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利用霍尔效应、电流-电压(I-V)、光致发光谱(PL)和光电流谱(PC)研究了不同掺铁浓度的半绝缘InP的性质.半绝缘InP的I-V特性明显地依赖于掺铁的浓度.掺铁的浓度也对半绝缘InP的光学性质和材料中缺陷的形成有影响.用PL和PC分别研究了掺铁半绝缘InP的禁带收缩现象和材料中的缺陷. 相似文献
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掺铁浓度对半绝缘磷化铟的一些性质的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用霍尔效应、电流-电压(I-V)、光致发光谱(PL)和光电流谱(PC)研究了不同掺铁浓度的半绝缘InP的性质.半绝缘InP的I-V特性明显地依赖于掺铁的浓度.掺铁的浓度也对半绝缘InP的光学性质和材料中缺陷的形成有影响.用PL和PC分别研究了掺铁半绝缘InP的禁带收缩现象和材料中的缺陷. 相似文献
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InP中的深能级杂质与缺陷 总被引:2,自引:0,他引:2
综述了近年来关于InP中深能级缺陷和杂质的研究工作。讨论了深能级杂质及缺陷对InP材料性能的重要影响;介绍了深能级瞬态谱(DLTS)、光致发光谱(PL)、热激电流谱(TSC)、正电子寿命谱(PAS)、正电子深能级瞬态谱(PDLTS)等几种研究深中心的方法在研究InP时的某些特点;综合深能级缺陷和电学性质的测试结果,证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关;分析了对掺铁和非掺退火两种半绝缘InP材料中深能级缺陷对电学补偿的影响;评述了对InP中的一些深中心所取得的研究成果和半绝缘InP的形成机理。 相似文献
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Vacancy and interstitial defects in as-grown and annealed semi.insulating(SI)InP single crystal have been studiedby using electrical measurement,positron lifetime spectroscopy and X-ray diffraction technique.As.grown Fe.doped SI.InP contains vacancy which gives rise to deep level compensation defects and deteriorates electrical property of the material.Vacaney is fully suppressed in SI material that is obtained by high temperature annealing undoped InP in iron phosphide ambient.A moderate concentration of interstitial exists in the annealed material.The influence of vacancy and interstitial on electrical property and thermal stability of SI-InP have been discussed based on the experimental results. 相似文献
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对液封直拉(LEC)非掺磷化铟(InP)进行930℃ 80h的退火可重复制备直径为50和75mm的半绝缘 (SI)衬底.退火是在密封的石英管内纯磷(PP)或磷化铁(IP)两种气氛下进行的.测试结果表明IP-SI InP衬底具有很好的电学性质和均匀性,而PP-SI的均匀性和电学参数都很差.在IP-SI样品的PL谱中出现与深缺陷有关的荧光峰.光激电流谱的测量结果表明:在IP气氛下退火获得的半绝缘磷化铟中的缺陷明显比PP-SI磷化铟的要少.并对退火后磷化铟中形成缺陷的机理进行了探讨. 相似文献
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对液封直拉(LEC)非掺磷化铟(InP)进行930℃ 80h的退火可重复制备直径为50和75mm的半绝缘 (SI)衬底.退火是在密封的石英管内纯磷(PP)或磷化铁(IP)两种气氛下进行的.测试结果表明IP-SI InP衬底具有很好的电学性质和均匀性,而PP-SI的均匀性和电学参数都很差.在IP-SI样品的PL谱中出现与深缺陷有关的荧光峰.光激电流谱的测量结果表明:在IP气氛下退火获得的半绝缘磷化铟中的缺陷明显比PP-SI磷化铟的要少.并对退火后磷化铟中形成缺陷的机理进行了探讨. 相似文献
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InP单晶材料现状与展望 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉技术(VCZ0PC-LEC)0垂直梯度凝固技术(VGF)0垂直布里奇曼技术(VB)等。对这些方法进行了分析和对比,指出各种方法的优势和发展方向。还讨论了大直径InP单晶生长技术的发展和关键因素。 相似文献
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本文采取理论计算与实验数据相拟合的方法,简明地图解了掺Fe或同时掺Fe和Ga的半绝缘InP的电学性质.当选取电子与空穴迁移率之比μ_n/μ_p(?)20时,两种材料的Hall迁移率μ_H都得到最佳拟合,与Rhee的结果一致.高温变温Hall数据表明,在迁移率与温度关系上,两种材料存在差异:掺Fe-InP的迁移率随温度升高而减小或基本不变,而同时掺Fe和Ga-InP的迁移率有随温度增加的趋势. 相似文献