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六氰合铁酸铜钴-多壁碳纳米管修饰电极研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用电沉积方法制备六氰合铁酸铜钴-多壁碳纳米管复合修饰电极(CuCoHCF-MWCNTs/GCE).研究碳纳米管用量、电解液组成对该修饰电极性能的影响.结果表明,与单一的六氰合铁酸铜钴薄膜修饰电极相比,六氰合铁酸铜钴-多壁碳纳米管复合修饰电极具有更优良的电化学特性,以其催化氧化过氧化氢,峰电流与过氧化氢浓度在3.16×10-5~2.92×10-3mol·L-1范围内呈良好的线性关系,线性回归方程为ip(μA)=0.5529+1.1299C(×10-4mol·L-1),相关系数r=0.9966,检出限为1.75×10-5mol·L-1. 相似文献
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阿霉素在纳米钴/碳纳米管/ITO修饰电极上的电化学行为 总被引:1,自引:1,他引:1
以固定在氧化铟锡(ITO)电极上的多壁碳纳米管为基底吸附纳米钴,制备了复合纳米材料修饰的电极(Co/CNT/ITO)。采用扫描电子显微镜(SEM)和电子能谱(EDS)等对其进行了表征。用纳米钴/碳纳米管/ITO电极,研究了阿霉素(ADM)的电化学行为。实验表明,该体系具有吸附性的不可逆过程,峰电位为-0.65V(vs.Ag/AgCl),峰电流与ADM浓度在1.0×10-9~5.0×10-7mol/L范围内呈线性关系;检出限为1.0×10-9mol/L。本法灵敏、简便。 相似文献
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铜镍和铜钴合金电极在碱性介质中的光电化学 总被引:5,自引:0,他引:5
用动电位伏安法对含镍量10%、30%和50%的铜镍合金以及含钴量5.1%、9.7%、15 %、25%和40%的铜钴合金电极在硼砂-硼酸缓冲溶液(pH 8.5)中的光电化学行为进行了 研究.铜镍合金和铜钴合金均显示p-型光响应,铜镍合金的光响应来自Cu2O,铜钴合金的光 响应来自Cu2O和氧化钴.含镍量10%和30%的铜镍合金电极以及含钴量5.1%铜钴合金电极的 最大光电流iph,max均大于纯铜电极,含钴量15%、25%和40%的铜钴合金电极以及含镍量 50%的铜镍合金电极由于电极表面相当一部分面积分别被氧化钴和氧化镍所占有,iph,max 小于纯铜电极.铜镍合金电极的φv值(电位负向扫描过程中电极表面完全还原为Cu时的电位 )负于纯铜电极,而铜钴合金电极的φv值与纯铜电极大致相等, NiO的存在致使铜镍合金 表面Cu2O膜具有更大的稳定性.从光电化学角度通过φv和iph,max反映铜合金的耐腐蚀性能 与交流阻抗法测得的结果相符. 相似文献
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将固体多壁碳纳米管置于10g·L-1叫六偏磷酸钠溶液中,通过超声搅拌制成均匀分散的悬浮液.取此悬浮液10μL,滴加于经抛光的玻碳电极的表面,在红外灯下烘干后即制成多壁碳纳米管修饰的玻碳电极(CNT/GCE).在pH 7.0的磷酸盐缓冲介质中,6-巯基嘌呤(6-MP)在0.357 V(vs.Ag/AgC1)处出现一灵敏的氧化峰,其峰电流(Ip)与6-MP浓度在5×10-7~1×10-4mol·L-1叫之间呈线性关系,检出限为5.0×10-8mol·L-1.应用此方法测定了3个模拟血清样品中6-MP含量,并测得方法的回收率在98.0%~104.7%之间.在6-MP浓度水平为1×10-5mol·L-1叫的条件下,测得方法的RSD(n=10)为4.2%. 相似文献
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α-萘胺在多壁碳纳米管-DHP膜修饰电极上的电化学行为及其测定 总被引:7,自引:0,他引:7
研究了α-萘胺在多壁碳纳米管-DHP膜修饰电极上的电化学行为,发现多壁碳纳米管-DHP膜能显著提高α-萘胺的氧化峰电流。据此,建立了一种直接测定α-萘胺的高灵敏电分析方法。此方法测定α-萘胺的线性范围为4.5×10-7~2.0×10-5mol/L;开路富集2 min后,其检出限为2.0×10-7mol/L;对浓度为5.0×10-6mol/Lα-萘胺测定的相对标准偏差为5.9%(n=6)。本法已用于长江水样中α-萘胺的测定,回收率为97.5%~104.2%。 相似文献
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采用滴加单壁碳纳米管(SWCNTs)悬浮液和电沉积钴配合物[Co(phen)3]2+(phen=邻菲啰啉)的方法,制备了钴配合物-单壁碳纳米管修饰玻碳电极([Co(phen)3]2+-SWCNTs/GCE),研究了尿酸(UA)在该修饰电极上的电化学行为。结果表明,修饰电极对UA具有良好的电催化作用,在1~249μmol·L-1浓度范围内,氧化峰电流与UA浓度之间存在良好的线性关系,检出限(S/N=3)为1μmol·L-1,加标回收率在98%~102%之间。该修饰电极的稳定性和重现性好,可用于UA的定量分析。 相似文献
