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一、引言多孔硅室温下较强的光致发光现象给全硅大规模光电集成电路和硅基发光器件的开发带来曙光,但要把它变为现实仍有许多问题要解决,就以发光机理为例,仍有不同意见[1].为此必须深入研究其特性,为探讨发光机理提供依据.已有作者观察到发光畴区[2],测得多孔硅成分近于二氧化硅[3],观察到快和慢的发光带[4]以及证实自然氧化引入新的表面态[5]等.但迄今为止测量的均为晾干后的多孔硅,而未深究在空气中贮存干燥过程中形貌的变化.本文对多孔硅在空气中贮存初期表面形貌的变化做了显微观测和探讨.还尝试测量了多孔硅/硅的界面特性.二… 相似文献
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金刚石膜/多孔硅复合材料的性能表征 总被引:4,自引:2,他引:2
提出了一种新颖的多孔硅表面钝化技术,即采用微波等离子体辅助的化学气相沉积(MPCVD)方法在多孔硅上沉积金刚石薄膜。采用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、拉曼光 谱仪和荧光分光度计对多孔硅及金刚石膜的表面形貌、结构和发光特性进行了表征。结果表明采用微波等离子体化学气相沉积法可在多孔硅基片上形成均匀、致密、性能稳定且对可见光具有全透性的金刚石膜。金刚石膜与多孔硅的复合,大大稳定了多孔硅的发光波长和强度,同时增强了多孔硅的机械强度。 相似文献
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多孔硅/多孔氧化铝与PVK复合光致发光特性 总被引:1,自引:1,他引:1
用旋涂法实现了多孔硅、多孔氧化铝与聚乙烯咔唑(PVK)的复合,研究了多孔硅/PVK、多孔氧化铝/PVK复合体系的光致发光性能。PL谱的测试发现,多孔硅/PVK复合体系的PL谱同时具有多孔硅和PVK的发射峰。此外,在485nm的位置出现了一个新峰,讨论了这个峰的来源。而多孔氧化铝与PVK复合后,没有产生新的峰。但多孔氧化铝与PVK复合后,由于多孔氧化铝纳米孔的纳米限制效应使PVK的发光峰出现大幅度蓝移。从多孔硅与多孔氧化铝发光机制的不同出发,讨论了多孔硅、多孔氧化铝与PVK复合后产生不同结果的原因。 相似文献
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Low‐Temperature Saw Damage Gettering to Improve Minority Carrier Lifetime in Multicrystalline Silicon 下载免费PDF全文
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Blue Photoluminescence of Oxidized Films of Porous Silicon 总被引:1,自引:0,他引:1
V. V. Filippov P. P. Pershukevich V. V. Kuznetsova V. S. Khomenko L. N. Dolgii 《Journal of Applied Spectroscopy》2000,67(5):852-856
It is found that the films of n
+-type porous silicon of low (10–50%) porosity exhibit photoluminescence in the region 400–500 nm after a 5-month storage in an air atmosphere. The spectrum of blue photoluminescence of the least porous but strongly oxidized films has maxima at 417, 435, and 465 nm. The same spectrum structure manifests itself upon the introduction of an Er3+- and Yb3+-containing complex. The mechanisms of blue photoluminesence are discussed. 相似文献
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多孔硅的光致发光机制 总被引:1,自引:1,他引:1
人们已经提出了许多解释多孔硅发光的理论模型,每个模型都可以针对某些实验现象做出合理的解释,而对其他的实验结果就可能无法解释甚至相悖,因此多孔硅的发光机制至今仍是需要进一步研究和解决的问题。通过改变阳极氧化的条件,制得了一系列样品,其光致发光谱主要有四个峰。随着制备条件的改变,各个峰位的变化不大,但峰值强度比的变化比较大。随着自然氧化时间的延长,各个峰位的变化很小,有红移也有蓝移,有的则基本不变;而峰值强度的减弱幅度较大,但对应于各个峰位幅度的减弱是均衡的。分析实验现象产生的原因,认为多孔硅的发光是多种发光机制共同作用的结果;多孔硅纳米量子线的一定尺寸分布,不仅使光致发光谱存在一定的带宽,而且也是产生多峰现象的原因之一;多孔硅的结构特征对其发光特性起着决定性的作用。 相似文献
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本文报导了多孔硅的拉曼散射和光致发光的研究。给出了多孔硅的拉曼和光致发光谱之间的对应关系,根据拉曼峰的移动,估算了多孔硅量子线横截面的平均尺度为2.1~4.2nm。 相似文献
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多孔硅的制备条件对其光致发光特性的影响 总被引:1,自引:1,他引:1
不同的实验条件下制备的多孔硅的光致发光(PL)特性是不同的,这是许多研究产生分歧的主要原因。对比分析了阳极氧化电流密度、阳极氧化时间、溶液浓度以及自然氧化时间对多孔硅光致发光光谱的影响。认为在一定的范围内,多孔硅的发光峰位会随电流密度的增大而蓝移,要获得较强的发光,需要选择合适的电流密度;随着腐蚀时间的延长,多孔硅的发光峰位也发生蓝移。当HF酸的浓度较小时,峰位随浓度的增大表现为向低能移动;而当HF酸的浓度较大时,峰位随浓度的增大则表现为移向高能。多孔硅在空气中自然氧化,其发光峰位发生蓝移,而发射强度随放置时间的延长而降低。并用量子限制模型和发光中心模型对实验结果进行解释。 相似文献
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T. V. Voloshina I. V. Kavetskaya V. A. Karavanskii 《Journal of Applied Spectroscopy》2004,71(1):89-93
The influence of surface treatment of porous silicon in iodine-containing solutions on its photoluminescent properties has been investigated. The porous silicon samples were prepared by anodizing in HF-based electrolytes and placed in fluoride-hydrogen solutions with the addition of iodine immediately after their formation. The surface condition was controlled by IR Fourier spectroscopy methods in the 400–4000-cm–1 range. It has been established that the result of the porous silicon treatment in iodine-containing solutions is a decrease in the intensity of Si–H
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-bonds without the appearance of additional vibrations in the range under investigation. At the same time, such a treatment substantially affects the spectrum and intensity of porous silicon photoluminescence and increases its stability in subsequent storage. The possible reasons for the revealed phenomena are discussed. 相似文献
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硅发光对于在单一硅片上实现光电集成是至关重要的.目前已有的使硅产生发光的方法有:掺杂深能级杂质、掺稀土离子、多孔硅、纳米硅以及Si/SiO2超晶格.声空化所引发的特殊的物理、化学环境为制备光致发光多孔硅薄膜提供了一条重要的途径.实验表明,声化学处理对于改善多孔硅的微结构,提高发光效率和发光稳定性都是一项非常有效的技术.超声波加强阳极电化学腐蚀制备发光多孔硅薄膜,比目前通用的常规方法制备的样品显示出更优良的性质.这种超声波的化学效应源于声空化,即腐蚀液中气泡的形成、生长和急剧崩溃.在多孔硅的腐蚀过程中,由于超声波的作用增加了孔中氢气泡的逸出比率和塌缩,有利于孔沿垂直方向的腐蚀,使多孔硅光致发光峰的半峰全宽压缩到了3.8nm. 相似文献