自猝灭流光雪崩机制

本文通过对大量SQS实验现象的分析研究,提出SQS的成因是原初饱和雪崩的空间电荷造成阳极丝附近电场的畸变.根据这一假设,对SQS过程做了定量的计算,给出各种不同条件下,计数管输出电荷量与所加高压的关系曲线.计算了SQS转变电压、转变点原初雪崩的电荷量和SQS雪崩的电荷量与气体组分的关系.计算结果和实验结果令人满意地符合.     

自猝灭流光现象的初步观察

文章报告了作者对自猝灭流光的电子学和光学的观察结果, 观察述及到这种模式向有限盖革模式的过渡, 与初始电离及不同气体成分的关系, 以及电荷量谱, 对这种流光的直接的光学摄象有助于更好地理解这种新的气体放大模式.     

感应读出式自猝灭流光计数器

本文介绍了自猝灭流光计数器的新技术——具有阻性阴极的感应读出式自猝灭流光计数器的特点及初步实验结果. 用不同比例的Ar/C₄H₁₀、Ar/CH₄或Ar/CO₂作为基本工作气体, 研究了阳极丝直径、电子学死时间等对计数率坪曲线的影响; 研究了几种不同的猝灭剂(H₂C(OCH₃)₂、C₂H₅OH、C₆H₆、C₇H₁₂)含量与坪曲线的关系; 也测量了该计数器的探测效率和死时间.     

自猝灭流光(SQS)探测器的研究结果

本文描述了自猝灭流光(SQS)探测器在我国的具体条件下研究的第一批结果: 在50欧姆负载上输出脉冲的上升时间为3至5毫微秒, 脉冲宽度约30毫微秒, 幅度约100毫伏. 计数率随电压变化的曲线的坪长约700伏. 工作气体的比例在可变范围20%之内变化不影响其性能. 对带电粒子的探测效率接近100%. 可正常工作的计数率在每毫米阳极丝内每秒>10³次. 在2毫米阳极丝上测得的局部死时间约10微秒. 当工作在流气式时可连续使用, 没有寿命问题. 密闭式使用时, 寿命>5×10⁸次脉冲. 造价低廉, 长度1米左右的SQS管造价约10元. 我们制成了很多种SQS多丝室. 多丝室的性能与管状的相似. 本文还给出了把SQS探测器用于电子直线加速器窄脉冲强中子辐射场的测量的初步结果以及研制SQS放射性测量仪的初步结果. 我们的结论是: SQS探测器可以部分地取代费用较高的闪烁计数器, 可以全部取代盖革计数管.     

多丝室工作于自猝灭流光模式下定位特性的研究

对多丝室运行于自猝灭流光(SQS)模式下的定位性能进行了实验研究.用两种不同的丝室结构,以Ar和CO₂的混合气体作为工作气体,在不同的CO₂含量比例及高压下测试了感应电荷信号在阳极丝周围电极上的分布.以阳极丝相邻电极上感应电荷的比来确定入射粒子在垂直阳极丝方向上的位置,分辨率σ_x好于350μm.由阴极面上感应电荷的分布,用重心法确定入射粒子在沿阳极丝方向上的位置,分辨率好于250μm.     

饱和雪崩和自焠灭流光放电模式的研究

为了研究用自焠灭流光(SQS)和饱和雪崩(SA)模式作为气体簇射取样量能器取样方式的可能性,本文报告了对氩气十甲烷等四种混合气体在各种混合比份下从正比区至SQS区的气体放大特性的系统测量结果以及SQS的计数坪曲线.测量结果显示,当焠灭气体含量在50％以上时,可以得到300—400伏的SQS最佳工作区,在这个区域内,SA信号已经几乎全部跃迁为SQS信号,而后者又还没有出现第二次跃迁,这个区域是取样量能器的理想取样工作范围.     

