规范理论中反常的拓扑意义与规范群的ech-de Rham上同调

本文分析了规范群上同调的拓扑障碍。指出规范群上同调的上边缘算子相当于ech的差映射算子。采用逐级分区的方法克服以往常用的d~(-1)算子的含混性,而且将各阶上闭链与指数Z相联系,澄清了规范群上闭链的整体拓扑意义。     

平移群3－上闭链与带膜波函数

本文讨论了平修群上同调各阶拓扑障碍的特点, 澄清了一些模糊问题. 将规范无关的Mandelstam波函数(与路径有关波函数)推广为带膜的波函数, 使能明显表达平移群3－上闭链的特点     

关于规范群中含有Abel子群和有Higgs场的情况下重正化前后规范群的同构

在规范群含有Abel子群和有Higgs场的情况下,对重正化前后的规范群的同构性质作了一个严格的证明。 关键词：     

大统一对禁闭弱作用规范模型的限制

本文基于两个条件:10¹⁴GeV≤M_u≤10¹⁹GeV,300GeV≤Λ_hc≤1TeV,得到在禁闭弱作用规范模型中SU(N)超色规范群满足N≤3;大统一规范群的可能候选者为:SU(N)N≥7,SU(N)×SU(N)N≥4,SO(14)和SO(18)。 关键词：     

格点规范场论Monte Carlo模拟中一种节省时间的取样方法

我们在格点规范场理论的Monte Carlo模拟中引入了一种节省时间的取样方法,研究了该方法在Z₂规范群和SU(3)规范群临界点附近的行为,发现在越过一阶相变点时该方法将失效。按一定的程序,此特点可用来寻找一阶相变点。     

联络空间上同调、规范群上同调继承系与族指数定理

本文讨论了时空上deRham与联络空间的水平变更或与联络空间垂直变更构成的双上同调系列间的关系以及与族指数定理的关系。 关键词：     

拓扑性反常的递降继承

本文将单形上同调链的递降方程推广到一般的同调链. 几何上较明显地说明了不同维的物理量的拓扑非平庸性如何由表面项往低维递降继承.     

平移群上同调与Kronecker映象

本文利用任意n维平直空间(平移群流形)到n维球Sⁿ的Kronccker映象,给出平移群的任意高阶同调群上闭链的明显表达式。映象的拖回可作物理解释。 关键词：     

反常、Chern-Simons上链

本文提出一种联络空间上同调的概念,建立这种上同调群与Chern-Simons型示性类系列的同态关系,给出它们在反常、Wess-Zumino有效作用与Schwinger项等问题上的应用;从而概括了Faddeev,宋行长,Zumino等人最近关于这些问题的探讨。 关键词：     

SU(N)规范理论的倍步解

本文系统地研究了SU(N)规范群的单极解,将流行的同步球对称单极推广于倍步球对称情形,并因此给出了单极解的完全分类.以 SU(3),SU(4)为例进行了详细计算并讨论了角动量和拓扑量子数等问题.     

淡水湖泊水下未知物体形状的反演

将逆散射问题转化为由远场算子F、测试远场数据f和未知物体边界Γ构成的算子方程F(Γ)=f.利用Levenberg Marquardt方法和A.Kirsh引入的F在Γ上导数,求解该方程,从而确定未知物体边界Γ.     

Bi2Te3拓扑绝缘体表面颗粒化铅膜诱导的超导邻近效应

拓扑绝缘体的出现为寻找拓扑超导体和Majorana费米子提供了一种可能的途径. 在拓扑绝缘体Bi₂Te₃表面沉积极薄的不连续铅膜, 试图通过邻近效应感应出大片的超导区, 为下一步研究拓扑超导电性创造条件.借助四引线电输运测量实验, 在0.25 K的低温下看到了超流现象, 表明沉积在Bi₂Te₃表面的厚度小于20 nm的颗粒化铅膜能够诱导邻近效应, 并且使大片Bi₂Te₃超导. 关键词： 超导邻近效应 S-N-S结 拓扑绝缘体     

孤子振动模的定域性

对于聚乙炔中孤子的五个定域振动模,本文研究了它们的位形随链长的变化而演变的情况,从而可确定其定域性。本文同时考察了开链和闭环两种情况。对于闭链,五个定域模定域于孤子附近,其形状与链长无关。对于开链,定域模g₁,g₂,g₃和g₅的位形不随链长而改变,因而是完全定域的,但是g₄的两翼随链长增加而变宽,定域性不完全。 关键词：     

