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通过电火花加工技术,采用含碳较高的煤油作为电介质,利用导电性能及加工性能较好的紫铜作电极材料,实现了SiO2/CH/Au复合黑腔侧表面方形诊断孔的精密加工。采用OLYMPUS STM6测量显微镜对诊断孔尺寸,结果表明:孔的尺寸加工精度可控制在±10μm内,同一电极加工的诊断孔尺寸一致性可控制在±5μm内。采用扫描电镜能谱分析SiO2/CH/Au加工导电层的成分,结果表明:电火花加工过程中,由于电介质分解生成游离态的碳以及电极材料铜熔融后沉积在CH和SiO2层表面,形成辅助导电层。通过加工辅助导电层,产生的瞬时高温使SiO2和CH层熔融气化,从而实现对绝缘层的加工。 相似文献
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刘军汉熊长新曲天良张熙王潺赵明强 《光学与光电技术》2023,(4):117-123
半球谐振子的机械能量损耗包括材料本征损耗、空气阻尼损耗、支撑损耗、热弹性损耗和表面损耗等,直接影响了半球谐振子Q值。通过分析这些能量损耗的数学模型,总结出半球谐振子的关键技术指标是材料性能、形位精度和表面粗糙度。综合考虑半球谐振子的精度和工程化应用,提出了一套高精度半球谐振子加工工艺,经过精密磨削、精密抛光和化学抛光后,加工得到的谐振子球面圆度小于0.25μm,表面粗糙度小于15 nm,品质因数大于5.2×107。对高精度半球谐振子加工和半球谐振陀螺制造工程化具有重要的指导意义。 相似文献
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采用单点金刚石切削技术,通过合理的刀具设计、夹具设计及工艺过程设计,确定了加工工艺参数,完成了厚度几μm至几十μm的无氧铜多台阶靶的制备。通过触针式轮廓仪,台阶仪,白光干涉仪对表面轮廓及粗糙度进行了测量。结果表明:通过单点金刚石切削技术加工成形的铜多台阶靶,各台阶表面均方根粗糙度小于50 nm,工件表面轮廓平直,台阶垂直度较好。采用阿基米德原理对材料密度进行测量,加工成形后密度为(8.945±0.074) g/cm3,接近材料理论密度。 相似文献
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空间平均的角度散斑相关粗糙度测量模拟研究 总被引:1,自引:0,他引:1
角度散斑相关是一种不受表面粗糙度轮廓的间距特性影响的粗糙度幅度参量测量方法,它的数学模型通常建立在集平均的基础上。通过模拟计算随机粗糙表面的远场散斑场,以散斑图面上的空间平均代替常规的集平均来计算角度散斑相关系数,并应用集平均的数学模型反演粗糙度参量。结果证实了这种空间平均角度散斑相关粗糙度测量方法的有效性,在同一表面只需对少数个区域进行测量并对测得的粗糙度参量取平均,即可获得足够的测量精度。对于Rq大于2.0μm的表面,测量相对误差小于15%。根据最佳测量条件,该方法适用于大粗糙度表面。 相似文献
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非球面碳化硅反射镜的加工与检测 总被引:1,自引:0,他引:1
为了获得高精度非球面碳化硅(SiC)反射镜,对非球面碳化硅反射镜基底以及改性后碳化硅反射镜表面的加工与检测技术进行了研究。介绍了非球面计算机控制光学表面成型(CCOS)技术及FSGJ-2非球面数控加工设备。采用轮廓检测法和零位补偿干涉检测法分别对碳化硅反射镜研磨和抛光阶段的面形精度进行了检测,并采用零位补偿干涉检测法及表面粗糙度测量仪对最终加工完毕的碳化硅反射镜的面形精度和表面粗糙度进行检测。测量结果表明:各项技术指标均满足设计要求,其中非球面碳化硅(SiC)反射镜实际使用口径内的面形精度(RMS值)为0.016λ(λ=0.6328μm),表面粗糙度(RMS值)为0.85nm。 相似文献
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光学非球曲面器件的超精密磨削加工技术研究 总被引:8,自引:1,他引:7
为磨削加工出高精度、高质量的光学非球曲面器件。详尽分析了砂轮的安装及半径等误差对零件加工精度的影响。设计研制出了一套非球曲面磨削系统 ,并用它进行了实验研究。实验结果表明 :要获得高精度的非球曲面器件 ,只有当金刚石砂轮的平均磨粒尺寸低于 10 μm ,并在采用较高的砂轮线速度和较小的进给量的情况下 ,才能实现光学非球曲面的超精密磨削加工 ,经过各种磨削参数的优化选择 ,其非球曲面最终的零件轮廓精度为 0 4 μm ,表面粗糙度Ra优于 0 0 1μm。 相似文献
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具有材料理论密度的金属薄膜对于材料高压状态方程(EOS)研究而言具有重要的意义。本文提出采用金刚石车削技术,利用超精密金刚石车床、金刚石圆弧刀具及真空吸附夹持技术,对纯铝和无氧铜进行端面车削,完成了EOS实验用铝薄膜和铜薄膜的车削加工,实现了薄膜密度接近材料理论密度。精加工工艺参数为:进给量0.001 mm/r,主轴转速3000 r/min,切削深度1 μm。采用Form Talysurf series 2型触针式轮廓仪进行测量,结果表明:铝薄膜、铜薄膜厚度可以达到小于10 μm水平,表面均方根粗糙度小于5 nm,原始最大轮廓峰-谷高度小于50 nm,厚度一致性好于99%。 相似文献
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Planarization of CMOS ROIC dies for uncooled detectors 总被引:1,自引:0,他引:1
Hongchen Wang Xinjian Yi Sihai Chen Shaowei He Xiaochao Fu Hong Ma 《Infrared Physics & Technology》2006,47(3):251-256
