点光源实现圆弧光源的研究

简要介绍点光源形成圆弧形光源的方法，实验过程及方案的改进，定性地分析了点光变弧形光的光照均匀性。同时介绍了用于１：１反射扫描光刻机的弧形光源结构。     

150nm成像的0.7NA远紫外步进扫描系统

为了拓展KrF光刻在小于 1 80nm的SIA设计规则技术阶段的制造能力 ,需要一种最大 0 7NA透镜的远紫外步进扫描曝光系统来提供足够的工艺容限。面临着SIA的 1 5 0nm设计规则技术阶段 ,采用 2 48nm光刻的制造难题包括接触孔复印 ,疏密图形偏差控制以及可满足全视场CD的均匀性。所有这些均得益于更大数值孔径的透镜。论述了在一台PAS5 5 0 0 / 70 0B远紫外步进扫描系统中取得的实验结果。该机的设计是在PAS5 5 0 0 / 5 0 0机的基础上 ,采用一种新的 0 7NAStarlithTM透镜、AERIALTMⅡ型照明系统和先进的ATHENA对准系统组成。得出了 1 80nm和 1 5 0nm以及更小尺寸的密集和单线条图形、1 80nm和 1 6 0nm接触孔图形的成像结果。除成像性能外 ,还得出了像平面偏差 ,系统畸变标记、单机套刻和多机套刻结果。对于ATHENA对准系统、对准重复性以及在CMP加工后的片子上的套刻结果也给予展示。这种曝光设备可提供 1 5 0nm设计规划技术阶段批量生产要求的成像能力和套刻性能 ,并具有应用于更小设计规则研究与开发的潜力     

在全视场步进扫描曝光机上进行193nm光刻

评价了先进的 1 93nm抗蚀剂材料在全视场步进扫描系统中的光刻性能。对单层和双层抗蚀剂进行了性能和复杂性的比较。通过对最佳照明条件 (NA ,σ)的研究 ,提出了一种增大工艺窗口和减少疏、密图形偏差的方法。移相掩模的应用证明了1 93nm光刻技术对 1 0 0nm工艺段的拓展能力。     

双光源DMD数字光刻系统

基于DMD数字光刻系统,建立了一种新型的双光源DMD数字光刻系统.双光源DMD数字光刻系统由光源照明系统、DMD数字微镜、投影物镜以及CCD调焦系统等几个部分组成.实验表明,与DMD数字光刻系统相比,双光源DMD数字光刻系统具有调焦点不被曝光的优点,可用于制作光纤端面微光学器件.     

光学光刻技术的历史演变

简要回顾了光学光刻技术的发展历程,从IC技术节点微细化要求对光刻技术的挑战方面讨论了光学光刻技术的发展趋势及进入32nm技术节点的可能性。     

步进扫描投影光刻机中的曝光剂量控制技术研究

讨论了步进扫描投影光刻机中的曝光剂量控制技术 ,详细阐述了步进扫描投影光刻机中的曝光剂量控制原理 ,提出了一种曝光剂量控制算法。实验表明 ,应用此剂量控制技术使系统的曝光剂量控制精度达到 1.3 7% ,剂量重复精度达到 0 .3 1% ,满足亚半微米光刻图形的曝光剂量控制要求     

集成电路光刻镜扫描控制系统

用同步辐射光源进行大规模集成电路和微器件光刻是现阶段的一项高新技术,本文介绍同步辐射光刻的镜扫描控制系统,它的设计思想,所采用的方法以及最优控制等都具有科技应用和经济价值。     

用于光刻的EUV光源

对国际上普遍采用的两种EUV光源:放电等离子体源(DPP)和激光等离子体源(LPP)进行了多方面比较.给出了两种等离子体源各自优点及难以克服的困难.基于目前的测量结果,指出了ECR等离子体有潜力成为一种新型的极紫外辐射源.     

大面积循环扫描投影光刻对准系统设计和分析

设计了大面积循环扫描投影光刻的高精度对准系统,由CCD传感器、图像识别软件和共焦显微镜组成的光学测量系统和对掩模和基片的相对位置作二维和角度及时修正的精密定位系统两部分组成.标记图像的二维方向扫描分别借助光刻平台的移动和振镜的高频振动来完成.理论分析了标记位矢对准、共焦成像和CCD信号相关双采样关键技术.根据掩模和基片对应位矢的夹角余弦值大小控制基片的旋转和平动,对准更方便快捷;由共焦成像系统二维响应函数的推算,针孔滤波对提高成像分辨率很重要;对CCD像元电荷包实时准确地采样,是排除噪声干扰的关键.     

Soft‐Contact Optical Lithography Using Transparent Elastomeric Stamps and Application to Nanopatterned Organic Light‐Emitting Devices

Conventional photolithography uses rigid photomasks of fused quartz and high‐purity silica glass plates covered with patterned microstructures of an opaque material. We introduce new, transparent, elastomeric molds (or stamps) of poly(dimethylsiloxane) (PDMS) that can be employed as photomasks to produce the same resist pattern as the pattern of the recessed (or non‐contact) regions of the stamps, in contrast to other reports in the literature^[1] of using PDMS masks to generate edge patterns. The exposure dose of the non‐contact regions with the photoresist through the PDMS is lower than that of the contact regions. Therefore, we employ a difference in the effective exposure dose between the contact and the non‐contact regions through the PDMS stamp to generate the same pattern as the PDMS photomask. The photomasking capability of the PDMS stamps, which is similar to rigid photomasks in conventional photolithography, widens the application boundaries of soft‐contact optical lithography and makes the photolithography process and equipment very simple. This soft‐contact optical lithography process can be widely used to perform photolithography on flexible substrates, avoiding metal or resist cracks, as it uses soft, conformable, intimate contact with the photoresist without any external pressure. To this end, we demonstrate soft‐contact optical lithography on a gold‐coated PDMS substrate and utilized the patterned Au/PDMS substrate with feature sizes into the nanometer regime as a top electrode in organic light‐emitting diodes that are formed by soft‐contact lamination.