《人工晶体学报》参考文献书写规则

根据中华人民共和国国家标准《文后参考文献著录规则》(CG7714-87),本刊的参考文献采用顺序编码制。参考文献著录格式示例(作者3人以上的用缩写符号:et al.等等)1.期刊著者.文献题名[J].刊名,出版年,卷号(期号):页次.例:关铁堂,林景臻,林树坤,等.马来酸氢十八酯晶体生长[J].人工晶体学报,1992,20(1):5.Arnold W A,Wilcox W R,Carlson F,et al.Transport Modes during Crystal Growth in a Centrifuge[J].Journal ofCrystal Growth,1992,119(1-2):24.2.专著著者.书名[M].版本,出版地:出版者,出版年:页次.例:蒋民华.晶体物理[M].济…     

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根据中华人民共和国国家标准《文后参考文献著录规则》(CG7714-87),本刊的参考文献采用顺序编码制。参考文献著录格式示例(作者3人以上的用缩写符号:et al.等等)1.期刊著者.文献题名[J].刊名,出版年,卷号(期号):页次.例:关铁堂,林景臻,林树坤,等.马来酸氢十八酯晶体生长[J].人工晶体学报,1992,20(1):5.Arnold W A,Wilcox W R,Carlson F,et al.Transport Modes during Crystal Growth in a Centrifuge[J].Journal ofCrystal Growth,1992,119(1-2):24.2.专著著者.书名[M].版本,出版地:出版者,出版年:页次.例:蒋民华.晶体物理[M].济…     

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根据中华人民共和国国家标准《文后参考文献著录规则》(CG7714-87),本刊的参考文献采用顺序编码制。参考文献著录格式示例(作者3人以上的用缩写符号:et al.等等)1.期刊著者.文献题名[J].刊名,出版年,卷号(期号):页次.例:关铁堂,林景臻,林树坤,等.马来酸氢十八酯晶体生长[J].人工晶体学报,1992,20(1):5.Arnold W A,Wilcox W R,Carlson F,et al.Transport Modes during Crystal Growth in a Centrifuge[J].Journal ofCrystal Growth,1992,119(1-2):24.2.专著著者.书名[M].版本,出版地:出版者,出版年:页次.例:蒋民华.晶体物理[M].济…     

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根据中华人民共和国国家标准《文后参考文献著录规则》(CG7714 -87),本刊的参考文献采用顺序编码制。参考文献著录格式示例(作者3人以上的用缩写符号:et al.等等)1.期刊 著者.文献题名[J].刊名,出版年,卷号(期号):页次.例:关铁堂,林景臻,林树坤,等.马来酸氢十八酯晶体生长[J].人工晶体学报,1992,20(1):5.Arnold W A,Wilcox W R,Carlson F,et al.Transport Modes during Crystal Growth in a Centrifuge [J].Journal ofCrystal Growth,1992,119(1 -2):24.2.专著 著者.书名[M].版本,出版地:出版者,出版年:页次.例:蒋民华.晶体物理[M…     

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根据中华人民共和国国家标准《文后参考文献著录规则》(CG7714-87),本刊的参考文献采用顺序编码制。参考文献著录格式示例(作者3人以上的用缩写符号:et al.等等;中文参考文献需中英文对照书写):1.期刊著者.文献题名[J].刊名,出版年,卷号(期号):页次.例:关铁堂,林景臻,林树坤,等.马来酸氢十八酯晶体生长[J].人工晶体学报,1992,20(1):5.Arnold W A,Wilcox W R,Carlson F,et al.Transport Modes during Crystal Growth in a Centrifuge[J].Journal ofCrystal Growth,1992,119(1-2):24.2.专著著者.书名[M].版本,出版地:出版者,出版年:页次.例:蒋民华.晶体物理[M].济南:山东科学技术出版社,1980:253.Vanbueren HG.Imperfections in Crystals[M].Second Edition,Amsterdam:North-Holland Publishing Co.,1961:291.3.论文集或会议文献著者.文献题名[A...     

