GaAs FET’s的有限元二维数值分析

本文提出了一个采用有限元方法,适用于 GaAs FET’s 的二维数值分析的方法和程序.由于采用了与传统的Gummel算法有所不同的计算方法,使计算过程得到简化,计算工作量大为减少.采用本文的方法,即使在网格点总数与文献相比大为减少的情况下,对典型的GaAsFET’s的计算结果仍能与文献报道的其它二维分析结果和实验数据取得较好的一致.     

微波凹槽栅结构GaAs FET’s的最佳凹槽深度的选择的讨论

本文通过对GaAs FET’s进行有限元二维分析的结果表明,随着凹槽深度d_R的增加,功率器件和低噪声器件的各自的主要性能指标,即最大输出功率P_(max)和最低噪声系数F_(mln),虽能得到改善,但功率器件和低噪声器件的另一个性能指标,即单向功率增益G_(?)却下降了.本文对如何解决这一矛盾,以寻求凹槽栅器件的最佳凹槽深度的问题进行了讨论.结论是,功率器件宜采用浅凹槽结构,低噪声器件宜采用深凹槽结构.     

离子注入GaAs MESFET''''s的有限元二维数值分析

本文用有限元方法对离子注入 GaAs MESFET’s的稳态特性进行了二维数值模拟和分析,并与均匀掺杂器件作了比较.程序中,对边界条件、网格剖分和初值选取方法进行了改进.所开发的程序可以对不同尺寸、不同掺杂分布的平面栅、凹形栅 GaAs MESFET’s进行二维数值分析,得到其内部电位、电场、载流子浓度等物理量的二维分布和器件的I-V特性.本文还讨论了凹形栅的几何形状对器件内部电场强度的影响.最后,对实际的离子注入凹形栅GaAsMESFET进行了模拟,计算结果与实验数据基本吻合.     

离子注入GaAs MESFET''s的有限元二维数值分析

本文用有限元方法对离子注入 GaAs MESFET’s的稳态特性进行了二维数值模拟和分析,并与均匀掺杂器件作了比较.程序中,对边界条件、网格剖分和初值选取方法进行了改进.所开发的程序可以对不同尺寸、不同掺杂分布的平面栅、凹形栅 GaAs MESFET’s进行二维数值分析,得到其内部电位、电场、载流子浓度等物理量的二维分布和器件的I-V特性.本文还讨论了凹形栅的几何形状对器件内部电场强度的影响.最后,对实际的离子注入凹形栅GaAsMESFET进行了模拟,计算结果与实验数据基本吻合.     

微波双栅FET电路稳定性分析

本文采用二口等效法,对双栅FET作为共源三口网络的稳定性进行了分析和计算。对于文献作了必要的扩充并给出了具体计算方法,以求为双栅FET的应用和电路设计提供一定的依据和参参。     

微波双栅FET混频器的分析与设计

本文分析了双栅FET的混频机理,给出了双栅FET的三种非线性模型.介绍了采用三端口阻抗条件设计双栅FET混频器的方法.在S、L波段制作的两种双栅FET混频器,噪声系数略高于二极管混频器,而变频增益比二极管混频器高10dB.整机应用结果表明,它具有简化电路、降低成本和对前置中放噪声系数要求不高的优点.     

短沟道GaAs MESFET的二维稳态数值分析

<正> 一、引言 GaAs材料近年来已广泛应用于分立器件和集成电路,微波GaAs MESFET得到了迅速发展。器件性能进一步改善要求不断缩小沟道长度,一般达到亚微米数量级。随之产生一些新的效应,其中最重要的是非稳态效应(nonstationary effects),如速度过冲效应。 在短沟器件中,载流子迁移率和扩散系数主要决定于载流子能量,而不是电场,通常的漂移扩散模型不再适用。本文修正了漂移扩散模型,既保持漂移扩散模型的公式形式,又可以定量计算速度过冲效应。新模型形式简单,物理意义清楚。使用这种模型计算了0.5μm的GaAs MESFET,取得了与其它文献相符的结论。     

具有p~+-栅和选择掺杂结构的低噪声AlGaAs/GaAs FET

已试制出具有p~+二栅和选择掺杂结构的低噪声AlGaAs/GaAs FET。采用了二维电子气的FET在MBE片上作成紧密间距电极平面结构。给出了0.5μm栅FET的室温性能:跨导为310mS/mm,在12GHz下噪声系数为1.2dB,相应增益为11.7dB。     

