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1.
本文讨论了一种新的解析计算方法,用以标定六角晶系和四方晶系的德拜-谢乐衍射线指数。分析的结果表明:用低角度衍射线的sin2θ值,单纯地用解联立方程组求重解的方法进行标定是有困难的,因为重解并不是唯一的。本文根据文献[2]所提出的原理,发展了一种解析计算方法,用数字计算机对六角晶系和四方晶系的德拜-谢乐衍射线指数进行解析计算标定。也即利用A-C座标系中一系列条件直线方程及等原子线方程直接求解,得出条件直线与等原子线的交点座标,这就是晶胞的初基参量。本计算方法的源程序是用FORTRAN语言编写的,标定一次指数的时间少于一分钟。
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本文叙述了X射线粉末照相指数的新图解法在正交晶系与单斜晶系中的应用。由于在这两个晶系中所须确定的原始参量多于2,所以不可能像在四方晶系或六角晶系的情形,一次用图解法在平面上求得晶胞的所有初基参量。本文分析了正交晶系与单斜晶系的一些特殊情形,可用新图解法对粉末照相上一些特殊情形下的衍射线指数进行标定。为方便起见,图解法是尽量用线坐标进行的。 相似文献
3.
本文叙述了标定德拜-谢乐照相指数的一个新图解法。利用三条低角度衍射线的sin2θ值和该晶体的密度,在A-C空间画一系列条件直线及等原子曲线。三条条件直线和一条等原子曲线的交点直接决定了晶胞的大小和晶胞内所含的原子数或位形单位数。这个方法可应用于四方晶系和六角晶系。
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4.
本文提出一个新的图解法,用它可以标注立方、六方、四方及正交晶系粉末法X射线图谱上衍射线条的指数。这种直线图解法的特点是:(1)作图简单;(2)立方、六方、四方及正交晶系合用同一直线图;(3)由直线图可分别求出晶格常数a,b,c的数值;(4)在使用上不受反射级数“n”的限制。 相似文献
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本文从理论上分析了正交晶系YAP晶体激射过程引起的热效应。给出了晶体中温度分布、应力-应变分布、双折射效应、热透镜效应以及晶体在正交偏振器间等的色线图等的解析关系式,得到的结果定性地解释了实验现象。
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本文给出了六方、四方和正交晶系的新的诠释法,利用这些方法,我们能够决定衍射线的干涉指数和晶体的点阵常数。 相似文献
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给出了在中能区(≤250MeV)多次粒子发射过程中计算各种出射轻粒子及各种反冲核之能谱的方法,指出它的计算效率远高于(两个数量级以上)传统方法,并给出了两个算例. 相似文献
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晶列和昌面的指数与坐标系的选择有关.以布喇菲晶胞基矢为坐标系时,晶面密勒指数记为(hkl)[1],立方晶系的晶列指数记为[hkl];以初基原胞基矢为坐标系时,晶面指数记为(h1h2h3),而晶列指数记为[l1l2l3][2].坐标系不同,同一晶面族的晶面指数和密勒指数一股都不相同.晶列的情况也是如此.本文仅就体心立方和面心立方点阵的两套指数的转换关系加以讨论. 体心立方和面心立方的晶胞基矢a,b,c与初基原胞基矢a1,a2和a3的习惯选取方法如图1所示.山图1不难求出两套丛矢间的转换关系. 对于体心立方点阵, 对于面心立方点阵, 倒格基矢的转换也有类似的结果,… 相似文献
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10MeV直线感应加速器计算机监控系统 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了采用BITBUS、高性能微机和STD工业控制微机组成的分布式控制系统及对10MeV强流直线感应加速器实行计算机监控的研究与实践。介绍了计算机网络的构成,软硬件的设计组织方法,以及实验和试用结果。这种系统的软硬件均为模块化结构,使用灵活,易扩展,可靠性好,并能节约资金。 相似文献
12.
本简要介绍了传感器、微机的作用,以及将其引入到物理实验教学中的重要性,进而说明了将传感器与微机相结合改革物理实验已是大势所趋。 相似文献
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对应于14种布喇菲点阵有44种约化胞,不但约化矢的选法是唯一的,而且可以根据约化矢标量积矩阵(a·a b·b c·c b·c c·a a·b)的不同形式,确定布喇菲点阵类型。在晶体点阵已知的情况下,从点阵参数计算出倒易点阵中的平面约化胞,并与试验得到的电子衍射谱对比以标定衍射斑点的指数。在晶体点阵未知的情况下,从已知转角的两个电子衍射谱中选三个接近中心的衍射斑点,相当于三个低指数倒易矢量。由它们构成倒易点阵的一个初基胞,变换成正点阵的初基胞后,经过约化得出约化胞和相应的布喇菲单胞的类型和参数,同时标定衍射斑点的指数。这些标定计算已编成电子计算机程序,可以用来直接确定晶体点阵类型和进行物相分析。 相似文献
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自旋电子学和计算机硬件产业 总被引:1,自引:0,他引:1
1988年发现巨磁电阻(GMR)效应,是基于自旋的新电子学的开始。文章介绍观察效应的物理基础,以及这些效应和材料在信息存储上的应用。GMR硬盘(HDD)已经形成了数十亿美元的工业;其后发现的室温隧道磁电阻(TMR)效应已用于制造新关磁随机存储器(MRAM),它正在开创另一个数十亿美元的工业。自旋电子学研究的物理对象是自旋向上和自旋向下的载流子,而传统半导体电子学的对象是电荷为正和电荷为负的载流子,即空穴和电子。电子自旋特性进入半导体电子学,为新的器件创造了机会。为了成功地将电子自旋结合到半导体微电子技术中去,需要解决磁性原子自旋极化状态的控制,以及自旋极化载流子电流的有效注入、传输、控制、操纵和检测。评述了基于电子自旋的新器件原理、新材料的探索以及自旋相干态的光学操纵。 相似文献
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自旋电子学和计算机硬件产业 总被引:1,自引:0,他引:1
1988年发现的巨磁电阻(GMR)效应,是基于自旋的新电子学的开始.文章介绍观察效应的物理基础,以及这些效应和材料在信息存储上的应用.GMR硬盘(HDD)已经形成了数十亿美元的工业;其后发现的室温隧道磁电阻(TMR)效应已用于制造新的磁随机存储器(MRAM),它正在开创另一个数十亿美元的工业.自旋电子学研究的物理对象是自旋向上和自旋向下的载流子,而传统半导体电子学的对象是电荷为正和电荷为负的载流子,即空穴和电子.电子自旋特性进入半导体电子学,为新的器件创造了机会.为了成功地将电子自旋结合到半导体微电子技术中去,需要解决磁性原子自旋极化状态的控制,以及自旋极化载流子电流的有效注入、传输、控制、操纵和检测.评述了基于电子自旋的新器件原理、新材料的探索以及自旋相干态的光学操纵. 相似文献