基于LDA-CPSO-SVM优化的多层胶接结构脱粘缺陷识别方法

将太赫兹时域光谱技术与支持向量机算法相结合,对多层胶接结构的脱粘缺陷识别方法进行研究.一方面通过线性判别分析法对太赫兹时域光谱系统提取的14种太赫兹时域特征参数进行降维,使多层胶接结构胶层中正常区域、脱粘区域及边缘区域的分类精度提高了20.3％;另一方面采用混沌粒子群法对支持向量机的核函数进行寻优,使胶层Ⅰ分类正确率提...     

厚胶层复合材料弱粘接结构的超声反射特性

开展了复合材料粘接结构粘接质量的非接触式超声反射特性的仿真与实验研究。首先,建立了水浸环境下纤维增强复合材料(FRP)单层板时域仿真模型,数值分析了不同入射角度下声反射系数频率谱的变化规律,并与已有理论方法进行了对比验证。基于此,建立了含厚胶层的复合材料粘接结构反射特性时域仿真模型,分析了粘接界面弱化程度对超声反射系数频谱特征点的影响规律。基于水浸超声反射特性测量系统,实验萃取了完好粘接状态的FRP粘接结构的超声反射系数频谱,与仿真结果吻合良好。随后,制备了具有不同粘接界面状态特征的FRP粘接结构试样,从实验角度揭示了单/双粘接界面弱化状态与超声反射特性间规律性的偏移特征。基于不同粘接状态与超声反射特性间的规律性分布特征,可为厚胶层复合材料粘接结构的粘接质量评估提供新的研究思路。     

金刚石膜与Si衬底间过渡层的结构稳定性

用热丝化学汽相沉积(HFCVD)技术在si(111)和si(100)衬底上获得了高质量的金刚石膜。并随着生长时间的增加,利用X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)研究了过渡层中碳硅化合物组分的变化及其作用。同时提出渐变过渡层:Si/Si_1-xC_x/SiC/Si_yC_1-y/金刚石模型。当组分参量x与y在0.1—0.25之间取值时,用Keating方法给出了系统的稳定结构。 关键词：     

多层胶接结构胶层空气缺陷的太赫兹无损检测

利用建筑材料、隔热垫和胶粘剂制作了胶层中含人工空气缺陷的三层胶接结构,并利用SynViewScan 300连续太赫兹成像系统对样件进行了检测。通过分析胶接面的太赫兹二维图像及缺陷处和正常胶粘处的单点纵向信号,获得了胶层空气缺陷的位置和大小信息。结果表明,连续太赫兹波成像系统可以清晰识别胶接结构中的胶层空气缺陷。     

不同衬底对单层二硫化钼光学性质的影响研究

我们通过化学气相沉积法成功地在石英、蓝宝石和SiO_2/Si衬底表面生长出单层二硫化钼,然后将SiO_2/Si表面的样品转移到金膜和另一片SiO_2/Si衬底表面,并对这四种不同衬底上的单层二硫化钼的荧光光谱和拉曼光谱进行研究.结果发现不同的衬底可以通过两种方式影响二硫化钼的拉曼和荧光光谱:一是应力作用使E12g拉曼特征峰发生移动,同时改变直接带隙的带宽;二是不同类型的掺杂影响A1g拉曼特征峰位,并改变光跃迁中的中性激子辐射复合和带电激子辐射复合过程的比重,从而使荧光光谱中的A1峰位发生移动.     

InAs单层和亚单层结构中的自旋动力学研究

利用偏振时间分辨光谱和时间分辨Kerr旋转谱，研究了GaAs中的InAs单层和亚单层的电子自旋动力学.实验发现，在非共振激发条件下，厚度为1/3单层的InAs亚单层中电子自旋弛豫寿命长达3.4ns，而1个单层厚的InAs层的电子自旋寿命只有0.48ns；而在共振激发条件下，亚单层结构中的电子自旋寿命大大减少，只有70ps，单层InAs中电子自旋寿命没有显著变化.分析表明，低温下InAs单层和亚单层结构中，Bir-Aronov-Pikus(BAP)自旋弛豫机理占主导地位.通过改变材料结构特性和激发条件来改变电子空穴的空间相关性，从而达到控制自旋弛豫的目的. 关键词： InAs亚单层 自旋弛豫 BAP机理     