This paper presents a planarization procedure to achieve a flat CMOS surface of Readout Integrated Circuit (ROIC) for the integration between uncooled infrared detector arrays and ROIC. The CMOS fabrication process produces about 2 μm surface roughness on the silicon wafer, so the CMOS dies must be first planarized before integration with the detector arrays. To acquire a satisfying surface roughness in the small CMOS die, three commercially available polymers including bisbenzocyclobutene (BCB) and two types of polyimides are evaluated in our experiments. BCB shows the best results for our applications. A single layer of BCB coating successfully reduce the surface topology from 2 μm to less than 1500 Å and two layers of BCB coating reduce the surface topology to about 600 Å. 相似文献
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基于分形几何学,研究了表面粗糙度的分形特征.采用Weierstrass- Mandelbrot函数对多尺度自仿射的表面粗糙度进行了描述;建立了微通道内层流流动的三维模型并对表面粗糙度的影响进行了数值模拟,分析了雷诺数、相对粗糙度和分形维数对流动阻力特性的影响.研究结果表明,与常规尺度通道不同,粗糙微通道的Poiseuille数不再是常数,而是随雷诺数近似线性增加;相对粗糙度越大,流动产生的回流和分离所导致的流动压降越明显.在相同的相对粗糙度下,粗糙表面的分形维数越大,表面轮廓变化就越频繁,这也将导致流动阻
关键词:
粗糙度
层流阻力系数
微通道
分形 相似文献
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选取纯度较高的1100铝棒作为加工模芯的原材料,利用金刚石车床精加工出表面粗糙度均方根值小于20 nm的铝模芯,采用磁控溅射的方法在铝模芯上制备厚度大于5 m的铜防护层,得到铝铜复合芯轴。对制备的铜防护层的表面微观结构、结晶性能、厚度一致性进行了分析测试,结果表明磁控溅射法制备的铜防护层沿(111)面择优生长,表面粗糙度均方根值小于30 nm,厚度一致性优于95%,圆柱度小于1 m。镀层与基底结合力强,可满足大厚度黑腔涂层的制备需求。 相似文献
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R. Díaz L. Bisson F. Agulló-Rueda M. Abd Lefdil F. Rueda 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2005,80(2):433-438
The topography and roughness evolution of surfaces etched by laser-induced backside wet etching (LIBWE) is investigated in detail. The etching of sub-m gratings with a period of 760 nm into flat surfaces by means of interfering laser beams shows a saturation of the grating depth within 20 pulses. The over-etching of already microstructured surfaces results in the change of the cross section and in reduction of the microstructure height with increasing pulse number. The decrease in height of sub-micron gratings from 125 to less than 10 nm within 15 laser pulses causes a substantial roughness reduction. The depth limitations in etching of the gratings as well as the height reduction of microstructures are the result of the influence of the surface topography to the heat flow. The more efficient heating of surface peaks in contrast to the valleys results in higher etch rates and probably causes the smooth surfaces observed in LIBWE processing. The thermal diffusion length determines the structure dimension influenced by this smoothing effect. PACS 81.65.Cf; 81.05.Je; 42.70.Ce; 42.55.Lt 相似文献