晶体结构教学中两个易困惑处的研究与探讨

本文针对晶体结构教学过程中易于混淆和当前教材中模糊不清的知识点予以澄清和阐释,明确指出通过点阵变换来说明某个点阵不是新布拉菲点阵时,需要在同一晶系内进行,对称性不能改变,变换后成为另一晶系的点阵则不能否定该点阵的存在.本文还给出了四轴指数标记晶面时附加条件的三种证明方法,简单直观,可以加深学生对这些知识点的理解,适合在教学实践中采用.     

溶胀后的弹性印章进行毛细微模塑

用溶胀后的聚二甲基硅氧烷弹性印章进行毛细微模塑,得到了聚苯乙烯丙酮溶液的微四方点阵图案．较少的PS溶液滴加量会造成孤立不相连的微点阵图形．同时还获得了由于在收缩过程中各部分溶剂挥发速度不一造成的特殊的微点阵图案．     

铬过渡层位置及金属沉积角度对纳米球刻蚀法制备二维银纳米点阵结构的影响

利用纳米球刻蚀法制备了二维六角密排三角形银纳米阵列, 通过加入铬过渡层并改变其位置和改变金属沉积角度, 研究它们对点阵结构的影响. 实验发现, 加入铬过渡层所形成的银纳米点阵结构较无铬层有很大改善, 三角形角部更加尖锐, 更能满足传感器对信号检测的要求. 同时, 该过渡层应蒸镀在模板球排列之后, 才能获取更大面积的二维银纳米点阵结构. 在沉积角度对制备二维银纳米点阵的实验中, 基片没有旋转, 采用垂直镀膜方式更容易得到结构完整、结合较牢固、且面积较大、角部尖锐的二维银纳米点阵. 吸收光谱测量进一步验证了铬过渡层对二维银纳米点阵形貌结构的改善作用. 这些为下一步的生物修饰以及生物化学传感器的制备提供了先决条件.     

铬过渡层对纳米球刻蚀法制备二维银纳米结构的影响

研究了铬过渡层对纳米球刻蚀法制备二维银纳米点阵结构的影响。首先利用自组装的方法在玻璃基底上制备出单层排列的聚苯乙烯纳米球阵列,然后使用物理气相沉积的方法在二维聚苯乙烯纳米球阵列上沉积一层铬层作过渡层和银层,最后将玻璃基底在乙醇溶液中超声移除聚苯乙烯纳米球,得到二维的银纳米点阵。实验发现,随着铬过渡层厚度的增加,制得的二维银纳米点阵阵列趋于完整,单个的银纳米颗粒由椭圆状转变为三角形形状。实验中测量了所得到的二维银纳米结构的吸收光谱。     

α-LiIO_3单晶体在静电场作用下点阵常数的变化

本文用X射线双晶衍射平行排列(n,-n)的方法,观察了α-LiIO_3单晶体生长过程点阵常数a与c不规则的不均匀性以及在静电场作用下c的起伏现象。观测出在静电场作用下a与c的变化和沿电场方向晶体表面层存在点阵常数的梯度。从而,证明了l≠0的晶面在静电场作用下,中子衍射的增强是由于在z轴向点阵常数c存在梯度的观点。同时,(010)晶面中子衍射强度在同样静电场作用下不增强的实验事实,从本实验结果,可以认为是点阵常数a原有的不均匀性较大,掩盖了a的梯度所致。     

立方取向镍铁合金的轧制织构

本文用计数器X射线衍射仪测定了立方取向镍铁合金的轧制织构。试样经过不同压延率的冷轧,随着形变程度的增加,逐渐形成了形变織构(112)[111],(110)[112]和共生織构(3,7,11)[9,4,5]。在大于90％压延率的样品中,立方織构仍然保存,应用Rowland点阵转变模型和滑移机理来解释織构转变过程。     

α-LiIO3单晶体在静电场作用下点阵常数的变化

本文用X射线双晶衍射平行排列(n,-n)的方法,观察了α-LiIO₃单晶体生长过程点阵常数a与c不规则的不均匀性以及在静电场作用下c的起伏现象。观测出在静电场作用下a与c的变化和沿电场方向晶体表面层存在点阵常数的梯度。从而,证明了l≠0的晶面在静电场作用下,中子衍射的增强是由于在z轴向点阵常数c存在梯度的观点。同时,(010)晶面中子衍射强度在同样静电场作用下不增强的实验事实,从本实验结果,可以认为是点阵常数a原有的不均匀性较大,掩盖了a的梯度所致。 关键词：     

光学波段量子点阵衍射光栅的衍射特性

 概述了量子点阵衍射光栅的原理及制作方法,并设计标定实验,研究了不同角度及不同波长入射情况下量子点阵光栅的衍射特性。研究结果表明：量子点阵光栅不存在高级衍射,只保留了±1级和0级衍射,具有理想的单级衍射模式。光学波段量子点阵衍射光栅的成功研制为研制紫外、X光波段具有单级衍射特征的光栅提供了契机。     

纯ZrO_2纳米粒子结构的拉曼光谱研究

本文对粒径在５８～１０ｎｍ范围内不同粒度的纯ＺｒＯ＿２粒子进行了拉曼散射光谱研究。结果表明，粒子的点阵结构受表面效应的影响，粒径的减小，粒子表面层结构严重畸变，但仍是有序的结构。同时，表面效应将进一步引起ＺｒＯ＿２粒子点阵结构变化，在室温下，使单斜相的粒子自发地转变为四方相结构。ＺｒＯ＿２粒子由单斜相向四方相转变的临界直径为１５ｎｍ。     

一种新型的固溶体——Mg_(x/2)Li_(1-x)IO_3晶体结构随成分的变化

本文用室温、高温X射线衍射和差热分析等方法,研究了Mg_(x/2)Li_(1-x)IO_3晶体结构及其随成份和温度的变化。 Mg(IO_3)_2·LiIO_3二元系形成一种新型的连续固溶体。 在室温对于富LiIO_3的固溶体,晶体点阵沿x-y,平面产生畸变,其畸变开始随Mg(IO_3)_2含量的增加而加大,晶体的空间群从P6_3转变为P112.当成份为3Mg(IO_3)_2·7LiIO_3时,畸变度达最大,γ=120°22′。随着Mg(IO_3)_2含量的继续增加,畸变度又逐渐减小,当成份为Mg(IO_3)_2·LiIO_3时,晶体点阵的畸变消失,其空间群又转变为P6_3。 对于富Mg(IO_3)_2的固溶休,晶休点阵沿z轴发生畸变,晶体由具有不同c值的单胞所组成。当LiIO_3量为20—30mol％时,这一现象最为明显。随温度升高,晶体逐渐转变为单一c值的单胞。 我们认为:Mg(IO_3)_2·LiIO_3二元系固溶体,晶格发生畸变是与点阵中存在着空位密切相关的。由于空位富集,使得点阵常数c不均匀。也由于空位改变晶格场,引起IO_3~-的移动或转动,使得晶格沿x-y平面发生畸变。