金衬底调控单层二硫化钼电子性能的第一性原理研究

基于密度泛函的第一性原理研究了金衬底对单层二硫化钼电子性能的调控作用. 从结合能、能带结构、电子态密度和差分电荷密度四个方面进行了深入研究. 结合能计算确定了硫原子层在界面的排布方式, 并指出这种吸附结构并不稳定. 能带结构分析证实了金衬底与单层二硫化钼形成肖特基接触, 并出现钉扎效应. 电子态密度分析表明金衬底并没有影响硫原子和钼原子之间的共价键, 而是通过调控单层二硫化钼的电子态密度增加其导电率. 差分电荷密度分析表明单层二硫化钼的导电通道可能在界面处产生. 研究结果可对单层二硫化钼晶体管的建模和实验制备提供指导.     

激光无损检测钣金胶接结构缺陷大小的判定

本文以周边固定、均匀加载的圆形薄板为钣金胶接结构脱胶的缺陷模型,在不同的实验条件下分别计算了全息与剪切散斑干涉术的条纹分布,从而建立了判定缺陷大小的经验公式。理论与实践符合较好。     

亚单层InGaAs量子点-量子阱异质结构的时间分辨光致发光谱

测定了亚单层InGaAs/GaAs量子点-量子阱异质结构在5K下的时间分辨光致发光谱.亚单层量 子点的辐射寿命在500 ps 至 800 ps之间，随量子点尺寸的增大而增大，与量子点中激子的 较小的横向限制能以及激子从小量子点向大量子点的隧穿转移有关.光致发光上升时间强烈 依赖于激发强度密度.在弱激发强度密度下，上升时间为 35 ps，纵光学声子发射为主要的 载流子俘获机理.在强激发强度密度下，上升时间随激发强度密度的增加而减小，俄歇过程 为主要的载流子俘获机理.该结果对理解亚单层量子点器件的工作特性非常有用. 关键词： 亚单层 量子点-量子阱 时间分辨光致发光谱     

单层光学薄膜中薄膜—衬底体系的双重干涉效应及其应用

提出了单层光学薄膜中薄膜与衬底反射光之间的双重干涉效应的理论，实验结果证实了理论分析的正确性。双重干涉效应使薄膜－衬底体系的热致反射调制度高达８０％，这一效应可望有极广泛的应用。     

单层光学薄膜中薄膜－衬底体系的双重干涉效应及其应用

提出了单层光学薄膜中薄膜与衬底反射光之间的双重干涉效应的理论，实验结果证实了理论分析的正确性。双重干涉效应使薄膜－衬底体系的热致反射调制度高达８０％，这一效应可望有极广泛的应用     

多层粘接结构中脱粘界面的人工神经网络余弦变换谱特征识别

针对钢-橡胶多层粘接结构中界面脱粘的超声检测难题,利用余弦变换(DCT)提取的表征检测信号的模式特征矢量,通过人工神经网络模式识别方法对不同界面脱粘时实验检测信号的正确识别,实现了脱粘一、二、三和四界面的检测。本文脱粘界面信号模式的人工神经网络识别系统对现代工业中NDT&NDE的自动化有着积极的意义。     

等厚铝板粘接件超声反射频谱的低频特征

利用弹簧模型研究了"铝-胶-铝"等厚粘接件的超声反射谱的低频特征(使用的超声波频率远低于胶层的共振频率),指出了利用其谐振频率的"右峰"漂移量反演弱粘接情况的胶层劲度系数的可能性。我们通过胶层固化时间的变化来模拟胶层劲度系数的变化,对理论结果进行验证,实验结果与理论吻合良好。     

硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管电致发光谱的干涉现象研究

测试了硅衬底垂直结构芯片在不同空间角度上的电致发光(EL)谱.指出硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管的EL谱中多个峰型来源于干涉现象,而不是来自于多个阱层的发光.干涉峰的疏密反映p型层厚度的一致性,干涉现象的强弱反映p型欧姆接触层反光能力的强弱.芯片法线方向附近发光最强干涉现象最明显,芯片侧边的发光几乎没有干涉现象且发光强度最弱. 关键词： InGaAlN 发光二极管 垂直结构 电致发光     

单量子势阱激光器的三元衬底生长

单量子势阱激光器的三元衬底生长日本富士实验室已研制出一种液体密封式切克劳斯基晶体生长法（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ），用来生长高质量ＩｎＧａＡｓ晶体，继之用来生长单量子势讲ＩｎＧａＡｓＰ激光Ｍ极管。若能保证生长期间熔料的质量，就可改进块状晶体组份的均匀性...     