单轴压力下Ge2X2Te5(X=Sb,Bi)薄膜拓扑相变的第一性原理研究

随着拓扑绝缘体的发现, 材料拓扑物性的研究成为凝聚态物理研究的热点领域. 本文基于第一性原理计算, 研究了化合物Ge₂X₂Te₅ (X=Sb, Bi) 的块体结构和二维单层和双层薄膜结构的拓扑物性, 以及单双层薄膜在垂直方向单轴压力下的拓扑量子相变. 研究发现, A型原子序列排列的这两种化合物都是拓扑绝缘体, 其单层薄膜都是普通金属, 而双层薄膜都是拓扑金属, 单层和双层薄膜在单轴加压过程中都没有发生拓扑量子相变; 这两种化合物的B型原子序列的晶体是普通绝缘体, 其所对应的薄膜, Ge₂Sb₂Te₅单层是普通金属, 双层薄膜和Ge₂Bi₂Te₅的单层和双层薄膜均为普通绝缘体, 但是在单轴加压过程中B 型原子序列所对应的单层和双层薄膜都转变为拓扑金属.     

适用于中等耦合等离子体的碰撞算子

完全电离等离子体中，当试探粒子分布函数f_α是关于试探粒子速度v_α的偶函数时，导出了一个新的动力学方程的碰撞算子.该碰撞算子同时包括了大角散射(库仑近碰撞)和小角散射(库仑远碰撞)的二体碰撞的贡献,因此，该碰撞算子同时适用于弱耦合(库仑对数lnΛ≥10)和中等耦合(库仑对数2≤lnΛ≤10)等离子体.而且经过修改的碰撞算子和Rosenbluth势有直接的联系，当试探粒子和场粒子满足条件m_αm_β(如电子-离子碰撞或Lor 关键词： 中等耦合等离子体 小角散射 大角散射 碰撞算子     

基于拓扑绝缘体纳米线约瑟夫森结的反常临界超流增强和半整数夏皮洛台阶

基于拓扑绝缘体材料的约瑟夫森结是寻找马约拉纳零能模的候选器件,因而受到拓扑量子计算研究领域的关注.这方面实验的关键之一,是制备具有优质结区的约瑟夫森器件.本工作在三维拓扑绝缘体Bi₂Te₃和Bi₂(Se_xTe_1-x)₃纳米线上制作了约瑟夫森结器件,研究了其结区的超导邻近效应、多重安德列夫反射和超流-相位关系,观测到了约瑟夫森结的临界超流随磁场增大而反常地增大、其交流约瑟夫森效应出现半整数的夏皮洛台阶的实验结果.本文还讨论了这些反常现象的可能来源,特别是与结区界面处超导电极的Ti缓冲层和拓扑绝缘体纳米线中的Te元素形成TiTe铁磁性合金层的关系.     

应变调控下Tl2Ta2O7中的拓扑相变

拓扑电子材料因为具有非平庸的拓扑态,所以会展现出许多奇异的物理性质.本文通过第一性原理计算对应变调控下的烧绿石三元氧化物Tl₂Ta₂O₇中的拓扑相变进行了研究.首先分析了原子轨道投影能带,发现体系费米能级附近O原子的(px+py)与pz轨道发生了能带反转,再构造了紧束缚模型计算得到体系的Z₂拓扑不变量确定了其拓扑非平庸性,最后研究了表面态等拓扑性质.研究发现未施加应变的Tl₂Ta₂O₇是一个在费米能级处具有二次能带交叉点的半金属,而平面内应变会破缺晶体对称性进而使体系发生拓扑相变.当对体系施加–1%的压缩应变时,它会转变为狄拉克半金属;当对体系施加1%的拉伸应变时,体系相变为拓扑绝缘体.本研究对于在三维材料中调控拓扑相变有着较重要的指导意义,并且为低能耗电子器件的设计提供了良好的材料平台.     

逆轨道分析法确定一维映象的拓扑熵

本文推广了文献[1]的工作,并用逆轨道分析法说明了本文所列公式的证明。据此可以算出整个参数区间中任一点上的拓扑熵值。在讨论“*”乘对拓扑熵值影响的基础上得到了一维映象拓扑熵的整体印象。 关键词：     

SrRuO3超薄膜制备条件和拓扑霍尔效应的关联

使用激光分子束外延在SrTiO₃(001)衬底上生长SrRuO₃薄膜,并研究激光能量密度、生长温度和靶材表面烧蚀度等生长参数对于SrRuO₃表面形貌、基本磁电性质以及拓扑霍尔效应的影响.当在最优条件下生长SrRuO₃薄膜时,样品表面平整、台阶清晰,具有最低的金属-绝缘体转变温度,电阻率最低,且具有最显著的拓扑霍尔效应;而改变生长参数生长的SrRuO₃薄膜由于存在更多的缺陷,其表面较粗糙,金属-绝缘体转变温度增大,或表现出绝缘体行为,而拓扑霍尔效应会变弱甚至消失.     

RLm子区拓扑熵等值性的证明

本文证明了RL^m子区整个子区内拓扑熵等值,同时,揭示了高级混沌带对拓扑熵无贡献的性质。 关键词：