温度对电容器用TiCxN1-x／Al复合铝箔比电容的影响

采用多弧离子镀技术制备高容量电容器用TiCxN1-x/Al复合铝箔电极,研究不同温度下TiCxN1-x/Al复合铝箔的比电容特性,并通过扫描电镜和X射线衍射分析不同温度下铝箔的表面微观结构和物相变化规律.结果表明,TiCxN1-x/Al复合铝箔的比电容高达1 600 μF/cm2,经退火处理后,TiCxN1-x涂层表面颗粒有逐渐长大趋势,晶体结构也从非晶态向晶态转变,当退火温度高于200 ℃时,复合铅箔比电容下降较快.     

高纯稀土化合物中九种痕量非稀土杂质的无焰原子吸收测定

本文建立了高纯氧化钇、氧化、氧化钕、氧化钐和氧化钆等样品中铅、铜、锰、钴、镍、铁、钒、铬和镉等９种痕量元素的石墨炉原子吸收测定方法,研究了基本改进剂在提高灰化温度克服灰化损失和消除基体背景吸收干扰等方面的作用,分析方法简单准确。     

聚烯烃化合物中杂质颗粒的激光扫描检测

为聚烯烃绝缘材料中杂质颗粒检测的激光扫描薄带法建立了新型的信号提取技术；采用光敏阵列与运放隔离求和法，使光电接收器件既有较高的时间－频率域响应，又能有效压抑材料光散射引起的噪声．应用阻光法建立了激光束扫描杂质颗粒的数学模型，据此推导出了测量信号参数与颗粒直径的关系．最后文中还报道了试样的测试结果和测试装置的标定曲线     

微量Ga对电容器阳极用铝箔组织及比电容的影响

采用X射线衍射定量检测含微量Ga高压电解电容器阳极用退火箔的立方织构,用金相显微镜及扫描电镜观察其显微组织,用图像分析软件分析腐蚀箔的腐蚀结构,研究了微量Ga对组织结构、腐蚀结构及比电容的影响.结果表明:Ga的质量分数由05×10-6提高至116×10-6时,铝箔的立方织构的体积分数略微下降,但在520V的比电容却由0662μF/cm2增加到0706μF/cm2;当Ga的质量分数增加至214×10-6时,显微组织及织构变化不明显,但比电容下降至0693μF/cm2.这是因为适当添加微量Ga能促进电化学腐蚀发孔,增加箔的表面积,提高其比电容;但Ga的质量分数高于116×10-6时,将增加箔的并孔数量,减少其表面积,导致比电容下降.     

基于镍-对苯二甲酸的金属有机框架化合物制备及电容性能研究

以六水合硝酸镍和对苯二甲酸为原材料,以水热反应法制备了一种镍基金属有机框架化合物(MOFs)。用X射线衍射技术、循环伏安法和恒流充放电法对合成产物的结构和性能进行了表征,考察了水热反应温度和反应物的摩尔比对合成产物的结构和电容性能的影响。测试结果表明,在反应温度为180℃,硝酸镍与对苯二甲酸的摩尔比为1∶1时,合成得到的MOFs材料具有高比电容。在1 A/g的电流密度下,放电时间长达477 s,比电容高达1 403 F/g。在10 A/g的电流密度下恒流充放电1 000次后,保持了初始电容值的45%。     

高纯铝箔比电容研究的新成果

我院铝箔电容科研组经过多年的探索,于一九八一年研究出提高高纯铝箔比电容的新方法,获得了一批高比电容的高纯铝箔,在益阳县电容器厂进行了高比容低电压电容器试生产取得了成果,并于一九八一年十二月一日至二日在湖南省电子工业局主持下通过了鉴定。参加这次鉴定会的有四机部成果办、丹东电子铝箔厂、湖南省电子产品例行试验站、无     

高纯钛制备过程中杂质Si的行为分析

对卤化法制备高纯钛过程中杂质Si的行为进行了热力学分析.在实验控制的条件下,杂质Si在卤化源区可以生成SiI2和SiI4,以SiI4的形式在沉积区分解,从而进入高纯钛中.通过分析得出了抑制SiI4生成的温度控制范围.实验发现,在控制卤化源区温度773.15-973.15 K,沉积区温度1373.15-1473.15 K的条件下,可以较好地抑制Si的污染.     

微量元素对高纯铝箔立方织构的影响

采用晶体取向分布函数(ODF)研究和分析了在高纯铝中分别加入不同含量的微量稀土或铍对成品高纯铝箔立方织构的影响．研究结果表明添加微量稀土和铍,能改变高纯铝箔变形织构组分含量,单独加稀土时,形变织构变化不大;在单独加铍时,其S取向{123}<634>和Cu取向{112}<111>变化较大,随铍含量增加,其S取向密度f(g)减少,Bs{110}<112>取向密度增加．再结晶退火后,随稀土加入量增加,立方织构{100}<001>取向密度增加,R织构{124}<211>取向密度减少;铍添加较少时能增加成品箔材中立方织构{100}<001>强度,但随铍含量增加,立方织构含量急剧减少,R织构强度相应增加．稀土和铍在铝中溶解度都极小,与铁等微量杂质元素可能形成化合物析出后,能净化基体,减小铁对形成立方织构的阻碍作用,促进再结晶立方取向核心的形成与长大,增加立方织构比例．     

