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大家知道同轴圆柱形电容器的电容和电场,如果是同轴圆弧柱形电容器,其电容和电场强度该是怎样?本文对此进行探讨,供教学参考. 选取长为L的同轴共圆心角圆弧柱形电容器,其横截面如图1,已知共圆心角θ,半径为R1和R2(R2>R1)的两个圆弧形导体之间的电压为U0,所带电量为±Q,处在真空中(忽略边缘效应),由于是平面场问题,可用复变函数来计算. 设复函数 Z=x+iy,则ζ(z)=ζ(x,y)+iη(x,y)称复变函数,其中 Z(x,y)所确定的平面称z平面,ζ(ξ,η)所确定的平面称ζ平面. 选对数函数… 相似文献
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BES Collaboration J. Z. Bat G. P. Chen H. F. Chen S. M. Chen Y. Chen Y. B. Chen Y. Q. Chen B. S. Cheng X. Z. Cui H. L.Ding W. Y. Ding Z. Z. DU X. L. Fan J. Fang C. S.Gao M. L.Gao S. Q. Gao J. H. Gu S. D. Gu W. X. Gu Y. F. Gu Y. N. Guo 《中国物理 C》1996,(11)
本文通过对J/ψ辐射衰变到K+K-πO和终态中iota能区的振幅分析,发现iota峰下有一个0-+共振态(M=1467±3MeV,=89±6MeV)和两个1++共振态(M=1435±3MeV,=59±5MeV;M=1497±2MeV,=44±7MeV),分别对应于η(1440),f1(1420)和f1(1510). 相似文献
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本用第一原理的LDF-LMTO-ASA方法,以超元胞Ba4Bi4O12,(Ba3K)BiO12,(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O12,K2Bi2O6五种“样本”计算由于Bi^+3和Bi^+5二种价态以及K掺杂引起各芯态能级化学位移的变化,“样本”的电子结构与实验相符,即Ba4Bi4O12是g=-2.0eV的半导体,(Ba3K)Bi4O12j Eg=1.6eV其价带顶有不量空穴的半导体, 相似文献
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给出海洛因和鸦片的傅里叶红外吸收实测谱。根据吸收峰的位置,计算出海洛因的基本声子能量:ELO=0.0486eV,ETO1=0.0555eV,ETO2=0.0616eV,ELA=0.0257eV,ETA1=0.0097eV,ETA2=0.0134eV。这些声子按照不同的组合方式,形成海洛因的全部傅里叶红外吸收峰。 相似文献
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在150K的低温下,NO在清洁的Ru(1010)表面上的吸附,Hell-ARUPS显示在E以下9.3eV(5σ+1π)和14.6eV(4σ)处有两个峰,表明NO在Ru(1010)表面上是分子吸附,NO在Cs/Ru(1010)表面上的吸附,ARUPS测得在E以下6.2,9.2,11.1,12.4和14.9eV处有5个峰,和N2O气相的UPS谱比较认定它们是N2O和NO共存的结果,表明NO在Cs/Ru 相似文献
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应用高分辩库仑爆炸技术,测量了氘化分子HD2^+的库仑爆炸产物能谱。由此实验结果证明HD2^+是等腰三角形结构。首次测量出它的核间距RHD=1.20±0.04A,RDD=0.95±0.03A和束缚能ε=39.2±1.2eV。 相似文献
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用第一原理的LDFLMTOASA超元胞法,模拟由X射线吸收谱精细结构测定的BaBiO3中,Bi有两种价态Bi3+和Bi5+及与之相应的两种不同键长的Bi—O八面体,以及K掺杂对晶体结构的影响.计算了Ba4Bi4O12,(Ba3K)Bi4O12,(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O12,K2Bi2O6(简记为(404),(314),(112),(134),(022))五种“样本”的电子结构.结果表明,(404)和(314)分别为Eg=16eV及Eg=15eV的半导体,其它“样本”为金属.总能的分析表明(134)是不稳定的,故溶解极限为x=05.以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率,进而计算了(Ba1-xKx)BiO3电子结构随组分的变化.最后用逾渗模型说明了超导转变温度Tc在x=0.25附近的突变 相似文献