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制备了单壁碳纳米管/金-四氧化三铁纳米粒子复合材料修饰玻碳电极,用循环伏安法研究了对硫磷在该电极上的电化学行为。该电极对对硫磷具有较好的富集和催化特性,在优化条件下,对硫磷的浓度与其峰电流在2.0×10-9~1.0×10-6 mol/L范围内呈线性关系,其检出限为1.0×10-9 mol/L。对1.0×10-7 mol/L的对硫磷溶液平行测定9次的RSD为3.9%(n=9)。用该电极对不同蔬菜样品中的对硫磷进行测定,平均回收率在96.0%~105.5%之间,相对标准偏差在3.3%~3.9%之间。 相似文献
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碳纳米管/铜纳米结构电极材料在葡萄糖检测中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
利用电化学沉积法制备了碳纳米管/铜纳米结构电极材料, 采用扫描电子显微镜和电化学方法对电极表面的形貌和电化学性质进行了表征. 结果表明, 碳纳米管/铜纳米结构电极材料具有较大的电化学活性表面积、 高稳定性、 良好的导电性以及高葡萄糖电氧化活性, 有望用于葡萄糖的检测. 相似文献
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马兜铃酸在钴离子注入修饰电极上的电化学行为及其应用 总被引:5,自引:0,他引:5
马兜铃酸在 0 .2mol/LHAc -NaAc缓冲溶液 (pH 4.6)中 ,用钴离子注入修饰电极为工作电极进行伏安测定 ,得到一良好的还原峰 ,峰电位为 -0 .71V(vs .SCE) ,峰电流与马兜铃酸的浓度在 1.2× 10 - 7~ 3 .7×10 - 5mol/L之间呈线性关系 ;检出限为 8.6× 10 - 8mol/L。用于人工合成试样的测定 ,结果满意。用线性扫描、循环伏安法研究了体系的性质。结果表明 :马兜铃酸的电极过程是具有吸附性的不可逆过程。用AES和XPS表面分析技术对注入电极表面和未注的玻碳电极表面进行了表征 ,探讨了离子注入电极的催化性质 相似文献
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应用循环伏安法和线性扫描伏安法研究了双氯芬酸钠在多壁碳纳米管修饰电极上的电化学行为,建立了一种直接测定双氯芬酸钠的电分析方法.在0.1 mol/L HClO4溶液中,双氯芬酸钠的氧化峰电位在0.38 V(vs Ag/AgCl),峰电流与浓度在2.0×10-7 mol/L~7.0 × 10-6 mol/L范围内呈线性关系,开路富集3 min后检出限为9.0×10-8 mol/L.5×10-6 mol/L双氯芬酸钠溶液平行测定10次的相对标准偏差(RSD)为4.5%.已用于扶他林片剂中双氯芬酸钠的测定. 相似文献
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制备了多壁碳纳米管-离子液体修饰碳糊电极(MWCNTs-ILs/CPE),并以对乙酰氨基酚(PA)为电催化媒介,研究了谷胱甘肽(GSH)在该修饰电极上的电化学行为。结果表明,GSH能明显增强PA在MWCNTs-ILs/CPE上的电化学响应,且示差脉冲伏安法(DPV)的氧化峰电流与其浓度在7.50×10-7~1.00×10-4 mol/L范围内呈良好线性关系,检测限(S/N=3)为1.65×10-7 mol/L。该方法简单、快速、灵敏,用于含GSH药物的测定,加标回收率为99.5%~101.8%。 相似文献
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土霉素在碳纳米管修饰电极上的电化学行为研究及其测定 总被引:9,自引:0,他引:9
研究了土霉素 (OTC)在 MWNT修饰电极上的伏安行为 ,优化了测定参数 ,在此基础上建立了一种直接测定土霉素的电化学分析方法。还原峰电流与土霉素的浓度在 2× 1 0 - 7~ 5× 1 0 - 5mol/L之间有很好的线性关系。开路富集 2 min后的检出限为 5× 1 0 - 8mol/L。用此方法测定了土霉素片剂中土霉素的含量 ,结果满意 相似文献
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用不同方法制备了四种修饰电极,酪氨酸在聚5-磺基水杨酸/多壁碳纳米管电极上的电化学响应明显优于裸玻碳电极和其他修饰电极.运用多种电化学方法研究了酪氨酸在电极上的电化学行为,结果表明:酪氨酸在电极上的反应是电子数和质子数均为1的扩散控制的不可逆氧化过程,氧化峰电流与酪氨酸的浓度在9.0×10-6~2.0×10-4mol/L的范围内呈良好的线性关系,IP(A)=-1.61×10-9-2.54×10-4c(mol/L),相关系数R=-0.9950,检出限为6.0×10-6mol/L.平均回收率为99.53%. 相似文献