成品退火对高纯铝箔立方织构的影响

高纯铝箔主要用于制作高压电容器的阳极材料,电容器的比电容大小与阳极箔材中立方织构的含量密切相关立方织构含量越高,箔材腐蚀后有效表面积越大,其比电容也相应越大.作者采用晶体取向分布函数(ODF)研究和分析了成品退火工艺制度及冷却速度对不同铁含量高纯铝箔立方织构的影响.研究结果表明含Fe0.0011％的高纯铝箔在二级退火190℃/3h+520℃/2h条件下立方织构含量较高,R织构比例较小.由于铁的含量及存在状态严重影响了高纯铝箔的立方织构含量,当铁含量较高或过饱和固溶在基体中时,成品退火时主要出现原位再结晶,立方织构较弱,R织构较强.因此,含Fe0.0016％的高纯铝箔成品退火后虽在空冷时立方织构含量较高,但其立方织构含量均低于含Fe0.0011％的高纯铝箔中的立方织构含量.     

电容层析成像中微小电容检测的研究

本文对几种微小电容检测的方法进行了探讨，详细地阐述了交流电桥法微小电容检测的原理，提出并了一种交流型电容测量电路，其电路硷定性：信噪比、分辨率部比充／放电直流型转换电路的高。该电路能抑制杂散电容的干扰，能测量微小电容的变化。     

低压电容铝箔国产化的研制(英文)

本文利用金相、X光和电子显微镜等技术,对国产和进口低压电容器用铝箔的成分和组织结构等进行了对比分析。通过对铝箔直流腐蚀形貌的观察,研究了提高铝箔比电容的机理。成功地开发了一种新型国产电容铝箔,经工厂实际生产应用证明,各种技术指标均达到进口电容铝箔的水平,能取代进口箔,具有巨大的社会效益和经济效益。     

高压电解电容器阳极铝箔扩面腐蚀机理的研究

从扩面腐蚀机理的研究出发，针对国产铝箔的特点，设计出行之有效的扩面腐蚀工艺，从而使国产铝箔制成高比容高强度的高压电解电容器阳极用腐蚀铝箔。     

高纯度氧化铁红的研制

本文探讨了一种氧化铁红的新的生产工艺方法,旨在提高氧化铁红的纯度,满足生产实际中的要求。并对研制过程中一些问题及处理方法进行一些探讨。     

低压宽温低阻抗铝电解电容器有机电解液的研究

概括分析了低压宽温低阻抗工作电解液的基本要求与研制途径，系统研究了以马来酸氢铵，马来酸四乙基氢铵为液质，乙二醇和γ－丁内酯为混合溶剂的２种新型工作电解液的基础性能。     

铝及铝合金中高含量镁的测定方法研究

本文在研究铝对原子吸收光谱法测定镁的干扰规律基础上,利用铝对镁的干扰缓冲特性,建立一种快速测定铝及铝合金中镁的新方法。该法简便、快速,经标样分析表明准确度及精密度均符合要求,适应铝合金生产质量控制的需要。     

高寒地区炼铝最佳工艺制度研究

通过对电解槽进行电压平衡及能量平衡测试 ,找出了电解槽输入能量与环境温度关系式 ,最后给出了高寒地区炼铝工艺制度 ,取得吨铝降低电耗 70 7k Wh的结果     

高纯度PAN基碳纤维及其原丝的研制

对用几种方法制取的高纯度PAN原丝进行了分析对比,选取了以无碱金属引发体系的HNO_3溶液聚合工艺制得原液并纺制了碱金属及碱土金属总含量小于100ppm的高纯级PAN原丝。将其与其余三种一般纯度的PAN纤维以同样氧化、碳化工艺制得了碳纤维,并以密度、质量比电阻、X—光衍射、扫描电子显微镜、热分析及原子吸收光谱等方法研究了高纯碳丝及原丝的特点。     

季按盐对铜和铝在酸性溶液中腐蚀行为的影响

本文研究了不同浓度的十六烷基吡啶氯化铵(10~(-6)～10~(-3)mol·dm~(-3))和十六烷基三甲基溴化铵(10~(-5)～10~(-3)mol·dm~(-3))对铜在硝酸溶液和铝在盐酸溶液中的腐蚀影响。当季铵盐浓度达10~(-4)mol·dm~(-3)时,缓蚀率随其浓度的增加而达到一最大值。在25℃条件下,用恒电位法测定了有关体系的极化曲线,有季铵盐存在时,阳极极化曲线向低电流密度方向移动。根据Langmuir吸附等温式和季铵盐的结构特性对结果进行了讨论。     

高纯硅石中微量铁钙的原子吸收光谱分析

提出了高纯硅石的溶样方法和微量铁钙的火焰原子吸收光谱分析条件，采用标准加入法，既能避免强烈的背景影响，又能克服严重的基体干扰，结果准确可靠，铁钙的精密度分别为４．９％和５．５％回收率在９２％￣１０２％。     

铝合金在氯化铵溶液中的缓蚀研究

借助于电化学方法和SEM技术研究了铝合金在氯化铵溶液中的阳极行为.所研制的铝合金较之纯铝具有明显的耐腐蚀效果,在加有少量(NH_4)_2CrO_4(C_2H_5)_4NBr或明胶作为缓蚀剂的NH_4Cl体系中,它们的耐蚀能力更强,阳极极化下的自放电速度很低,当电流密度为i_a=15～50mA/cm~2时,电极效率(η)可达99%;同时电极表面的孔蚀现象受到一定的抑制,腐蚀变得更均匀.