应用恢复函数的超薄层弹性材料低频超声定征方法

研究了一种应用恢复函数和低频超声波对超薄层弹性材料的声学特性（厚度、声速和密度）进行无损测量的新方法。这里所说的"超薄"是指材料的厚度远小于检测所用的声波波长。文中对应用透射恢复函数的幅度谱、相位谱和复谱在最小二乘意义下估计材料的定征参数的性能进行了详细的研究和比较,分析了影响估计准确性的典型因素,推导和讨论了灵敏度函数及其在误差传递中的意义．实验使用中心频率为2MHz的超声波测量厚度为25．4～152．4μm的铜箔,得到的估计值与真实值符合的非常好．     

Co对单层MoS_2电子结构与磁性的影响

为了研究Co对单层MoS_2电子结构和磁性的影响,本文基于第一性原理,采用数值基组的方法计算了Co吸附式掺杂、Co替代式掺杂单层MoS_2的能带结构、态密度以及分析了其结构的稳定性.结果发现:Co替换式掺杂体系的形成能较低,实验上容易实现;Co在Mo位吸附的稳定性强于在S位吸附;Mo位吸附体系的总磁矩为0.999μB,其磁矩的主要来源于Co原子的吸附所贡献的0.984μB,Co原子的掺杂体系总磁矩为1.029μB,其磁矩的主要由Co原子替代掉一个Mo原子所贡献的磁矩为0.9444μB,相比于吸附体系,Co原子对磁矩的贡献率有所降低;无论是Co吸附在单层MoS_2表面还是Co直接替代掉Mo原子的掺杂体系,Co原子3d轨道的引入是引起单层MoS_2体系磁性的主要原因.     

基于Rayleigh-Bloch模式的单层结构弯曲声波导

基于一维声栅中的Rayleigh-Bloch(RB)模式基本特点,设计了一种单层结构弯曲声波导.利用有限元方法从时域和频域两方面验证了弯曲声波导的有效性,RB模式波可以沿着波导的弯曲界面传播.研究发现,由于采用了环形结构基本单元,在该波导中存在两种传播模式,分别对应能量局域在单元间(模式-1)和单元内部(模式-2)两种...     

单层结构光纤布拉格光栅光谱特性研究

基于单模微纳光纤基模有效折射率色散方程和光纤布拉格光栅谐振方程,研究单层结构光纤布拉格光栅光谱特性,并用FH酸化学腐蚀法制得单层结构布拉格光栅.理论和实验结果表明:随着光栅半径减小,单层结构光纤布拉格光栅谐振波长蓝移,且谐振波长个数由5个减少到1个,直至最后完全消失;随着光栅外环境折射率的减小,截止半径缩短,当折射率降到1时,截止半径减为0.55μm.     

单层元胞结构金属泡沫的透射特性

本文构建了开孔泡沫铝的简化几何模型,并利用有限积分法模拟了具有单层元胞结构的金属泡沫材料在线性极化平面波垂直入射情况下的透射率。基于菲涅耳-基尔霍夫衍射理论分析了孔隙率、孔径尺寸、材料厚度和骨架结构对金属泡沫材料辐射特性的影响。当尺度参数较大时,金属泡沫材料的固相支架结构满足良导体条件,宏观电磁屏蔽效应显著,金属泡沫材料呈现"非透明"性质。随着入射电磁波波长逐渐接近于孔径尺寸,散射效应越来越显著,金属泡沫材料的"半透明"性质开始显现,不同孔隙率的金属泡沫材料的透射率以相近的规律随波长变化。随着波长的进一步减小,衍射效应对于金属泡沫材料透射特性的影响逐渐占据主导地位,采用菲涅耳-基尔霍夫衍射理论可以较好地描述透射能流在孔隙结构内的分布。当衍射效应占据主导地位时,对于相同孔隙率金属泡沫材料,孔径尺寸对衍射光学行为影响不大,而材料厚度、孔隙率和骨架结构会显著影响金属泡沫材料的透射率。