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《光学技术》1975,(4)
光学度盘是经纬仪、测角仪、方向盘等光学测量仪器的重要组成部分,直接影响仪器精度,因而对从事光学刻划的人们来说,如何提高度盘的精度是一个重要的课题。最近,我们试制成了Φ450毫米大度盘。现将我们的工作汇报于下: 一、Φ450毫米度盘的主要技术要求1.度盘直径450毫米,厚度25毫米。2.材料K9(GB903-65),θ=30″,刻划面N=2,ΔN=0.2。3.将刻划直径Φ412.2±O.2毫米的圆周等分为2160格,即每lO′为一格,刻双线(间距0.035毫米)。刻线宽0.009±0.001毫米。4.刻字线宽O.Ol±0.001毫米,度、分字型高分别为O.15,0.12毫米。5.度盘直径全中误差±0.8″。6.度盘刻划在80倍显微镜下检查。 相似文献
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<正> 二秒级光学分度头所用的玻璃度盘,放大倍数为50倍,毛坯外圆直径φ116mm,刻度精度不超过1.5″,刻字线宽为0.012mm。原来用机械刻划法刻字,加工时间长,劳动强度大,效率低。改用照相镀铭法套字,减轻了劳动强度,保证了产品质量,提高了工作效率。一、工卡具使用要点曝光系统(图1)放置于净化工作台内,具备带有隔热层的回转工作台,由交流伺服电动机驱动,以达到均匀曝光的目的。光源与零件之间的距离约700mm,为了克服电压波动,使用了稳压器,功率为1kW,照度基本无变化,曝光量用调整时间来确定,曝光时间由计 相似文献
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<正> 光刻胶是为适应集成电路的需要而发展起来的一种胶种,有正性和负性二种类型。迄今为止,光学分划元件大部分仍沿用负性胶。最近我们在制作的光学零件分划图形中,用近期 相似文献
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由于SU-8光刻胶的内应力将会影响高深宽比结构的全金属光栅的制作质量,本文针对近年来SU-8光刻胶应力测量困难的情况,提出了一种基于激光剪切散斑干涉技术的SU-8光刻胶应变分布测量的新方法。该方法通过对被测胶体加载前后两幅干涉图像的处理,直接得到被测胶体结构的全场应变分布情况,由胶体的应变变形数据即可反映出内应力的变化和分布趋势。同时使用ANSYS有限元分析软件对同一被测胶体进行应变仿真模拟研究,获得胶体结构的变形场仿真数据。组建了实验系统,进行了实验验证,结果表明:实际测量变形量约为1.189μm,仿真的最大变形量为1.088μm,测量误差在允许范围内,且测量的形变趋势与仿真模拟结果相一致,表明激光剪切散斑干涉技术可应用于SU-8光刻胶的应变分布全场无损检测。 相似文献
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<正> 直读式测量角度的光学仪器,绝大多数都装有玻璃度盘。我们使用QM08A透镜铣磨机对该零件的孔进行加工,周期短、效率高、节约材料和辅料,孔的精度在批量(约500件) 相似文献
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<正> 目前,光学仪器中的分划板,其制作工艺一般采用两种手段:一是刻度;二是照相。对于简单、线条不多、线粗一致、数字和字母较少、精度不太高的分划,经常采用常规工艺即做成铜质的模板在仿刻机上进行比例缩放刻 相似文献
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目前,国内刻制球面分划板一般采用两种方法。一种是利用万向接头原理,使刻刀始终垂直于球面切线进行刻划,这种方法可刻划任何曲率半径的球面分划板,有的厂就利用这种原理制造了具有万向刀架或万向承座的专用球面刻线机。但是,这种刻线机的万向接头要求精度高,制作麻烦,机器用途单一。它虽然使用模板缩放,但一次只能刻划一块零件,效率不高。另一种方法是在没有专用球面刻线机的条件下,用手摇万能刻线机进行刻线。它的刀架结构形式是直 相似文献
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提出了直接针对惯性约束聚变(ICF)诊断目标的X射线Kirkpatrick-Baez型显微镜的像差校正和光学设计方法。在校正掠入射细光束像散的基础上,推导了内爆压缩区全视场范围内的垂轴像差表达式,进而构建了系统的空间分辨率预测模型。基于对空间分辨率和集光立体角两个关键指标的分析,结合ICF的实验要求,得到了系统的初始结构参数确定原则和光学设计流程。实例表明,该方法克服了传统的轴上球差评价的不足,设计结果能够同时满足内爆压缩区的视场、分辨率和集光效率的要求。 相似文献
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提出了直接针对惯性约束聚变(ICF)诊断目标的X射线Kirkpatrick-Baez型显微镜的像差校正和光学设计方法。在校正掠入射细光束像散的基础上,推导了内爆压缩区全视场范围内的垂轴像差表达式,进而构建了系统的空间分辨率预测模型。基于对空间分辨率和集光立体角两个关键指标的分析,结合ICF的实验要求,得到了系统的初始结构参数确定原则和光学设计流程。实例表明,该方法克服了传统的轴上球差评价的不足,设计结果能够同时满足内爆压缩区的视场、分辨率和集光效率的要求。 相似文献
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作为一种快速、低成本和非接触的测量手段,光学散射测量在半导体制造业中的纳米结构三维形貌表征方面获得了广泛关注与运用.光学散射测量是一种基于模型的测量方法,在纳米结构待测参数的逆向提取过程中,为降低参数之间的耦合性,通常需要将结构的光学常数作为固定的已知量,即假设结构的材料光学常数不受光学散射仪入射光照的影响.事实上,这一假设对于半导体制造业中的绝大多数材料是成立的,但某些感光材料的光学常数有可能随着入射光的照射时间增加而发生改变,而由此产生的误差会在一定程度上传递给待测形貌参数的逆向提取值.本文针对聚甲基丙烯酸甲酯光刻胶薄膜培片和光栅结构分别开展了光学散射测量实验与仿真研究,结果表明该光刻胶材料的光学常数随着入射光照时间增加而变化,进而导致光栅结构形貌参数的提取结果较大地偏离于真实值,不容被忽视.这一研究发现将为更进一步提高光刻胶纳米结构三维形貌参数的测量精确度提供理论依据. 相似文献
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合成了稀土配合物Eu(TTFA)3(TTFA,2-thenoyltfifluoroacetone)掺杂的树脂型光刻胶薄膜,测定了薄膜的激发光谱和发射光谱.根据Judd-Ofelt理论,由发射光谱获得了Eu3+在光刻胶薄膜中的J-O参数Ω2=24.4×10-20cm2,Ω4=2.8×10-20cm2.利用得到的J-O参数计算了光刻胶薄膜中5D0激发态的辐射跃迁概率(977 s-1)和辐射寿命(1.02 ms),同时导出了光刻胶薄膜中Eu3+的5D0→FJ(J=1,2,4)跃迁的受激发射截面σ和荧光分支比β.分析表明,Eu3+掺杂的光刻胶薄膜具有较长的亚稳态寿命以及较大的受激发射截面,是一种主动放大的光波导薄膜.其发射波长与光刻胶的低吸收损耗区很好地匹配,可用于研发聚合物光波导放大器和激光器. 相似文献