亚微米GaAs MESFET二维数值模拟

本文用计入热电子效应的动量能量守恒模型讨论了亚微米GaAs MESFET二维数值模拟。为了减少计算量进行了模型简化和算法选择。文中给出并分析了三种典型器件的模用范果,根据模拟结果,研究了小尺寸器件中的速度过冲效应并得出常规的漂移扩散模型的适拟结围。     

AlGaAs／GaAs HBT表面效应的二维数值分析

采用表面效应集总模型综合考虑表面费米能级钉扎和表面复合效应，对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ表面效应的影响进行了二维数值模拟。结果表明，表面态的存在对集电极电流几乎不产生影响，但显著增加基极电流，使得电流增益明显下降。同时还发现在台面结构ＡＩＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ中外基区表面复合的集边效应，即外基区表面复合主要发生在发射极台面与外基区的交界处附近，与外基区长度基本无关。模拟还表明基区缓变结构可以减少表面复合，提高电流增益。     

微波宽带双栅GaAs MESFET的模型

本文介绍GaAs MESFET(砷化镓金属半导体场效应晶体管)的一种多倍频程模型。它包括28个频率独立元件,可在2到11千兆赫之间有效工作。该模型考虑了栅间有无欧姆接触两种情况。模型是在实际偏压条件下分别利用有源器件的直流和高频特性以及等效电路的测定而得到的,因此,可达到两个目的:1)总模型的拓朴学特性可根据熟知的比较简单的部分模型导出;2)最优化的初始值足以精确地提供可靠的物理解。     

GaAs微波功率FET的可靠性与功率特性的关系

采用射频最大饱和漏电流和射频击穿电压解释了影响GaAs微波功率FET功率特性的主要因素,GaAs FET栅漏间半导体表面负电荷的积累在引起器件电流偏移的同时还导致器件微波功率特性的退化,GaAs微波功率FET的可靠性和功率特性相互关联,高可靠的GaAs微波功率FET一定具有高性能的功率特性。在器件工艺中对表面态密度和陷阱能级密度严格控制是实现GaAs微波功率FET的高功率特性和高可靠性的关键。     

GaAs MESFET二维计算机辅助分析

编制了MESFET通用二维分析程序.通过对一个GaAs MESFET进行二维数值分析,得到了典型偏置条件下,沟道内各点的静电电位和自由电了浓度,计算了某些重要的器件参数.解释了短栅器件收漏电流泡和机理.计算结果与国外文献中有关报道相符.     

高速GaAs源耦合FET逻辑电路的分析

源耦合FET逻辑(SCFL)电路是为千兆位数字信号处理而提出来的。本文介绍了SCFL电路中FET阈值电压的容限和SCFL电路的性能。SCFL门速度取决于其中FET的工作范围。为实现高速,必须提供一个高于夹断电压的FET源漏电压。预计由1.5μm栅长FET构成的SCFL门最小延迟时间共达25ps/门,最小上升时间与下降时间分别可达54ps和51ps,最大RZ数据速率可达5.6Gb/s。SCFL电路可用于高速数字信号处理。     

微波FET有源电感的分析

提出用FET实现四种高性能的微波有源电感基本电路结构，通过分析各个电路的特性表明，这四个有源电感均是低损耗或无损耗的。另外还选择了其中的一种电路结构，详细分析了FET参数变化对有源电感用抗的影响。     

微波GaAs FET功率放大器的一种建模与互调计算方法

本文提出了一种利用测量ＡＭ－ＡＭ、ＡＭ－ＰＭ特性对微波ＧａＡｓＦＥＴ大信号建模的方法．此外，利用测量或理论求得的ＡＭ－ＡＭ、ＡＭ－ＰＭ非线性特性，可进一步分析放大器的增益、互调性能，避免多音（射频）激励下进行测量或理论分析的麻烦．结果表明，理论与实验甚为一致．     

高低沟道结构的GaAs双栅MESFET

<正>1971年Turner等人提出了在源漏之间设立两个独立的肖特基势垒栅,这种双栅GaAsMESFET由于它具有增益高、稳定性好、信号调制能力强等优点,因此,近来发展较快,在一些领域获得广泛的应用.