磁存储材料的未来发展

从未来微型计算机对磁存储器应具有超高存储密度的要求出发，讨论了磁存储材料的未来发展．并指出，最有希望的材料是沿用传统模式纵向记录的薄膜磁介质和新型的磁光存储薄膜．对于如何实现此超高密度的磁和磁光存储，文章还讨论了各自需要解决的问题及相关的信息存储和读出技术．     

基于DVD光头的双光子光致漂白三维光存储

基于现有的DVD光头物镜与音圈电机，根据光致漂白的双光子吸收气维光信息存储原理，以钛蓝宝石飞秒脉冲激光进行双光子光信息写入和读出，利用音圈电机进行选层，在新型光致漂白材料二苯乙烯衍生物中进行光致漂白二进制编码信息的存储和读出实验研究；实现了三层光信息存储，信息点间距和信息层间距分别为4μm和15μm；用Matlab软件读出信息的信号强度并对其进行了识别，识别结果与写入的二进制编码信息完全一致。实验证明了用DVD光头进行双光子三维光数据存储的可行性，表明双光子吸收光致漂白技术可以与现有CD／DVD兼容，为实现多层高密度和超高密度光信息存储打下基础。     

用于蓝光存储的无机材料的研究及进展

光存储朝着高密度、大容量、高数据传输率方向发展。下一代的光盘记录将从目前广泛使用的红光波段向蓝光波段发展。本文综述了可用于蓝光记录的新一代超高密度光盘无机存储材料的研究现状和新进展。     

用于蓝光存储的无机材料的研究及进展

光存储朝着高密度、大容量、高数据传输率方向发展。下一代的光盘记录将从目前广泛使用的红光波段向蓝光波段发展。本文综述了可用于蓝光记录的新一代超高密度光盘无机存储材料的研究现状和新进展。     

高密度光数据存储技术的发展

讨论了信息技术发展中信息数据存储的重要性,比较了磁存储和光存储的各自特点,介绍了光盘存储技术的发展趋势和高度光盘存储技术的关键问题,进一步讨论了超高密度光存储的发展可能。     

有机单体3-phenyl-1-ureidonitrile薄膜的超高密度信息存储

采用扫描隧道显微镜(STM)在3-phenyl-1-ureidonitrile(PUN)有机单体薄膜上进行了超高密度信息存储的研究.通过在STM针尖和高定向裂解石墨(HOPG)衬底之间施加一系列的电压脉冲,在薄膜上写入了一个稳定的5×6信息点阵,信息点的大小是0.8nm.电流电压(I-V)曲线表明,施加电压脉冲前后薄膜的导电性质发生了变化.信息点的写入机制可能是强电场作用下引发的PUN分子的局域聚合,从而导致薄膜由高电阻态向低电阻态转变. 关键词： 超高密度信息存储 有机薄膜 扫描隧道显微镜(STM)     

新一代高密度数字多用光盘(HD-DVD)研究进展

文章综述了新一代高密度数字多用光盘的研究进展，介绍了多种新型蓝绿光高密度可录和可擦重写光盘存储材料，讨论了高密度数字多用光盘所面临的问题以及其解决方法，最后提出了中国超高密度光盘存储技术发展的研究思路。     

薄膜异质结及二维材料中的磁斯格明子

磁斯格明子因具有拓扑稳定、移动速度快、尺寸小、驱动电流密度低等优异性质引起了人们的广泛关注。它被视作未来超高密度磁存储和逻辑功能器件的理想信息载体。基于磁斯格明子的自旋电子学器件具有非易失、高读写速度、高存储密度以及低功耗的优势,从而能满足人们对高性能器件的要求。此外,拓扑性与磁性的结合使得磁斯格明子成为研究拓扑磁性物理的良好平台。文章简要介绍了磁斯格明子的发展概况及其拓扑物理性质,并着重讨论薄膜异质结及二维材料中磁斯格明子的研究进展,为今后进一步探索磁斯格明子相关研究领域抛砖引玉。     

纳米电子学中超高密度信息存储研究的新进展

超高密度信息存储是纳米电子学的重要课题，我们根据电荷转移原理，在有机复合薄膜上用扫描隧道显微镜首次得到直径为１３ｎｍ的信息点阵．信息记录点的形成起源于薄膜的局域电导变化，即此有机薄膜具有电学双稳态特性     

光电子学与光电子产业专题系列介绍 超分子光化学与有机光电功能材料

本文介绍了超分子光化学及其在高技术中的潜在应用．着重描述了光化学分子器件及双稳态分子的设计，这是元、器件微型化发展的必然趋势和解决途径．讨论了超分子光化学体系用作高效光能转化材料、有机非线性光学材料、超高密度分子存储材料的最新发展动向．超分子光化学作为一门迅速兴起的多学科交叉的前沿学科正受到人们极大的关注．     

多阶光存储的调制原理分析与编码设计研究

根据编码理论的状态切分算法，提出一种新型的8阶(1,3)游程长度受限码，在最小记录符上能够存储3.0比特的用户数据，并且编码与译码逻辑简明，可用于未来高密度多阶游程长度调制光盘系统.     

