碳化硼成分分析标准物质的研制

介绍碳化硼成分分析标准物质的制备方法。以硼酸和蔗糖为原材料,酯化反应得到硼酸酯沉淀,经过烧结制备碳化硼粉体。用低温前驱体裂解法制备碳化硼成分分析标准物质,并进行了均匀性检验、稳定性考察,采用8家实验室协作定值,对定值结果的不确定度进行了评定。结果表明,研制的碳化硼成分分析标准物质具有良好的均匀性和稳定性,量值准确可靠,定值结果的相对扩展不确定度为0.003 1%~0.13%(k=2)。     

化肥成分分析系列标准物质研制

研制了尿素、磷酸氢二铵、氯化钾、高氮磷低氯复合肥、高氮低氯复合肥、高钾硫基复合肥、高钾中氯复合肥、高磷低氯复合肥和平衡型硫基复合肥系列化肥标准物质,样品严格按照相关标准要求进行采集、加工制备、均匀性检验、稳定性检验,由15家不同行业的权威实验室进行协作定值,并对不确定度进行评定。结果表明,样品粒度分布满足样品加工要求,具有良好的均匀性和稳定性。本系列化肥标准物质共定值45项元素(指标),包括N、P₂O₅、水溶性P₂O₅、有效性P₂O₅、K₂O、S、Cl、As、Hg、Cr、Cd、Cu、Pb、Zn、Ni、B、Se、Ge、Fe、Na、Ca、Mg、Al、Ti、V、Mn、Co、Sr、Mo、Ba、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu,量值准确可靠、不确定度范围评估合理,符合国家一级标准物质的要求。研制的9个化肥化学成分标准物质定值的元素含量梯度范围合理,填补了国内复合肥料标准物质空白,可为化肥样品...     

化肥成分分析系列标准物质研制

研制了尿素、磷酸氢二铵、氯化钾、高氮磷低氯复合肥、高氮低氯复合肥、高钾硫基复合肥、高钾中氯复合肥、高磷低氯复合肥和平衡型硫基复合肥系列化肥标准物质,样品严格按照相关标准要求进行采集、加工制备、均匀性检验、稳定性检验,由15家不同行业的权威实验室进行协作定值,并对不确定度进行评定。结果表明,样品粒度分布满足样品加工要求,具有良好的均匀性和稳定性。本系列化肥标准物质共定值45项元素(指标),包括N、P_2O_5、水溶性P_2O_5、有效性P_2O_5、K_2O、S、Cl、As、Hg、Cr、Cd、Cu、Pb、Zn、Ni、B、Se、Ge、Fe、Na、Ca、Mg、Al、Ti、V、Mn、Co、Sr、Mo、Ba、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu,量值准确可靠、不确定度范围评估合理,符合国家一级标准物质的要求。研制的9个化肥化学成分标准物质定值的元素含量梯度范围合理,填补了国内复合肥料标准物质空白,可为化肥样品分析质量控制、实验室仪器校准、分析方法和实验室检测能力验证与评价提供基础技术支撑。     

银精矿成分分析系列标准物质研制

研制了系列银精矿标准物质。从日常检验样品中收集了15个不同含量的银精矿样品,每个样品收集5～8个批次,根据预留样品各元素成分含量综合考量后,筛选出4个不同品位的银精矿质控样品作为标准物质候选物,对标准物质候选物进行破碎、筛分、混匀及缩分,然后进行均匀性检验、稳定性进行检验,再由6家权威实验室进行协作定值,并对不确定度进行评定。结果表明,所研制的银精矿标准物质具有良好的均匀性和稳定性。该系列银精矿标准物质共定值6种元素,包括Pb(15%～56.99%)、Au(0.22～1.59 g/t)、Ag(2 913.6～4 855.0 g/t)、Cu(0.21%～1.16%)、As(0.12%～1.87%)、Zn(3.33%～10.58%),制备过程及定值结果符合国家一级标准物质的规定。     

低温封接玻璃成分分析标准物质的研制

研制了低温封接玻璃成分分析标准物质,对标准物质的制备技术进行了研究。分别用F检验和t检验法对研制的标准物质进行了均匀性和稳定性检验,结果表明,研制的低温封接玻璃标准物质具有良好的均匀性和稳定性。采用6家实验室进行协作定值,对定值结果的不确定度进行了评定。各组分定值结果的相对扩展不确定度均小于5%(k=2)。     

焦炭特性及成分分析用标准物质的研制

介绍焦炭特性及成分分析用标准物质的研制过程。对标准物质进行了均匀性检验和稳定性考察,8家权威实验室用准确可靠的方法参与协作定值,确定了22个项目的标准值和扩展不确定度。粒度分析和成分分析结果表明该标准物质均匀性良好,在5年内性质稳定。     

