非晶含氢碳膜的氧等离子体刻蚀性能研究

用苯作气源,采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积方法制备了非晶含氢碳膜,并在该系统上用氧等离子体对这些碳膜进行了刻蚀性能的研究.实验中,测量了碳膜在不同氧压强、流量和微波功率下的刻蚀速率,研究了膜的沉积速率与它的刻蚀速率之间的关系.结果表明,膜的刻蚀速率与膜的生长条件密切相关;在低沉积速率下生长的非晶碳膜的刻蚀率低于常用的Novolak光刻胶.这种碳膜具有较强的耐刻蚀性能,可以用作微电子器件制造中的掩膜材料. 关键词：     

等离子体聚合简介

 等离子体聚合是一种特殊类型的等离子体化学,它包括等离子体种类间的反应,等离子体和表面种类间以及表面种类之间的反应.     

直流电弧等离子体射流CVD制备多种碳膜

本文报道了在同一直流电弧等离子体射流ＣＶＤ装置上，采用不同的沉积条件高速合成金刚石，类金刚石，高取向热解石墨以及无定形碳等四种碳膜。经Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），拉曼散射谱（Ｒａｍａｎ），扫描电镜（ＳＥＭ）形貌分析以及显微硬度测试表明，该方法制得的金刚石膜和高取向热解石墨膜具有很高的纯度和良好的晶性，类金刚石具有独特的形貌和Ｒａｍａｎ散射特征以及可与金刚石膜比拟的硬度。     

等离子体在磁场中能级分离可能产生的影响

考虑到磁场中的带电粒子在与磁场方向垂直的两个方向上的能级分离，采用玻耳兹曼统计分布，得到几个公式.说明了低温强磁场时可能出现的情况.据此说明了如何对磁流体方程给予一定的修正. 关键词：     

非平衡态氧等离子体性质的实验研究

给出了寂静放电产生的非平衡态氧等离子体特性的实验研究结果,并对空气中及氧气中合成臭氧的特性进行了研究,得到了在纯氧放电时臭氧质量浓度Ｃ＝ １８．９ｍ ｇ ·Ｌ－ １、臭氧产率Ｑ＝１８００ｍ ｇ ·ｈ－ １、臭氧单能产率η＝ ７０ｇ ·（ｋＷ ·ｈ）－ １ 的实验结果,同时对影响Ｃ、Ｑ的因素也进行了研究。最后,就臭氧对造纸黑液的脱色、降粘及脱木素的作用进行了实验探讨     

氧等离子体处理对氧化锆薄膜性质的影响

用低能氧等离子体对电子束热蒸发后的沉积氧化锆薄膜进行了后处理。通过对其光学性质、缺陷密度、弱吸收及抗激光辐照等性质的研究后发现,经氧等离子体处理后的氧化锆薄膜的折射率、消光系数、缺陷密度及吸收率等均有所降低,薄膜的激光损伤阈值较未处理的样品有了较大的提高。分析探讨了氧等离子体处理技术对薄膜性质的影响。     

氧等离子体刻蚀CVD金刚石膜的影响机理

采用电子回旋共振(ECR)等离子体在不同的磁场位形和工作气压下刻蚀化学气相沉积(CVD)金刚石膜,运用双探针和离子灵敏探针法对等离子体进行了诊断,研究了等离子体参数对刻蚀效果的影响。结果表明:磁场由发散场向收敛场转变时,离子温度、电子温度和等离子体密度都随之增大,刻蚀效果逐渐增强;当工作气压由低气压向高气压变化时,等离子体参数先增大后减小,CVD金刚石膜表面粗糙度降低程度也出现了相同的趋势。     

氧等离子体刻蚀CVD金刚石膜的影响机理

采用电子回旋共振（ECR）等离子体在不同的磁场位形和工作气压下刻蚀化学气相沉积（CVD）金刚石膜,运用双探针和离子灵敏探针法对等离子体进行了诊断,研究了等离子体参数对刻蚀效果的影响。结果表明：磁场由发散场向收敛场转变时,离子温度、电子温度和等离子体密度都随之增大,刻蚀效果逐渐增强;当工作气压由低气压向高气压变化时,等离子体参数先增大后减小,CVD金刚石膜表面粗糙度降低程度也出现了相同的趋势。     

单体流量对苯乙烯等离子体聚合过程影响的光谱分析

单体流量是影响等离子体聚合沉积过程的重要宏观参数之一。本文应用发射光谱方法研究了苯乙烯单体流量变化时，ＣＨ，Ｃ４Ｈ＾＋２粒子发射强度的变化情况，用红外吸收光谱法分析了等离子体聚苯乙烯膜的本体结构，并测量了相应放电条件下膜的沉积速率。     

金刚石膜合成条件下的鞘层与等离子体参数分布

本文报导了在用热阴极直流放电等离子体化学气相沉积（通常也称ＥＡＣＶＤ．即电子辅助化学气相沉积）方法合成金刚石的条件下的等离子体密度、电子温度、等离子体空间电位分布及基片附近等离子体鞘结构，并讨论其对成膜的影响．