近场光学在高密度存储中的应用

近场光学在高密度存储方面有着很大的潜力 ,使得近场光学存储近年来得到了广泛的关注。近场光学存储具有高密度大容量及可以利用许多已有相关技术等优点 ,预计近场光学存储密度能达到 7Gbit/ cm2 ;它还可以采用硬盘驱动器中的空气悬浮磁头技术和磁光存储中的技术等 ,使近场存储的研究和开发更加迅速。目前 ,近场光学存储主要有三种方案 :探针型方案、超分辨率近场结构、固体浸没透镜方案 ,这三种方案都是通过不同的方法缩小记录光斑来实现高密度的存储。介绍了近场光学存储的原理、研究现状及材料 ,并对三种近场存储方案的实现方法和发展概况作了详细的阐述 ,分析了这三种方案的优缺点     

双光子吸收三维数字光存储

双光子吸收三维数字光存储是实现超高密度光存储的一种重要方法,双光子吸收几率与作用光强的平方成正比,使得只有位于焦点小范围内的记录介质受到激发,双光子吸收激发的光致聚事作用,光致变色作用、光致荧光漂白、光折变等效应,引起这一小范围内记录介质的光学性质发生改变,结果能将信息写到亚微米尺度的体积单元中,实现三维数字光存储,这种双光子吸收三维数字光存储密度可达10^12Bits/cm^3。文章介绍了双光子吸收三维数字光存储的原理和进展。     

Multi-level optical data storage in a photobleaching polymer using two-photon excitation under continuous wave illumination

A multi-level recording method is implemented in a photobleaching polymer using two-photon excitation under continuous wave illumination. It is experimentally shown that information encoded with ten levels of darkness can be successfully stored. This multi-level bit optical data storage method is of importance in increasing the storage density of a recording material and the speed of data access.     

Approximated Vector Diffraction Theory for Readout Signal of Multi-Level Run-Length-Limited Discs

Multi-level run-length-limited read-only optical storage is a kind of high density storage method. The width and height of recording marks are varied with different levels, which is the key technology for the optical storage. Then the readout signal of these discs with complex recording marks is computed by vector analysis method, it is very hard and time-consuming. Approximated vector computation combines the convenience of scalar method and precision of vector method, which is effective for multi-level run-length-limited read-only optical storage.     

New azo-dye-doped polymer systems as dynamic holographic recording media

Polymer materials show their impact on optical storage technology for developing high information density and fast access-type memories with a high read-out efficiency. New azo-dye-doped polymer materials have been developed and used for recording dynamic holograms. Dynamic holograms with reasonably high diffraction efficiency have been recorded at 468 nm, and the efficiency of the Write, Read and Erase (WRE) cycle in these azo-dye-doped polymer materials was determined. Significant observations in these materials are: (i) there is no need to change the polarization of the writing beam to erase the recorded holograms, (ii) the whole WRE cycle is very fast (3–6 s) and (iii) recording of more than 250 WRE cycles without any fatigue of the recording materials is possible.     

利用菌紫质薄膜进行角度复用和偏振复用全息存储实验研究

全息光存储以其高密度、大容量、高速并行数据存取而成为光存储领域的一个重要研究方向。生物光致变色材料———菌紫质是一种新型可擦重写全息记录介质。实验证明了使用菌紫质薄膜进行角度复用和偏振复用全息存储的可行性。利用菌紫质的光致变色特性,采用90°角度复用全息存储光路,在BR-D96N薄膜样品同一位置上实现了6幅全息图存储,并分别读出了无串扰的再现像。利用菌紫质薄膜的光致各向异性进行了偏振复用全息存储,在BR-D96N薄膜样品的同一位置上存储了两幅正交偏振光记录的图像,用原参考光再现和偏振片选择,可分别读出这两幅图像。     

Novel Bilayer Structures for Short Wavelength High Density Magneto-Optical Data Storage

We report a novel bi-layer thin film structure for high density magneto-optical (MO) data storage, which combines the advantages of blue wavelength and magnetically induced superresolution (MSR) recording. A double-layer system of exchange-coupled light rare-earth (LRE) element doped NdGdFeCo and traditional TbFeCo is used as the recording medium. The experimental results demonstrate that this NdGdFeCo/TbFeCo double layer has large Kerr rotation under blue wavelength. Centre aperture detection (CAD) MSR effect with temperature rising is also observed. Theoretical calculation is also carried out to verify the experimental results. These results collectively suggest that the new bilayer structure is very promising in next generation high density MO data storage.     

自组装有机分子薄膜的可逆超高密度信息存储

信息技术的迅速发展对信息存储密度提出了越来越高的要求，采用自组装方法研究了有机分子4’-氰基-2，6-二甲基-4-羟基偶氮苯（4’cyano-2，6-dimethyl-4-hydroxy azobenzene）的成膜特性．通过在扫描隧道显微镜的针尖和基底之间加脉冲电压在薄膜上进行信息点的写入，得到了直径为1．8nm的信息点，并分析了信息点形成的机理．     

Experimental research on high density data storage using solid immersion lens

We have set up a solid immersion lens (SIL) near-field static recording system for demonstrating preliminarily the feasibility of SIL technology in the higher density storage. The experimental result with recording mark size of 240 nm is obtained corresponding to a potential of density of tens of gigabits per square inch. Some factors in the SIL near-field recording are discussed.