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VGF法可实现晶体生长条件可控,晶体重复性好,所生长晶体尺寸大、位错密度低、应力小,是一种很有前景的晶体生长方法。本文综述了VGF法生长半导体晶体、数值模拟和磁场应用的国内外研究进展。 相似文献
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通过对产生孪晶的工艺条件的研究比较,分析了LEC-InP晶体中产生孪晶的原因。实验证明,建立一个稳定合适的热场、保持B_2O_3的透明度、控制好掺杂量等是减少孪晶的必要条件。 相似文献
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使用转移矩阵方法设计了InP薄膜正方网格结构二维光子晶体的带隙结构.计算结果表明由单胞参数为250nm,填充比为0.45组成的正方网格结构,在可见光和近红外波段有两个不完全带隙存在,透射率接近于零. 相似文献
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研究不同生长温度下的InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长,用光致发光和X射线双晶衍射等测试手段分析了其材料特性,得到了室温脉冲激射1.3μmAlGaInAs有源区SCH-MQW结构材料,为器件制作研究打下了基础. 相似文献
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通过对产生孪晶的工艺条件的研究比较,分析了LEC-InP晶体中产生孪晶的原因。实验证明,建立一个稳定合适的热场、保持B2O3的透明度、控制好掺杂量等是减少孪晶的必要条件。 相似文献
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