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Si(Li)谱仪测定X射线荧光谱中CrKβ谱线化学位移的探索 总被引:1,自引:0,他引:1
采用放射源^241Am59.6keVγ射线分别激发金属Cr、Cr2O3和K2CrO4,用Si(Li)谱仪比较测量其Kx射线的能量。实验表明K2CrO4和CrKβ能峰相对于金属Cr有2.12±0.27eV的位移。 相似文献
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从名义组份Bi2.4Sr2PrCu2Oy生长出一种新的Bi2222相单晶,其实际组份测定为Bi2Sr1.5Pr2.5Cu2Oy.用X射线衍射对单晶的结构进行了表征,并且研究了该单晶生长中Bi2201和Bi2212相的交生等相关问题.另外,如果从名义组份为Bi2.4Sr1.5Pr2.5Cu2Oy出发,得到的却是Pr2CuO4单晶. 相似文献
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Ni/Al2O3催化剂上CH4/CO2重整反应积碳的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用X光电子能谱(XPS)和脉冲反应技术考察了973K下经不同方法处理后的Ni/Al2O3催化剂表面的积碳,单独用CH4或CO处理后的催化剂在283.6eV左右出现了一个新的Cls峰,可归属为金属碳化物,对CH4,CO处理过的催化剂用CO2处理后发现,结合能约为283.6eV的Cls峰强度明显降低,但由CO处理的催化剂的积碳的活性不如由甲烷生成的积碳活性好,CO歧化反应可能是导致镍催化剂失活的主要 相似文献
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本文报道了6种取代苯胺基亚胺二茂铁类化合物R-N=CH-Fe(-Fe为二茂铁基,R为-C6H4X,(X=H,4-Br,4-OH,2-CH3,4-COOH)及4-NHC6H4NO2)的Mossbauer谱数据,其化学位移分别为(mm.s^-1):0.323,0.332,0.338,0.324,0.315和0.310。其四极矩分裂值分别为(mm.s^-1):2.263,2.285,2.287,2.21 相似文献
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在活塞圆筒式P~V关系测量装置上,研究了KH_2PO_4(KDP)和(CH_3NHCH_2CO-OH)_3CaCI_2[Tris-sarcosinecalciumchloride(TSCC)]在室温下、4.5GPa内的p~V关系。实验结果表明:KDP在2.1GPa左右有一个相变;TSCC在0.8GPa和3.2GPa左右各有一个相变。本工作还给出了它们在相变前后的状态方程,以及它们的格临爱森参数γO、体积模量B_o和B_o的压力导数B_o。 相似文献
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MOCVD法在金属基体上制备YBCO超导带 总被引:2,自引:0,他引:2
本报道了用MOCVD静态和动态沉积两种工艺制备YBCO超导带的实验结果。以Y(TMHD)3、Ba(TMHD)2和Cu(TMHD)2为挥发源,O2气为反应剂,高纯Ar气为载流气体,在静止和以10-15cm/h带速移动的金属银基体上,制出了有强烈c-轴取向的YBCO超导带。静态沉积样品的Jc达到1.04×10^4A/cm^2,动态沉积样品的Jc达到1.4×10^4A/cm^2(78K,0T)。对改… 相似文献
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本文用280nm脉冲激光光解被Ar和Xe基体隔离的Fe(CO)5以产生配位不饱和的Fe(CO)3。用傅里衰变换红外光谱仪实时监察光解停止后Fe(CO)3和CD的复合,并以Smoluchowski扩散控制反应动力学理论模型求得Fe(CO)3与CO的反应半径为4.0×10^-10m,CO在10K的Ar和Xe基体中的扩散系数分别为2.2×10^-23m^2/s和4.5×±∩^-23m^2/s。 相似文献
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测量了Cr^4+,YAG、Cr^4+,Mg2SiO4晶体在室温和液氮温度下的荧光光谱,吸收光谱和激发态寿命,讨论了温度变化时,两种晶体中Cr^4+近红外辐射积分强度变化与激光发态寿命变化的关系,得出结论:在77K ̄300K范围内,Cr^4+的^3T2能级荧光辐射截面本身受温度影响不大,Cr^4+辐射荧光的变化,主要是由无辐射弛豫速率随温度变化而引起的。 相似文献
