氢离子辐照对AL-6XN不锈钢微观结构的影响

奥氏体不锈钢是超临界水冷堆的堆内构件的候选材料之一,本文实验以奥氏体不锈钢AL-6XN为对象,研究了氢离子辐照对奥氏体钢微观结构的影响.在290℃和380℃下用100keV的H+2辐照,辐照剂量分别为0.5dpa和1.0dpa(displacement per atom).在290℃下,随辐照剂量增加,位错环平均直径从3.8nm增加到5.6nm,数密度略有下降.在380℃下辐照,产生了大尺寸位错环,随着剂量增加,位错环平均直径和数密度显著增加.实验结果表明,氢离子辐照AL-6XN不锈钢产生的缺陷主要是位错环,随辐照剂量增加,产生的位错环尺寸增大,提高辐照温度有利于位错环的迁移和聚集长大.     

氢氦离子辐照对4H-SiC表面形貌的影响

以4H-SiC为研究对象,在800℃下,用24keV的H~+和30keV的He~+分别进行H~+单束、He~+单束、先H~+后He~+双束和先He~+后H~+双束辐照,并利用原子力显微镜(AFM)研究辐照对4H-SiC表面形貌的影响.实验表明:H~+辐照的样品表面出现直径平均约为8μm的大凸起,He~+辐照的样品表面则产生了均匀的纳米尺寸的小凸起;H~+辐照在材料表面产生的大凸起在辐照He~+后消失;而He~+预辐照之后再进行H~+辐照,材料表面不会产生大的凸起,并结合X射线衍射(XRD)数据对这种氢氦协同效应进行了解释.结论表明,He~+预辐照对凸起的形成有抑制作用,He~+后辐照则对已产生的凸起有抛光作用.     

自密实轻集料混凝土的离子侵蚀性能及微观机理

为了探明自密实轻集料混凝土(Self-compacting light-weight aggregate concrete,SCLC)离子侵蚀性能及微观机理,采用溶液浸泡法、RCM法分别测试了SCLC35和SCLC50的离子侵蚀性能和氯离子扩散系数,采用ESEM和显微硬度来测试SCLC界面过渡区的微观结构。结果表明,SCLC浸泡在5% Na_2SO_4和5%NaCl混合溶液中强度为先增大后减小,120d左右达到最大值,和浸泡在清水中相比,浸泡龄期120d时强度低3%,浸泡龄期360d时强度低10%左右;SCLC氯离子扩撒系数随龄期增大逐渐减小,SCLC35为9.387×10~(-13) m~2·s~(-1)~4.254×10~(-13) m~2·s~(-1),SCLC50为8.136×10~(-13) m~2·s~(-1)~2.959×10~(-13) m~2·s~(-1),均能达到混凝土氯离子迁移系数中的很好等级,SCLC35和SCLC50具有良好的抗离子侵蚀性能。SCLC的水化产物更加均匀致密,界面过渡区得到显著改善;SCLC50比SCLC35显微硬度值大10kgf·mm~2以上并且从集料区经过过渡区到浆体区显微硬度值逐渐增大:浆体区过渡区集料区,界面薄弱区显微硬度增加,抗离子侵蚀性能得到改善。     

低能氮离子注入三孢布拉氏霉诱变育种方法研究

为探索筛选β-胡萝卜素高产菌株的诱变育种方法,采用低能氮离子对三孢布拉氏霉负菌孢子进行辐照.研究了不同剂量对三孢布拉氏霉存活率、菌丝长势、菌落形态、产孢特性和突变率的影响,并采用高效液相色谱法测定了β-胡萝卜素含量.结果表明:随着注入剂量的增加,其存活率呈现先减小后增大再减小的"马鞍型"剂量效应曲线;除14×1015N+/cm2外,其它剂量下平板培养菌丝均密度增大、长度减小、长速加快、颜色变黄且长出一定量褐色的隐性孢子;其总突变率和正突变率呈现先增加后减小的变化趋势,当剂量为12×1015N+/cm2时,总突变率和正突变率均达到最大,且筛选出1株β-胡萝卜素产量达到1.252g/L,比出发菌株1.044 g/L提高了25%的高产菌株BT12-12-05,通过传代实验发现其遗传稳定.     