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本文用第一原理的LDF-LMTO-ASA方法,以超元胞Ba4Bi4O(12),(Ba3K)Bi4O(12),(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O(12),K2Bi2O6五种“样本”计算由于Bi(+3)和Bi(+5)二种价态以及K掺杂引起各芯态能级化学位移的变化.“样本”的电子结构与实验相符,即Ba4Bi4O(12)是Eg=2.0eV的半导体,(Ba3K)Bi4O12是Eg=1.6eV其价带顶有少量空穴的半导体.其余“样本”是金属.芯态的LDF本征值经原子模型△SCF修正更接近实验值.用正态分布表达各芯态能级除化学位移外各种“环境因子”的影响,结合任意组份五种“样本”的伯努利分布,计算芯态电子能谱随x的变化.结果表明,所有芯态的自旋一轨道分裂与实验完全相符,Bi(+3)和Bi(+5)二种价态引起各芯态化学位移的变化均小于0.2eV,K掺杂使各芯态结合能略有增加,其中Bi(4f),Ba(5d)约1.3~1.5eV,其他芯态约0.4eV,以上计算结果与实验基本一致. 相似文献
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本文给出了发射探针和电容探针测量等离子体电位的实验和方法。发射探针采用直流功率加热,并在较强电子发射条件下运行(I_(e0)/I_(e0)>1)。电容探针表面二次电子发射系数δ≥1。本文对发射探针的电子发射性能、工作电流、电容探针的输入、输出电压关系进行了标定实验。得到了电容探针的校准系数分别为3×10(-3)、5×10(-4)。实验给出了MM-4会切中心等离子体电位V_(p4)=-82±9-122±12V;MM-4U东、西会切中心等离子体电位分别为V_(P4u1)=-52.9±3.2V,V_(P4u2)=-62±3.2V。 相似文献
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铁酸盐的水热氧化晶化法制备及其生成条件研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了空气氧化M^2+(M=Mn、Fe、Co、Ni)和Fe^2+的碱性悬浮液制备铁酸盐MFe2O4的条件,考察了原料配比、pH值、氧化温度、氧化时间对生成MFe2O4的影响。利用XRD及SEM检测氧化过程中沉淀物的形态和结构表明,在343 ̄358K和R=2OH^-/(M^2+Fe^2+)=1.0、M^2/Fe^2+=0.5(摩尔比)下用300mL/h的空气氧化Mx/3Fe1-x/3(OH)2悬浮液 相似文献
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本文测定了Cs3Cu2 I5 晶体薄膜在室温及液氮温度下的吸收谱,并依此计算出该材料的激子参数,即激子束缚能ΔE(1)ex = (0.53±0.07)eV,激子半径aex = 0.326 nm ,禁带宽度Eg = (5.00±0.07)eV。在谱分析的基础上,论证了Cs3Cu2I5 的电子和激子激发定域在该晶体的CuI亚晶格之中,同时,揭示了在低温下Csx Cu1- x I系列化合物的第一激子峰位置随其摩尔组分变化的规律。 相似文献
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采用简立方格点上的Monte Carlo模拟,研究一端被无限大不可穿透平面壁吸附的高分子链的均方末端距(R^2),以及高分子链的质量中心到平面吸附壁的平均距离(Z),与链长N、参数u(u=e^-ε/kT,ε是链骨架原子间的相互作用能量,k是玻耳兹曼常数,T是热力学温度)的关系。结果表明:(R^2)和(Z)都服从标度律,(R^2)=aN^γ,(Z)=βNη,其中,γ、η、α、β都是u的函数;u从1减小到0.5,则γ从1.01增大到1.19,η从0.51增大到0.60。 相似文献
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物理教科书在关于“电容器的串联”总是叙述这样两个结论:“串联时每个电容器带的电量都是相等的,电压分配总是与其电容成反比.”从而使学生认为这是一般规律.实际上这两个结论并不是一般的规律,是有前提条件的.1带电量并不总是相等的先讨论两只电容器串联的情况,... 相似文献
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铂(Ⅳ)-钼酸盐-乙基罗丹明B离子缔合显色反应研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文研究了在聚乙烯醇(PVA)存在下用钼酸盐与乙基罗丹明B(ERB)形成离子缔合物,该缔合物的最大吸收位于580nm,摩尔吸光系数为1.12×106L·mol-1·cm-1,服从比耳定律范围0—2.5μg/25mL,缔合物至少稳定1周,考察了50多种共存离子的影响,除生成杂多酸元素和Au(Ⅲ)、Os(Ⅷ)、Pd(Ⅱ)、Ir(Ⅳ)外,大多数元素不干扰。测定铂的条件为:〔HClO4〕=1.2mol/L,〔MoO42-〕=9.1×10-4mol/L,〔ERB〕=3.2×10-5mol/L,0.08%PVA。缔合物的摩尔比为Pt(Ⅳ)∶ERB=1∶2,本法已用于铂矿中铂的测定,结果满意。 相似文献