用反差确定电子束曝光剂量与刻蚀深度的关系

为了精确地确定电子束曝光剂量与刻蚀深度间的关系,根据抗蚀剂的灵敏度曲线,采用反差经验公式来确定剂量与刻蚀深度间的关系。选用正性抗蚀剂PMMA进行曝光实验,将计算值进行曲线拟合,得到的关系曲线与实验结果基本相符。当剂量在20~35 μC/cm2间时,实验值与计算值间的差值最小,说明当剂量在此范围内时该方法能够更加精确地确定剂量与刻蚀深度间的关系。采用该方法节省了实验时间,提高了刻蚀效率。     

电子束重复增量扫描曝光技术

 提出了电子束重复增量扫描曝光技术新概念,对吸收能量密度与深度和曝光剂量之间的关系、溶解速度与吸收能量密度之间的关系进行了理论分析,发现溶解速度随曝光剂量增加而增大。以此为依据,在SDS-3型电子束曝光机上采用20 keV能量的电子束对570 nm厚的聚甲基丙烯酸甲酯进行了7次重复增量扫描曝光实验,得到了轮廓清晰的梯锥和圆锥3维结构,证明了电子束重复增量扫描曝光技术的可行性,为电子束加工3维结构提供了新工艺。     

电子束重复增量扫描曝光技术

提出了电子束重复增量扫描曝光技术新概念,对吸收能量密度与深度和曝光剂量之间的关系、溶解速度与吸收能量密度之间的关系进行了理论分析,发现溶解速度随曝光剂量增加而增大。以此为依据,在SDS-3型电子束曝光机上采用20 keV能量的电子束对570 nm厚的聚甲基丙烯酸甲酯进行了7次重复增量扫描曝光实验,得到了轮廓清晰的梯锥和圆锥3维结构,证明了电子束重复增量扫描曝光技术的可行性,为电子束加工3维结构提供了新工艺。     

电子束和X射线双曝光制作大高宽比高分辨率的X射线波带片

介绍了利用电子束和 X射线束双曝光技术制作大高宽比高分辨率的 X射线聚焦或色散元件的新方法 (波长范围为 1～ 5 nm )。所制做的厚度为 10μm的 Au波带片具有 30个波带 ,最外环的宽度为 0 .5μm。实验表明 :对 8ke V的X射线来说 ,波带片的衬度大于 10 ,分辨率为 0 .5 5μm,焦距为 2 1.3cm。     

高能电子束对抗蚀剂曝光的Monte Carlo模拟

利用分段散射模型, 借助Monte Carlo方法模拟了具有高斯分布特征的 高能入射电子束(50keV≤E₀≤100keV)在抗蚀剂中的 散射过程, 分别得到了不同曝光条件下的电子背散射系数和能量沉积分布, 模拟结果与实验结果很好地符合. 在这一能量段, 当电子束能量越高、抗蚀剂 越薄、基片材料的原子序数越低时, 邻近效应越弱. 本文的模拟结果不仅能为高能电子束光刻工艺优化曝光条件、降低邻近效应提供理论指导, 而且能为进一步的邻近效应的校正提供更精确的数据.     

面向窄线宽超导纳米线单光子探测器的电子束曝光技术

超导纳米线单光子探测器是新型超导电子器件,因其具有高探测效率、低暗计数及低时间抖动等优势,在量子信息、激光雷达等方面已得到广泛的应用.目前主流超导纳米线单光子探测器主要工作在1.5μm以下的可见光和近红外波段.中红外波长的红外探测技术在基础科学、医学、日常生活以及军事等广泛领域发挥着重要作用,中红外单光子探测器可以使得中红外波段探测技术进入量子极限灵敏度.根据超导纳米线单光子探测器探测机理,超窄线宽的纳米线条可以提升超导纳米线单光子探测器在中红外波长的灵敏度.电子束曝光技术是目前实现超导纳米线单光子探测器纳米线线条加工的主流技术,电子束抗蚀剂种类繁多,面向超窄线宽超导纳米线单光子探测器器件的制备需求,对两款抗蚀剂进行性能测试表征,和窄纳米线制备尝试.根据负性电子束抗蚀剂MaN-2401在制备窄线宽时的显著优点,优化工艺,利用其成功制备出50 nm线宽超导纳米线单光子探测器并成功实现了2000 nm的单光子响应.     