自发射荧光猝灭测定Gemini阴离子表面活性剂胶团聚集数

Gemini表面活性剂C11pPHCNa分子联接链上的对苯氧基在激发下自发射荧光。当浓度超过0.45 mmol·L-1时,激发光谱谱带的拓扑结构发生一系列变化,导致不同于对应的吸收光谱。由于联接链上的对苯氧基明显猝灭了外加探针芘发射的荧光,所以不能用传统的方法测定这类胶团的聚集数。文章利用甲基紫精(MV2+)可有效猝灭C11pPHCNa分子自发射荧光的原理,建立了测定这类胶团平均聚集数的方法。由该方法获得C11pPHCNa胶团平均聚集数为20.6;在溶液体相摩尔比为3∶7的C11pPHCNa/C₁₂-S₂-E₁-C₁₂·2Br体系中,混合胶团的平均聚集数为11.8。     

二硫化碳和乙二醛荧光的磁猝灭

双重态和三重态发射荧光的磁猝灭早已在碘分子和二氧化氮分子中观察到了。我们研究了磁场对二硫化碳和乙二醛分子的发射的影响,并第一次观察到了激发单重态发射荧光的磁猝灭。 用N_2激光器研究了磁场对CS_2分子的~1A_2(0,5,0)态发射的强度F和寿命τ的影响。磁场对τ和F/F_0(F_0和F分别是未加磁场和加了磁场的积分发射强度)的影响是相互平行的。在～13KG磁场中,τ和F/F_0大约都减少一半。这意味着磁场增强了无辐射能量传递过程。     

荧光素钠注射液荧光猝灭的研究

使用荧光素钠注射液进行眼底血管造影，显影清晰度和显影持续时间是造影的重要质量指标，荧光猝灭作用直接影响造影质量。本文研究了浓度，酸度，温度及重金属离子与荧光猝灭的关系。结果表明：荧光素浓度大于１．５５×１０＾－５ｍｏｌ·Ｌ＾－１时，随着浓度增大，荧光猝灭作用增强；酸度对荧光猝灭作用有明显作用，ｐＨ值小于８．５时，随着ｐＨ值升高而减弱，ｐＨ值大于８．５时，随着ｐＨ值升高而增强；温度对荧光猝灭作用呈线     

鲁米诺化学发光猝灭法测定微量狄的研究

本文利用狄对鲁米诺－过氧化氢－铬（Ⅱ）体系化学发光的熄灭效应，建立了狄的流动注射化学发光分析法。该法灵敏度高，线性范围宽，仪器设备简单，操作方便。     

醌对卟啉荧光猝灭的溶剂效应

测定了在室温和未脱氧条件下不同浓度的苯醌(BQ)对卟啉衍生物四苯基卟吩(TPP),四苯基卟吩锌(ZnTPP)激发一重态的猝灭.由猝灭而引起的荧光强度的变化和荧光寿命的变化均可用Stern-Volmer关系式描述.由此根据寿命计算出的猝灭常数均比据荧光强度计算出的猝灭常数小.这是由于荧光强度测量中的自吸收效应引起的.实验结果表明;猝灭常数Kq与溶剂极性无关而只与粘度有关.说明这种猝灭是受扩散控制的动态猝灭.动力学分析表明,这是一种强猝灭,电荷转移猝灭速度比卟啉和醌的复合物的分解速度大或与之相近.比较实验结果和我们以前及其他作者发表的结果后,可以得出结论.苯醌对卟啉衍生物激发态电荷转移猝灭的溶剂效应随分子状态的不同而异:分子内的和通过三重态进行的分子间电荷转移猝灭受溶剂极性影响,但通过一重态进行的分子间电荷转移猝灭则与溶剂极性无关.     

鲁米诺化学发光猝灭法测定微量钬的研究

本文利用钬对鲁米诺-过氧化氢-铬(Ⅲ)体系化学发光的熄灭效应,建立了钬的流动注射化学发光分析法.该法灵敏度高、线性范围宽、仪器设备简单、操作方便.     

铜掺杂多孔硅的光致荧光猝灭

采用浸泡镀敷的方法在多孔硅表面形成了一铜镀层,通过对掺铜前后多孔硅的光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外(FTIR)吸收光谱的研究,讨论了铜在多孔硅表面的吸附对其光致发光的影响。实验表明,掺铜对多孔硅的光致发光具有明显的猝灭效应,并使多孔硅的发光峰位蓝移。由于多孔硅表面铜的吸附使硅-氢键明显减少,而铜原子和硅的悬挂键成键会形成新的非辐射复合中心,从而使多孔硅的光致发光强度衰减。且浸泡溶液的浓度越高,这种猝灭效应越明显。而多孔硅发光峰位的蓝移,则是由于在发生金属淀积的同时伴随着多孔硅表面Si的氧化过程(纳米Si氧化为SiO2)的缘故。     