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<正>根据中华人民共和国国家标准《文后参考文献著录规则》(CG7714-87),本刊的参考文献采用顺序编码制。对于文献有多个作者的,只著录前3位作者,从第4位开始用"等"(英译文中用"et al.")代替;文献条数尽量不超过15条。为便于国际交流,中文版要求:外文文献按外文著录;中文文献按中文著录的同时请提供英文对照。著录格式示例如下:1.期刊[序号]作者.文献题名[J].刊名,出版年份,卷号(期号):起止页码.例:[1]王善朋,陶绪堂、董春明,等.加速坩埚旋转下降技术生长LiInS_2晶体[J].人工晶体学报,2007,36(1):8-13.Wang S P,Tao X T,Dong C M,et al.Growth of LilnS_2 Single Crystal by the Accelerated Crucible Rotation Tech nique[J].Journal of Synthetic Crystals,2007,36(1):8-13(in Chinese)。     

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<正>根据中华人民共和国国家标准《文后参考文献著录规则》(CG7714-87),本刊的参考文献采用顺序编码制。对于文献有多个作者的,只著录前3位作者,从第4位开始用"等"(英译文中用"et al.")代替;文献条数尽量不超过15条。为便于国际交流,中文版要求:外文文献按外文著录;中文文献按中文著录的同时请提供英文对照。著录格式示例如下:1.期刊[序号]作者.文献题名[J].刊名,出版年份,卷号(期号):起止页码.例:[1]王善朋,陶绪堂,董春明,等.加速坩埚旋转下降技术生长LiInS_2晶体[J].人工晶体学报,2007,36(1):8-13.Wang S P,Tao X T,Dong C M,et al.Growth of LiInS2 Single Crystal by the Accelerated Crucible Rotation Tech nique[J].Journal of Synthetic Crystals,2007,36(1):8-13(in Chinese).     

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正根据中华人民共和国国家标准《文后参考文献著录规则》(CG7714-87),本刊的参考文献采用顺序编码制。对于文献有多个作者的,只著录前3位作者,从第4位开始用"等"(英译文中用"et al.")代替;文献条数尽量不超过15条。为便于国际交流,中文版要求:外文文献按外文著录;中文文献按中文著录的同时请提供英文对照。著录格式示例如下:1.期刊[序号]作者.文献题名[J].刊名,出版年份,卷号(期号):起止页码.例:[1]王善朋,陶绪堂,董春明,等.加速坩埚旋转下降技术生长LiInS_2晶体[J].人工晶体学报,2007,36(1):8-13.     

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<正>根据中华人民共和国国家标准《文后参考文献著录规则》(GG7714-87),本刊的参考文献采用顺序编码制。对于文献有多个作者的,只著录前3位作者,从第4位开始用"等"(英译文中用"et al.")代替;文献条数尽量不超过15条。为便于国际交流,中文版要求:外文文献按外文著录;中文文献按中文著录的同时请提供英文对照。著录格式示例如下:1.期刊[序号]作者.文献题名[J].刊名,出版年份,卷号(期号):起止页码。     

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根据中华人民共和国国家标准《文后参考文献著录规则》(CG7714 - 87) ,本刊的参考文献采用顺序编码制。参考文献著录格式示例 (作者 3人以上的用缩写符号 :etal.等等 )1.期刊　　著者 .文献题名 [J].刊名 ,出版年 ,卷号 (期号 ) :页次 .例 :关铁堂 ,林景臻 ,林树坤 ,等 .马来酸氢十八酯晶体生长 [J].人工晶体学报 ,1992 ,2 0 (1) :5 .ArnoldWA ,WilcoxWR ,CarlsonF ,etal.TransportModesduringCrystalGrowthinaCentrifuge [J].JournalofCrystalGrowth ,1992 ,119(1- 2 ) :2 4 .2 .专著　　著者 .书名 [M].版本 ,出版地 :出版者 ,出…     

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根据中华人民共和国国家标准《文后参考文献著录规则》(CG7714-87),本刊的参考文献采用顺序编码制。参考文献著录格式示例(作者3人以上的用缩写符号:etal.等等)1.期刊著者.文献题名[J].刊名,出版年,卷号(期号):页次.例:关铁堂,林景臻,林树坤,等.马来酸氢十八酯晶体生长[J].人工晶体学报,1992,20(1):5.ArnoldWA,WilcoxWR,CarlsonF,etal.TransportModesduringCrystalGrowthinaCentrifuge[J].JournalofCrystalGrowth,1992,119(1-2):24.2.专著著者.书名[M].版本,出版地:出版者,出版年:页次.例:蒋民华.晶体物理[M].济南:山东科学技术出…     

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根据中华人民共和国国家标准《文后参考文献著录规则》(CG7714-87),本刊的参考文献采用顺序编码制。对于文献有多个作者的,只著录前3位作者,从第4位开始用等(英译文中用et al.)代替;文献条数尽量不超过15条。为便于国际交流,中文版要求:外文文献按外文著录;中文文献按中文著录的同时请提供英文对照。著录格式示例如下:     

