1.5μmDFB激光器简介

本文介绍最近几年各国研制的一些1.5μmDFB激光器的目前水平,重点介绍DBF激光器的制作方法、结构及其特性。     

用于光纤通信的1.55μmDFB激光器的可靠性分析

对用于光纤通信的InP基1．55μm DFB激光器的可靠性进行了研究。测试并分析了100℃时100mA和150mA2种电流应力条件,经过1700h老化,测试分析了激光器特性随时间的变化情况,拟合出在100C,150mA条件下的激光器寿命存1000h小时左右。根据实验结果对比。提出了一种新的利用温度、电流两个加速度变量同时进行加速老化,快速估计激光器寿命并分析其可靠性的方法。对新的寿命估算方法进行了详细的讨论。     

1.30μmDFB激光器组件的设计和制做及其工作原理

本文自行设计和制作了１．３０μｍＤＦＢ激光器组件的讨论了光隔离和光耦合原理。由于采用的激光器－光隔离器－光纤的一体化结构，大大增加了该组件的可用性。在实验中得到高达５５％的耦合效率。     

1.3～1.55μm波长DFB和DBR激光器最新进展

本文介绍近年来国外在研制1.3～1.55μm 波长 InGaAsP 材料系 DFB 和 DBR激光器方面取得的最新成果。     

高质量的一级光栅1．55μmDFB激光器

本文详细叙述了ＤＦＢ激光器的设计要点和新的工艺。采用一级全息光栅和二步液相外延法批量研制出高稳定单纵模工作的１．５５μｍ分布反馈激光器（ＤＦＢ—ＬＤ）。外延片成品率＞４０％。器件特性：２５℃时阈值电流２０ｍＡ，单面光功率＞１０ｍｗ，主边模抑制比ＳＭＳＲ达４３ｄＢ（λ／４相移光栅），谱线宽度△ν－２０ｄＢ＝０．３ｎｍ，调制速率＞１．８ＧＨｚ。可靠性测试显示：高温监测光谱稳定，２５°Ｃ时阈值退化率△Ｉｔｈ／ｔ＜０．３ｍＡ／ｋｈ，对应器件预估寿命将超过１０万ｈ。     

采用纳米压印技术制作DWDM激光器的研究

 适合DWDM系统应用的高性能DFB半导体激光器是现代光通信系统中发射机的核心光电子器件,光栅的设计和制作是决定器件性能的关键因素之一。目前,基于MOCVD设备的材料外延技术趋于稳定,高速器件封装技术也已经成熟,满足DWDM需求的DFB光栅的加工渐渐成为进一步降低成本的一个瓶颈。本文利用纳米压印技术制作DFB激光器光栅。结果表明,利用纳米压印技术制作出来的DFB激光器性能不逊于用EBL直接制作出的高性能激光器,不仅可以满足DWDM系统的要求,而且还具有生产效率高、成本低的优点。     

用于1.55μm InGaAsP/InP DFB激光器的λ/4相移衍射光栅

采用全息二次曝光的方法,研制出用于 1.55μm InGaAsP/InP DFB激光器的,具有 λ/4相移的二级光栅,并通过扫描电镜(SEM)证明了相移的存在.本文分析了制备该种光栅的工艺原理,并提出了改善此种光栅质量的新方法.