金属和半导体表面吸附分子的荧光猝灭

本文提出了分子吸附于金属或半导体表面呈现荧光猝灭现象的新的理论解释,认为荧光猝灭现象是由于处于激发态的吸附分子和等离子体振荡之间能量迁移的结果。文中并提出了“受迫等离激元”概念。     

白光发光二极管用SrGdLiTeO_6:Eu~(3+)红色荧光粉的浓度猝灭和温度猝灭行为

采用高温固相法成功合成出双钙钛矿结构SrGd_(1-x)LiTeO_6:xEu~(3+)(x=0.1-1.0)红色荧光粉,并采用X-射线衍射、漫反射光谱、光致发光光谱、电致发光光谱等测试手段对粉体的结构、光致发光特性以及发光二极管器件的光色电特性进行了系统研究.激发光谱、发射光谱和荧光衰减曲线测试结果表明Eu~(3+)的最佳掺杂浓度为x=0.6,更大的掺杂量会引起浓度猝灭.基于van Uitert浓度猝灭公式,提出一种更准确的表达形式用于拟合、分析能量传递类型,揭示出电偶极-电偶极作用导致浓度猝灭.Judd-Ofelt理论计算得出较高的跃迁强度参数和量子效率,说明高度畸变的非心C_1晶体场促使高效的超灵敏跃迁红光发射.在423 K时积分发光强度达到室温时的85.2%,热激活能经计算为0.2941 eV.基于此样品的发光二极管能够发出明亮的红光.综上所述,该类荧光粉表现出良好的发光效率、色纯度以及发光热稳定性,是一种潜在的近紫外激发白光发光二极管用红色荧光粉.     

具有减少自猝灭效果的铱配合物掺杂型红色聚合物磷光器件

将双(2-(2'-苯并 噻吩基)-5-三氟甲基吡啶)乙酰丙酮合铱配合物 及电子传输材料PBD掺杂到基质材料PVK中,利用旋涂的方法制备聚合物磷光器件。铱配合物的掺杂质量分数分别为8%、10%、15%及18%,当掺杂质量分数为15%时获得了最大外量子效率4.5%,而同样结构的经典的红光材料(btp)₂Ir(acac)的掺杂质量分数为4%时最大外量子效率为3.3%。可以看出,含三氟甲基的新铱配合物制备的聚合物器件具有明显的减少浓度猝灭效果,这可能由于三氟甲基基团改变了分子堆积状态,减少了分子间相互作用的结果。该聚合物器件最大发射峰位648 nm,色坐标为(0.71,0.29), 没有PVK的蓝光发射峰。     

几种气体的自淬灭流光特性

本文描述了Ar+CH₄(1:1)流经0℃的Methylat, Ar+CO₂(1:2)流经n-Pentane及 Ar+Isobutan等混合气体的自淬灭流光特性, 流光信号大小与入射粒子在流光管阳极丝方向上的投影大小之关系及漂移时间等的测量, 并根据实验结果, 计算了工作在自淬灭流光模式下的气体取样电磁簇射探测器的能量分辨率.     

塑料流光管感应读出的某些特性

本文介绍了新型塑料自猝灭流光管的感应读出特点. 对用于二维读出方式的感应条上的感应输出电荷脉冲分布谱与高压关系及相邻条上的感应电荷分布进行了研究. 对空间分辨率进行了测量分析及估算. 文中并对分布谱的双峰效应进行了解释, 指出阳极丝两侧的流光距感应条有远近两类是产生双峰的根源. 最后报导了感应板(Pad)读出方式的初步测量结果.     

Cu:KNSBN晶体中复色光自泵浦相位共轭猝灭实验及其理论解释

当用５１４.５ｎｍＡｒ^＋激光束入射到掺Ｃｕ的ＫＮＳＢＮ晶体中时，观察到典型的猫型自泵浦相位共轭，而当用５１４.５和４８８ｎｍＡｒ^＋激光束共线入射到该晶体中时，观察到自泵浦相位共轭猝灭现象．对这一现象给出了一个理论解释 关键词：