谈蚀刻设备与真空蚀刻机

本文叙述了蚀刻机的发展，及其传送、摆动、喷嘴等主要结构的变化与对蚀刻效率的影响。同时介绍真空蚀刻机结构与功效。     

模具半导体激光强韧化工艺研究

为了研究模具材料半导体激光表面强韧化工艺,采用半导体激光表面淬火工艺,进行了7CrSiMnMoV,Cr12MoV,CrMo铸铁等典型模具材料半导体激光淬火的工艺研究,得到了不同模具材料优化的激光工艺参量。结果表明,激光表面淬火后的硬度满足模具材料的使用要求。这一结果为激光模具表面强韧化处理提供了可靠的保障。     

国外VLSI等离子蚀刻设备的现状及发展趋势

本文述评了国外等离子干法蚀刻技术及设备的发展概况。主要介绍了可进行亚微米图形蚀刻的磁控反应离子蚀刻及新型的电子回旋共振(ECR)等离子蚀刻技术原理和处于开发应用阶段的模块组合式蚀刻设备概况。最后讨论了几种可能进入256MDRAM时代的蚀刻技术的发展趋势。     

模具激光热处理

本文通过试块实验,研究了模具材料Cr12在激光热处理时主要工艺参数的影响;对微熔工艺和未熔工艺进行了分析比较;用激光处理的模具,获得了较好的效果,证实了激光表面硬化是提高模具寿命的有效途径。     

AMEC发布新型蚀刻与CVD设备

中微半导体设备（Advanced Micro-Fabfication Equipment．AMEC）12月正式发布了两款新产品：蚀刻装置“PrimoD—R1E”和CVD装置“Primo HPCVD”。AMEC称，两款产品均针对65nm及45nm工艺节点，比市场现有产品处理能力高出35％，因此成本理论上也可下降35％。     

游标式分度刻盘的激光加工工艺研究

利用CO2脉冲激光器对1Cr18Ni9不锈钢板进行激光蚀刻, 探究高精度刻线的刻度盘的加工工艺。主要研究辅助气体、焦深、光斑移动速度等激光加工工艺参数对刻槽的影响, 优化工艺参数, 以求获得良好的几何精度和理想的刻槽轮廓。研究结果表明: 基于1Cr18Ni9不锈钢、使用压缩空气, 不同类型喷嘴对试样无明显区别, 气压过低、距离过近都会使试样产生熔渣或黏结, 连续调节焦深和光斑移动速度可获得理想的焦深范围和速度。针对后续的大批量生产的要求, 相应提出改进的工艺方案, 使其精度和可靠性达到更高的要求。     

干法腐蚀损伤研究

采用 RIE 法,利用 PIN 光电二极管,研究了干法腐蚀损伤机理及引起损伤的主要因素。由于离子轰击及电子、紫外线辐射,形成了腐蚀面的损伤和沾污。射频功率的大小对表面损伤起着主要作用。用退火方法可以降低损伤程度,甚至可以消除小功率作用下的损伤。     

深硅槽开挖工艺

本文介绍了硅槽应用,即硅槽隔离和硅槽电容,对器件性能的改善。并介绍了硅槽隔离和硅槽电容的形成步骤及硅槽刻蚀剖面的形貌控制,CBrF_3刻蚀硅槽侧壁保护层的形成等等。     

太阳能电池制绒设备研究的几点心得

着重对太阳能电池制绒工艺的研究进行了阐述,并以研究所得的工艺数据为基础,对制绒设备的关键部件——工艺槽体的设计进行了详细说明,保证所研发的最终设备满足了大规模生产线对制绒设备的需要。     

霉菌污染及其防治措施

霉菌是空气中导致病菌污染的一个重要指标，国内对它的研究大多集中在检验学及流行病学领域，关于室内空气质量方面的较少。本文通过试验对普通居室内空气中霉菌进行了检测，分析了霉菌的污染状况，并提出预防和解决措施。     

干法腐蚀

本文介绍等离子体腐蚀工艺、诊断和终点检测方法,包括有关的腐蚀机理以及气体组分的比较。同时,指出等离子体腐蚀工艺的发展趋势。     

一种用于VLSI工艺模拟的反应离子刻蚀速率模型

本文提出了一种适用于VLSI工艺模拟的反应离子刻蚀(RIE)速率模型。模型的建立采用统计数学方法,结合较少次数的实验。该模型精度高,实用性强。对CF_4/O_2刻蚀二氧化硅和SF_6/O_2刻蚀掺磷多晶硅的实验表明,模型精度达到5％。该模型植入刻蚀模拟器后能使亚微米刻蚀模拟的精度,提高到一个新的水平。     

宽板激光拼接技术及设备

论文介绍了所研制的一种采用激光切割——焊接组合工艺进行宽板拼接的关键技术及成套设备。工艺参数优化后的激光无氧切割可获得基本无挂渣、无氧化的光滑切割断口。两坯板在切割——焊接全过程中始终被左右夹钳夹持,分别先后在同一切割头运动下完成切割程序。左右夹钳在原切割位置自动拼合坯板。宽度为2m的坯板拼缝间隙可控制在0.05mm以下。为了保证拼缝与焊接头的运动轨迹重合,切割与焊接采用同一组反射聚焦镜片,切割与焊接功能的转换通过自动装上和卸下切割喷嘴实现,避免了一般光路传输反射镜切换方案可能产生的重合误差。该设备配备有激光焊接过程稳定性的实时监测系统,可识别2mm以上未焊透和烧穿缺陷。该设备不仅能拼焊等厚板,也能拼焊不等厚板,拼焊接头性能可满足汽车零件冲压成型的要求。     

Application of Wet Chemical Etching in Fabrication Process of GaAs/AlGaAs Quantum Dot Arrays

Two types of GaAs/AlGaAs quantum dot arrays with different dot size are fabricated by dry etching and dry-wet etching. PL spectra of the quantum dot arrays at low temperature show the blue shifts due to the quantization confinement effects, and the blue-shift increases with the decrease of the dot size. It is also found that wet chemical etching can reduce the surface damage caused by high-energy ion etching and improve the optical characteristics of the quantum dot arrays.     

Application of Wet Chemical Etching in Fabrication Process of GaAs/AlGaAs Quantum Dot Arrays

Ｌｏｗｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ,ｓｕｃｈａｓｑｕａｎｔｕｍｗｅｌｌ（ＱＷ）,ｑｕａｎｔｕｍｗｉｒｅ（ＱＷＲ）ａｎｄｑｕａｎｔｕｍｄｏｔ（ＱＤ）ｈａｖｅａｔｔｒａｃｔｅｄｍｏｒｅａｎｄｍｏｒｅａｔｔｅｎｔｉ...     

微压印光刻的模具制作工艺研究

从模具材料研究模具制作工艺问题，通过实验研究，对比分析了有机玻璃模具和硅橡胶模具制作工艺。实验表明，可以复制出特征尺寸为0．35μm和0．1μm的有机玻璃模具和硅橡胶模具，均具有很高的复型精度。由于硅橡胶模具制作工艺在复型精度、复型精度稳定性和制作速度上均优于有机玻璃模具，且缺陷密度低于有机玻璃模具。因此，选用基于高复型精度软硅橡胶模具的软压印光刻工艺。