基于微芯片的透射电子显微镜的低温纳米精度电子束刻蚀与原位电学输运性质测量

利用微芯片制备技术制备了带有电极的原位电学薄膜芯片,并结合自制的原位透射电镜样品台,实现了低温下透射电子显微镜聚焦电子束对InAs纳米线的精细刻蚀以及不同温度下的原位电学性能测量.研究发现,随着刻蚀区域截面积的减小,纳米线的电导率也随之减小.当纳米线的截面积从大于10000 nm2刻蚀至约800 nm2时,纳米线电导的减小速率与截面积的减小具有线性关系.同时利用低温聚焦电子束刻蚀,在InAs纳米线上原位制备了一个10 nm的纳米点,并在77与300 K下对该纳米点进行了电学性能测量.通过测量发现在77 K时出现库仑阻塞效应,发生了电子隧穿现象;而300 K时,热扰动提供的能量使这种现象消失.     

电阻热蒸发镀膜与电子束蒸发镀膜对纳米球刻蚀方法制备二维银纳米阵列结构的影响

在使用纳米球刻蚀法制备二维银纳米点阵的过程中,使用不同的镀膜方法在同样的模板上得到了不同形貌的银纳米阵列结构.使用电阻热蒸发镀膜方法获得了六角排列的银纳米三角形阵列结构,使用电子束蒸发镀膜方法则获得了六角排列的银纳米环阵列结构.研究表明,沉积纳米粒子的粒径、表面纳米曲率效应和热能是形成不同结构形貌的纳米阵列结构的关键因素. 关键词： 银纳米阵列 电阻热蒸发 电子束蒸发 纳米球刻蚀     

电子束辐照烟气脱硫脱氮反应器中的剂量分布的模拟计算

采用Monte-Carlo程序EGSnrcMP对能量为0.8MeV的电子束辐照烟气脱硫脱硝反应器中的剂量分布进行了模拟计算,将计算的结果运用MATLAB数学分析软件进行了数据处理,对能量为0.5MeV的电子束辐照烟气脱硫脱硝反应器中的剂量分布进行了模拟计算,并与文献中实验测量值进行了比较。结果表明:采用EGSnrcMP程序计算所得到的剂量与实验结果吻合。     

电子束辐照烟气脱硫脱氮反应器中的剂量分布的模拟计算

采用Monte-Carlo程序EGSnrcMP对能量为0.8 MeV的电子束辐照烟气脱硫脱硝反应器中的剂量分布进行了模拟计算,将计算的结果运用MATLAB 数学分析软件进行了数据处理,对能量为0.5 MeV的电子束辐照烟气脱硫脱硝反应器中的剂量分布进行了模拟计算,并与文献中实验测量值进行了比较。结果表明：采用EGSnrcMP程序计算所得到的剂量与实验结果吻合。     

Diamond surface modification following thermal etching of Si supported hydrogenated diamond films by DBr

In this work, we study the modification of hydrogenated diamond films deposited on silicon resulting from its exposure to DBr followed by an annealing above 600 K, using high resolution electron energy loss spectroscopy (HREELS). This procedure results in silicon carbide SiC formation within the diamond film, as evidenced by the observation of a loss peak at 117 meV and its first harmonic at 233 meV in HREEL spectra. This diamond surface modification is interpreted as resulting from the reaction of products of the silicon support thermally activated etching with hydrogenated diamond.     