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根据中华人民共和国国家标准《文后参考文献著录规则》(CG7714-87),本刊的参考文献采用顺序编码制。对于文献有多个作者的,只著录前3位作者,从第4位开始用"等"(英译文中用"et al.")代替;文献条数尽量不超过15条。     

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根据中华人民共和国国家标准《文后参考文献著录规则》(CG7714-87),本刊的参考文献采用顺序编码制。对于文献有多个作者的,只著录前3位作者,从第4位开始用"等"(英译文中用"et al.")代替;文献条数尽量不超过15条。     

Cr3+:LiCaAlF6晶体生长和激光特性

首次报道熔体提拉法生长Cr:LiCAF(Cr3+:LiCaAlF6)晶体的生长工艺,研制出质量较好的晶体尺寸达20～25×90～120mm.测定了晶体对809nm红外波段的吸收系数μ为10-2量级,晶体中无OH-.Cr:LiCAF可调谐灯泵激光器获得的宽带能量输出1.6J,阈值50.5J,调谐范围为730～848nm,用KD*P调Q,单脉冲宽度48ns,峰值功率达1.3×106W.     

硫化镓钡合成、生长及性能研究

利用硫过量双温区摇摆炉合成法来稳定合成BaGa4 S7 (BGS)多晶,并用此方法合成出的原料利用坩埚下降法生长BGS单晶.BGS的紫外和红外吸收边分别为350 nm和13.7 μm.在50℃时,它在a-,b-和c-方向的热导率分别为1.34 W/(m·K),1.58 W/(m·K)和1.68 W/(m·K).在1.064 μm、2.1 μm和9.85 μm时,它的激光损伤阈值分别为1.2 J/cm2,7.15 J/cm2和26.2 J/cm2.当泵浦光源在2.2 μm左右变化时,非临界相位匹配OPO输出波长在6～10μm之间.     

利用发射电子法经由热灯丝CVD在Si(100)上合成局域异质外延金刚石膜

本文利用发射电子法经由热灯丝CVD在Si(100)上获得了局域异质外延金刚石膜.由Raman背散射强度(在1332cm-1处)旋转角依赖关系表明,金刚石膜与Si(100)的定向关系为dia(100)∥Si(100)和dia[110]∥Si[110].在金刚石膜的成核阶段,位于衬底和灯丝之间的电极相对于灯丝施加一负偏压,获得的金刚石膜用扫描电镜和Raman谱表征.对实验结果进行了简要的讨论.     

无压烧结制备AlON透明陶瓷的性能表征

以纳米氧化铝粉和微米C粉为原料,通过碳热还原法合成AlON粉体,经无压烧结制备了AlON透明陶瓷,并对其微观组织、力学、热学和光学等性能进行了表征.结果表明:1875℃×24 h条件下无压烧结制备了平均晶粒尺寸为110 ～120 μm的AlON透明陶瓷,其室温抗弯强度为(275±25) MPa,室温比热容和导热系数分别为0.781 J/(g·K)和12.3 W/(m·K),该样品(1 mm厚)在1000 ～ 5000 nm波长范围内的直线透过率在80;左右,在3.93μm波长处光学透过率最高可达83.7;.     

大尺寸ZnGeP2晶体生长与中红外光参量振荡

采用垂直布里奇曼方法生长了ZnGeP2单晶体,晶体毛坯尺寸达φ30 mm×120mm.晶体在2.05μm吸收系数0.05cm-1,3～8 μm吸收系数0.01cm-1,光损伤阈值2.0±0.3 J/ cm2.利用2.05μm Tm,Ho:CdVO4激光器为泵浦源,脉冲重复频率10 kHz.当泵浦功率16.3 W时,3～5μm光参最振荡输出8.7 W,光-光转换效率为53;,斜率效率为64;.     

Bi2MoxW1-xO6固溶体的合成及其对RhB的光催化性能研究

采用一步水热法制得3D花球状Bi2MoxW1-xO6固溶体光催化剂,以X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、N2吸附-脱附、紫外可见漫反射(DRS)等方法进行表征.Bi2Mo0.25W0.75O6样品具有较大比表面积,其吸收边界值拓展为471 nm,促使光生电子-空穴对充分迁移到样品表面,生成·O2-等强氧化基团.在可见光照射下,以RhB为目标降解物考察Bi2 Mox W1-x O6光催化活性.结果表明:当Mo/W摩尔比为1/3,pH=5时,Bi2 Mo0.25 W0.75 O6固溶体表现出优越的光催化活性,反应120 min后对RhB降解率达86.2;,经五次循环仍保持81;以上.