稀土矿石成分分析标准物质的研制

介绍两种稀土矿石成分分析标准物质的研制过程。采用X射线荧光光谱法检验标准物质的均匀性和稳定性，标准物质的均匀性和稳定性良好。由8家具有权威性的测试单位协同定值及对数据进行数理统计，确定了该标准物质的标准值及标准偏差。     

耐辐照玻璃成分分析标准物质的研制

采用高温熔融方法制备了玻璃成分分析标准物质.对标准物质的制备技术、均匀性检验、稳定性考察及定值不确定度进行了分析.研制的耐辐照成分分析标准物质具有良好的均匀性和稳定性,各组分不确定度均小于5％.     

乳粉中脂肪成分分析标准物质的研制

研制乳粉中脂肪成分分析标准物质.选择与日常脂肪检测水平相当的乳粉,经过混匀、分装、真空密封、辐照灭菌制备了脂肪成分分析标准物质,按5 g/袋进行包装,共包装800个单元.采用碱水解法,分别从均匀性、长期稳定性、短期稳定性、以及6家实验室联合定值进行考察,联合定值实验室均采用碱水解法测定乳粉中脂肪.对定值结果进行不确定度...     

铟锡氧化物(ITO)纳米颗粒的制备及表征

以金属In和SnCl₄·5H₂O为主要原料，加入保护剂PVP，利用化学共沉淀法合成了球形的铟锡氧化物(ITO)纳米颗粒。分别对PVP的用量、溶液的pH值、热处理温度等因素对ITO纳米颗粒粒径的影响进行了分析。并且借助透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)对所合成的ITO纳米颗粒进行了表征。XRD分析说明本文合成了金刚砂型结构的铟锡氧化物纳米颗粒，并且其晶型结构随着热处理温度的升高而转变为铁锰矿型。     

基于丙烯酸-丙烯酰胺共聚物的氧化铟锡蚀刻油墨的制备与性能

以丙烯酸（AA）、丙烯酰胺（AM）为单体,采用水溶液聚合法制备了低黏度聚（丙烯酸-丙烯酰胺）P（AA—Co—AM）树脂。使用旋转黏度计和热重分析仪等测试了树脂的性质,并以该树脂为连接料,制备了新型水性氧化铟锡（ITO）蚀刻油墨。探讨了该油墨的保水性、pH变化和蚀刻图像解析度等。结果表明：通过优化合成工艺可制备分子量适宜的P（AA—CO—AM）树脂,它在150℃以下无分解现象;油墨在使用3h后失水率仅为3．68％-5．34％,存放60d后pH基本无变化,且丝网印刷效果明显好于市售油墨。     

静电纺丝法制备纳米氧化铟锡及其导电性能

采用静电纺丝-溶胶凝胶法,以SnCl₂、InCl₃、聚乙烯吡咯烷酮（PVP）等为原料,乙醇胺为水解控制剂,合成了超细氧化铟锡（ITO）纳米纤维及富氧缺陷的ITO纳米颗粒。采用透射电子显微镜（TEM）、选区电子衍射（SAED）、扫描电子显微镜（SEM）、热重分析（TGA）、X射线衍射（XRD）、X射线电子能谱（XPS）、四探针电阻仪,系统研究了超细ITO纤维及颗粒的形貌、晶型、氧缺陷及导电性能。在400℃空气煅烧后,纤维中的PVP高分子骨架发生热分解,获得超细、多孔ITO纳米纤维,晶型为立方相。进一步升高煅烧温度至800℃,ITO纳米纤维转变为富氧缺陷的纳米颗粒,晶格氧空位含量高达38.9%。随着煅烧温度升高,Sn⁴⁺掺入到In₂O₃晶格中,发生晶格膨胀,晶面间距增大。煅烧温度由400℃升高至800℃,未发生立方相向六方相的转变,晶型稳定,晶粒尺寸从32 nm生长到44 nm,晶格应变（ε₀）从1.42×10^-2减小至1.04×10^-2,应变诱导的晶格弛豫逐渐减小。此外,高温煅烧可抑制In₂O₃晶粒（111）晶面的增长,随着In₂O₃的（400）与（222）晶面比值（I_（400）/I_（222））的增加,ITO电导率逐渐升高。在800℃获得的ITO纳米晶粒导电率最高。     

静电纺丝法制备纳米氧化铟锡及其导电性能

采用静电纺丝-溶胶凝胶法,以SnCl2、InCl3、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)等为原料,乙醇胺为水解控制剂,合成了超细氧化铟锡(ITO)纳米纤维及富氧缺陷的ITO纳米颗粒.采用透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)、扫描电子显微镜(SEM)、热重分析(TGA)、X射线衍射(XRD)、X射线电子能谱(XPS)、...     