Focal depth and focal splitting of truncated hyperbolic-cosine-Gaussian beam induced by phase plate

Focal depth and focal splitting of hyperbolic-cosine-Gaussian beams induced by a phase plate were investigated. The pure phase plate consists of three concentric zones: a center circle zone, an inner annular zone and an outer annular zone. The phase variance of the inner annular zone is adjustable. Simulation results show that the focal depth can be adjusted by changing the radii of zones. With the increase of the inner radius of the outer annular zone, the focal spot broadens along the optical axis and splits into two peaks. Then the two peaks combine back into one peak. There are two critical values for the inner radius of the outer annular zone, at which focal spot changes sharply. The tunable range of the focal depth varies considerably. The phase variance of the inner annular zone affects focal depth also; when the phase variance is π, the effect attains maximum. The parameters of cosh parts of the beam affect both focal splitting and focal depth evidently; focal splitting disappears with increasing parameters of cosh parts, and focal depth increases with increasing the parameters of cosh parts in both the low and the high numerical-aperture optical systems.     

Analysis of the relationship between neutron dose and Cerenkov photons under neutron irradiation through Monte Carlo method

To theoretically explore the feasibility of neutron dose characterized by Cerenkov photons, the relationship between Cerenkov photons and neutron dose in a water phantom was quantified using the Monte Carlo toolkit Geant4. Results showed that the ratio of the neutron dose deposited by secondary electrons above Cerenkov threshold energy to the total neutron dose is approximately a constant for monoenergetic neutrons from 0.01 eV to 100 eV. With the initial neutron beam energy from 0.01 eV to 100 eV, the number of Cerenkov photons has a good correlation with the total neutron dose along the central axis of the water phantom. The changes of neutron energy spectrum and mechanism analysis also explored at different depths. And the ratio of total neutron dose to the intensity of Cerenkov photons is independent of neutron energy for neutrons from 0.01 eV to 100 eV. These findings indicate that Cerenkov radiation also has potential in the application of neutron dose measurement in some specific fields.     

工作气压对电子束沉积ZrO2薄膜折射率和聚集密度的影响

采用电子束蒸发的方法,用石英晶体振荡法监控薄膜的蒸发速率,在不同工作气压下制备了ZrO2薄膜样品.在相调制型椭圆偏振光谱仪和分光光度计上对样品的光谱特性进行了测试.根据波长漂移的理论,计算出薄膜的聚集密度.结果表明,随着工作气压的降低,薄膜的聚集密度和折射率都随之增大.     

激光辐照VO2薄膜温度场分布及透射特性研究

为了探究VO₂薄膜受激光辐照的温度场分布,以及1 064 nm激光直接辐照100 s内至相变的激光功率密度阈值,并比较近红外和中红外波段透过率调制特性差异。首先基于COMSOL建立了薄膜受激光辐照的模型并进行了温度场仿真,然后分别测试了薄膜正反面被不同功率密度的1 064 nm激光辐照100 s内激光透过率随时间响应特性。实验中的VO₂薄膜利用分子束外延法在Al₂O₃基底上制备得到。仿真结果表明,激光功率密度为25 W·mm^-2时,50 nm厚薄膜在被辐照1 ms时间内即达到相变温度。经激光辐照实验发现:50 nm厚的VO₂薄膜正反面受1 064 nm激光直接辐照100 s内至相变的功率密度阈值分别为4.1 W·mm^-2和5.39 W·mm^-2。30 nm厚VO₂薄膜对1 064 nmn激光的透过率调制深度约为13%,对3 459 nm激光透过率调制深度约62%,说明VO₂薄膜对近红外透过率调制特性不明显。     

Prediction of Γ-L and L-X crossovers in Ga<Subscript>x</Subscript>Al<Subscript>1-x</Subscript>Sb alloys by empirical pseudopotential method

Using empirical pseudopotential method Γ-L crossover is found for the Ga_0.74Al_0.26Sb. The conduction band minimum is observed to switch at the (0.87, 0, 0) point for Ga_0.51Al_0.49Sb which shifts to the X point for Ga_0.21Al_0.79Sb and remains at X leading finally to indirect band gap in AlSb. Band structure calculations for a large number of alloys are performed and bowing parameters b_X and b_L are proposed for the E_X and E_L respectively. Our findings may serve as directive to select the materials in a range of composition to examine the bowing parameters and thereby effective mass experimentally for the Ga_xAl_1-xSb alloys.