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报道了用Ｘ射线母掩模复制子掩模的工艺和用北京同步辐射装置（ＢＳＲＦ）３ＢＩＡ光刻束线获得的０．５μｍ的光刻分辨率的实验结果。 相似文献
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同步辐射X射线光刻技术研究 总被引：2，自引：0，他引：2
对可能应用于０．２ｕｍ及０．２ｕｍ以下的同步辐射Ｘ射线光刻技术进行了论述，并对其在未来的大规模集成电路生产中的应用前景进行了分析。 相似文献
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同步辐射X射线光刻实验研究 总被引：4，自引：0，他引：4
同步辐射X射线光刻是一种很好的深亚微米图形复制技术。本文报道了北京同步辐射装置3BlA光刻束线上的曝光结果，并对X射线掩模的制作工艺作了简要介绍。 相似文献
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用束衍生法研究了深亚微米同步辐射x射线光刻中掩模吸收体的光导波效应,并对x射线光刻后的光刻胶剖面进行了理论计算。采用面向对象技术,研制了一个取名为XLLS1.0的模拟软件。本文对这个软件进行了详细介绍。 相似文献
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深亚微米同步辐射x射线光刻技术 总被引：1，自引：0，他引：1
报道了我们制作深亚微米ｘ射线掩模的工艺和同步辐射ｘ射线曝光工艺，并报道了我们在北京同步辐射装置（ＢＳＲＦ）３Ｂ１Ａ光刻束线所获得的深亚微米ｘ射线光刻图形的实验结果。 相似文献
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同步辐射X射线深度光刻实验 总被引：4，自引：0，他引：4
深度同步辐射光刻是LIGA技术的关键工艺环节。利用同步辐射X射线的高平行性、硬射线的高强度，可以光刻出非常深的胶结构，并且这一结构有着很好的尺寸精度和垂直精度，对加工出微型机械结构，具有重要作用。 相似文献
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本文介绍利用北京正负电子对撞机同步辐射软X射线光刻装置进行亚微米X射线光刻技术和深结构光刻的实验研究。通过对曝光剂量、掩模、抗蚀剂等工艺实验,初步得到适合于目前条件的较好的同步辐射X射线光刻工艺条件,并光刻出0.3μm的亚微米图形和抗蚀剂厚度为36μm深光刻图形。 相似文献
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投影光刻技术的计算机模拟研究 总被引：2，自引：0，他引：2
投影光刻技术的计算机模拟分为三部分：空间像强度分布计算，曝光计算和显影计算。本文分别讨论了各部分数学模型的建立，计算方法及特点，并给出了一些研究结果。 相似文献
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脉冲软X射线源及光刻的初步研究 总被引：2，自引：1，他引：1
喷气式Ｚ箍缩等离子体装置产生的软Ｘ射线，波长大约在０．２～０．６ｕｍ之间，一次放电产生的软Ｘ射线能量约５０Ｊ。本文利用此软Ｘ射线源，用金属丝网作为掩模，对ＣＳＭ光刻胶进行了曝光的初步实验研究，得到了较为清晰的曝光图形。 相似文献
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本文讨论了提高曝光分辨率的一种主要方法：相移掩模方法。分析了相移掩模提高分辨率的原理，提出了相移掩模成像的模拟思想，推导了数学公式，并实现了计算机模拟，给出了一些初步结果。 相似文献
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研制出ＳＭＴ激光微软钎焊焊点质量红外检测系统，建立了微细焊点红外传感的数学模型并进行计算机数值求解．计算表明，焊点红外传感信号可识别出钎料的熔化及润湿过程，并能用于激光微软钎焊焊点质量实时控制 相似文献
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多元HgCdTe线列探测器的同步辐射形貌术分析 总被引：2，自引：1，他引：1
利用同步辐射拍摄了长波光导多元HgCdTe探测器芯片的高分辨率的白光形貌相,观察到多元线列器件探测元中明显存在晶格应变区、亚晶界、滑移面等缺陷.实验结果表明:多元线列器件探测元的性能与其光敏区HgCdTe材料中的晶体缺陷密切相关,器件工艺对HgCdTe晶片的应力状态有极大的影响,器件工艺对材料的应力作用可从多元器件探测元晶格的完整性反映出来. 相似文献
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某些电子束曝光机光刻出的线条是弯曲的 ,因而影响了机器分辨率的提高 ,本文对此现象做了分析 ,并提出可能产生这种现象的原因。这对于解决上述问题 ,提高电子束曝光机的分辨率具有重要意义。 相似文献