基于氧化铟锡电极的透明忆阻器件工作机制研究进展

随着电子技术的发展,兼具透明、柔性等特性的功能电子器件得到了广泛关注.作为新型电子存储器件,忆阻器在新一代信息技术领域(包括低功耗类脑计算、非易失逻辑、数据存储等)有着广阔的应用前景,成为近年来备受关注的新型纳米器件.氧化铟锡是一种常用的透明导电材料,因其优异的光学透明度、稳定的物理、化学特性等优点,成为制备新型透明忆...     

通过硅烷偶联剂在硅和铟锡氧化物(ITO)表面嫁接寡聚芴分子

通过硅烷偶联剂γ-氨丙基三乙氧基硅烷(3-aminopropyl-triethoxysilane,APTES)的“分子桥梁”作用,采用两种不同的方法,把修饰后的寡聚芴分子键联到硅表面和铟锡氧化物(ITO)表面上。X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和循环伏安(CV)方法等的表征证实了通过硅烷偶联剂在硅表面和ITO表面嫁接寡聚芴分子可行性。     

直接电沉积金纳米粒子修饰氧化铟锡电极测定亚硝酸根

以电化学沉积法一步制得了金纳米粒子(GNP)修饰氧化铟锡(ITO)电极,采用紫外、扫描电镜及循环伏安法对GNP/ITO修饰电极进行了表征。结果表明,金纳米粒子在ITO电极表面呈球形,分布均匀无团聚,粒径约30 nm。该修饰电极具有良好的电化学性能,在pH 2.2的Na2HPO4-柠檬酸缓冲溶液中其氧化峰电流与NO2-的浓度呈良好的线性关系,线性范围为5×10-6~5.5×10-4mol/L,线性回归方程为:i(μA)=1.07 136C(mmol/L),相关系数r=0.9969;检出限可达1.0×10-6mol/L。该修饰电极用于废水中NO2-的测定,结果令人满意。     

超薄铝/碳酸锂修饰氧化铟锡阴极制备蓝色磷光反转底发光有机发光二极管

在氧化铟锡（ITO）阴极上依次蒸镀2 nm铝和2 nm碳酸锂（Li2CO3）薄膜作为电子注入层,成功制备出器件结构为ITO/Al/Li2CO3/SPPO13/SPPO13∶FIrpic/TCTA/MoO3/Al(SPPO13：2,7-双（二苯基磷）-9,9′-螺二[芴];FIrpic：双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱;TCTA：4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺)的蓝色磷光反转底发光有机发光二极管（IBOLED）。 结果表明,Al/Li2CO3作为电子注入层可以有效降低ITO与有机材料之间的电子注入势垒,蓝色磷光IBOLED的起亮电压由11 V降至4.2 V,器件的发光效率也得到有效提高。 蓝光磷光IBOLED的最大电流效率与功率效率分别达到了28.2 cd/A和19.6 lm/W,制备出的反转结构器件性能可与传统正置结构比美,说明Al/Li2CO3可以作为反转有机发光二极管优良的电子注入层。     

Atomic Layer Deposition of Ternary Indium/Tin/Aluminum Oxide Thin Films,Their Characterization and Transistor Performance under Illumination.

Multilayered heterostructures comprising of In₂O₃, SnO₂, and Al₂O₃ were studied for their application in thin-film transistors (TFT). The compositional influence of tin oxide on the properties of the thin-film, as well as on the TFT characteristics is investigated. The heterostructures are fabricated by atomic layer deposition (ALD) at 200 °C, employing trimethylindium (TMI), tetrakis(dimethylamino)tin (TDMASn), trimethylaluminum (TMA), and water as precursors. After post-deposition annealing at 400 °C the thin-films are found to be amorphous, however, they show a discrete layer structure of the individual oxides of uniform film thickness and high optical transparency in the visible region. Incorporation of only two monolayers of Al₂O₃ in the active semiconducting layer the formation of oxygen vacancies can be effectively suppressed, resulting in an improved semiconducting and switching behavior. The heterostacks comprising of In₂O₃/SnO₂/Al₂O₃ are incorporated into TFT devices, exhibiting a saturation field-effect mobility (μ_sat) of 2.0 cm² ⋅ V⁻¹ s⁻¹, a threshold-voltage (V_th) of 8.6 V, a high current on/off ratio (I_On/I_Off) of 1.0×10⁷, and a subthreshold swing (SS) of 485 mV ⋅ dec⁻¹. The stability of the TFT under illumination is also altered to a significant extent. A change in the transfer characteristic towards conductive behavior is evident when illuminated with light of an energy of 3.1 eV (400 nm).