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本文用第一原理的LDF-LMTO-ASA方法,以超元胞Ba4Bi4O(12),(Ba3K)Bi4O(12),(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O(12),K2Bi2O6五种“样本”计算由于Bi(+3)和Bi(+5)二种价态以及K掺杂引起各芯态能级化学位移的变化.“样本”的电子结构与实验相符,即Ba4Bi4O(12)是Eg=2.0eV的半导体,(Ba3K)Bi4O12是Eg=1.6eV其价带顶有少量空穴的半导体.其余“样本”是金属.芯态的LDF本征值经原子模型△SCF修正更接近实验值.用正态分布表达各芯态能级除化学位移外各种“环境因子”的影响,结合任意组份五种“样本”的伯努利分布,计算芯态电子能谱随x的变化.结果表明,所有芯态的自旋一轨道分裂与实验完全相符,Bi(+3)和Bi(+5)二种价态引起各芯态化学位移的变化均小于0.2eV,K掺杂使各芯态结合能略有增加,其中Bi(4f),Ba(5d)约1.3~1.5eV,其他芯态约0.4eV,以上计算结果与实验基本一致. 相似文献
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利用脉冲激光法研究了在(100)SrTiO3(STO)、(100)LaAlO3(LAO)和(100)Y-ZrO2(YSZ)衬底上外延生长LaCuO4(LCO),La1.85Sr0.15CuO4(LSCO),Nd1.85Ce0.15CuO4(NCCO)和Pr2CuO4(PCO)薄膜的工艺技术。利用X光衍射仪检测了不同条件下制备的薄膜样品结构和取向。X射线衍结果表明,在事适的制膜条件下可以在这三种衬底 相似文献
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在150K的低温下,NO在清洁的Ru(1010)表面上的吸附,Hell-ARUPS显示在E以下9.3eV(5σ+1π)和14.6eV(4σ)处有两个峰,表明NO在Ru(1010)表面上是分子吸附,NO在Cs/Ru(1010)表面上的吸附,ARUPS测得在E以下6.2,9.2,11.1,12.4和14.9eV处有5个峰,和N2O气相的UPS谱比较认定它们是N2O和NO共存的结果,表明NO在Cs/Ru 相似文献
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本文用电化学现场表面增强拉曼散射光谱(SERS)技术研究了MTU在HClO4、H2SO4和HNO3介质中分别与一种或两种无机阴离子的共吸附行为,发现ClO-4、SO2-4和NO-3等弱吸附无机阴离子均能被MTU诱导物理吸附在其质子化了的氨基(NH+3)上,这三种无机阴离子被MTU诱导物理吸附的强弱顺序是:在电极电位位于-0.2V~-0.7V区间时,SO2-4>ClO-4>NO-3,在电位位于-0.8V~-1.2V区间时,ClO-4>SO2-4>NO-3。 相似文献
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采用不同的母体材料,在分别淬火的非晶中间相基础上合成了Bi1.7Pb0.3Sr2Ca2Cu3Oy高Tc超导陶瓷,报道了这些材料的制备、X射线衍射及电阻率结果。我们用共生长和结构中离子成分的变化对结果进行了讨论。通过对材料结构和性质的分析得出SrCaCuO3是最适合2212成相的母体。而SrCuO2是产生2223相的最好母体,在40K零场中推断的颗粒内临界电流密度Jc达10^6A/cm^2。 相似文献
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本介绍了用熔融法制备Bi2.2Sr1.8Ca1.05Cu2.15-xNaxO8+y(x=0,0.4~0.8)样品,发现诸样品零电阻温度都在90K左右,其中x=0.7,Tc0达到92.5K。在81K较高温区,该类样品仍然表现出良好的超导电性,其临界电流密度还达到10^3A/cm^2量级。 相似文献
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用标准固相反应法,我们制备了Bi1.6Pb0.4Sr2Ca2Cu3Oy和Bi2CaCu2Oy纯相样品,在液氮温度下测量了Cu-NQR和B-NQR静态谱,发现NQR谱都为大宽包,Cu-NQR谱线位置反映铜原子所处的氧环境,Bi2Sr2Cu2Oy的NQR谱宽反映其调制结构,Bi1.6Pb0.4Sr2Ca2Cu3OyNQR谱宽取决于其掺杂浓度。由于电场梯度弥散很大,Bi-NQR谱很难观察。 相似文献