器.  相似文献   

16.
采用0.35μm CMOS工艺设计并实现了一种多模分频器.该多模分频器由一个除4或5的预分频器和一个除128~255多模分频器在同一芯片上连接而成;在电路设计中,分析了预分频器功耗和速度之间的折中关系,根据每级单元电路的输入频率不同对128~255多模分频器采用了功耗优化技术;对整个芯片的输入输出PAD进行了ESD保护设计;该分频器在单端信号输入情况下可以工作到2.4GHz,在差分信号输入下可以工作到2.6GHz以上;在3.3V电源电压下,双模预分频器的工作电流为11mA,多模分频器的工作电流为17mA;不包括PAD的芯片核心区域面积为0.65mm×0.3mm.该可编程多模分频器可以用于2.4GHz ISM频段锁相环式频率综合器.  相似文献   

17.
A new high-speed low-power dual modulus prescaler (DMP) topology is proposed. In this DMP, the synchronous part is designed as a divide-by-3/4 divider using a state-selection scheme. Compared with the conventional divide-by-4/5 divider, it has a higher speed by eliminating the NAND-gate introduced critical path delay, as well as a lower power consumption by minimizing the number of full-speed D-type flip-flops (DFF's) required. Based on this topology, a divide-by-15/16 DMP is implemented in the 0.6 m standard CMOS process. Simulation result shows that a maximum operating frequency of 2.15 GHz is obtained at 3.3 V supply with a power consumption of 11.6 mW. The circuit can operate above 3 GHz with 5 V supply and down to 1.5 V supply voltage with 570 MHz input frequency.  相似文献   

18.
提出了一种应用新的电路结构和动态电路技术的双模预分频器,它已用0.25μm CMOS数字工艺实现.新的优化结构减少了电路的传输延迟,提高了电路速度.基于这种优化结构和动态电路技术,提出了改进的D型触发器.为了验证其功能,制作了一个试验型芯片.经测试,该分频器在可以工作于GHz频率范围;在电源电压为2.5V,输入频率为2.5GHz时,其功耗仅为35mW(包括三个功耗很大的输出缓冲器的功耗).由于其具有良好的性能,该分频器可应用于许多射频系统中.  相似文献   

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