Mn离子注入Si材料的结构分析及磁学性质

采用剂量分别为1×10~(16)(1E16),3×10~(16)(3E16)和5×10~(16)cm~(-2)(5E16)的Mn离子注入方法制备Si基稀磁半导体样品.利用透射电子显微镜(TEM)和交变梯度磁强计(AGM)对不同剂量的样品退火前后的结构和磁学特性的变化进行了表征.实验发现,退火前,只有5E16样品出现球状偏析物,其直径在5 nm左右,但也有个别直径15 nm左右的大团簇.N_2环境下800℃退火5 min部分修复了1E16样品注入区域的晶格损伤,并使该剂量样品出现偏析物,直径多在10 nm左右.衍射花样分析表明该偏析物为具有晶面间距0.333,0.191和0.163 nm的微晶,这说明该微晶最有可能是MnSi_(1.7),退火前,样品饱和磁化强度随注入剂量增大而显著增强,但从3E16到5E16增速放缓,退火使低剂量样品磁性大幅减弱,说明偏析物不利磁性增强.     

ZnO纳米结构的电化学法可控生长及其机理

以溶胶-凝胶法制备c轴取向为主的ZnO薄膜作缓冲层,采用阴极电化学沉积技术制备高c轴取向ZnO纳米结构.在0.7 mA/cm2的恒定电流密度下生长出直径约50 nm、密度为2.5×107mm-2的垂直向上的ZnO纳米杆阵列,通过逐渐增大电流密度(0.4~0.9 mA/cm2)或逐渐减小电流密度(0.9~0.4 mA/cm2)分别研制出直径逐渐变小或变大的纳米杆阵列,实现了纳米杆形貌、尺寸的可控生长.c轴择优取向的同质ZnO缓冲层既为纳米杆的定向生长提供了形核中心又减小了纳米杆的晶格失配度,有ZnO缓冲层样品的强紫外光发射和较弱的与缺陷相关的可见光发射的光致发光结果证实了缓冲层对提高样品晶体质量的重要作用.     

铅离子印迹电化学传感器的制备及其性能

以Pb2+为模板离子、吡咯(Py)为功能单体,在还原氧化石墨烯银纳米复合材料(rGO-AgNPs)修饰的电极表面直接构建铅离子印迹电化学传感器(Pb2+-IIES),用于水环境中重金属离子的检测与分离。通过Fourier变换红外光谱(FT-IR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)对复合材料进行分析表征,并利用循环伏安法(CV)、交流阻抗法(EIS)对电化学传感器的性能进行表征。结果表明,在5. 0×10~(-9)～5. 0×10~(-5)mol·L~(-1)范围内,Pb2+-IIES响应电流与Pb2+浓度的负对数呈现良好的线性关系,检出限为5. 0×10~(-1)1mol·L~(-1)(S/N=3),可用于水环境中Pb2+的痕量检测。     

Rb_2分子激发态与基态原子碰撞能量转移

脉冲激光667nm线激发Rb2基态到低激发态B1Πu态,研究Rb2(B1Πu)+Rb→Rb2(X1Σ+g)+Rb(5PJ)的碰撞转移过程.测量不同Rb密度下B1Πu的时间分辨荧光强度,它是一指数衰减函数,取其光强对数描绘得到B1Πu的有效寿命τ3为23.5ns(温度为545K时的寿命).从描绘出的有效寿命倒数与Rb原子的粒子数密度的关系直线的斜率得出B1Πu态总的碰撞猝灭截面为σ3=(4.33±0.14)×10-15cm2.测量Rb2的B1Πu→X1Σ+g在不同Rb密度下的时间分辨和时间积分荧光强度,得到Rb2(B1Πu)+Rb→Rb2(X1Σ+g)+Rb(5P1/2)的碰撞截面σ31=(2.86±0.13)×10-16cm2,Rb2(B1Πu)+Rb→Rb2(X1Σ+g)+Rb(5P3/2)的碰撞截面为σ32=(8.30±0.38)×10-16cm2.     

Er3+/Yb3+共掺Bi2O3-B2O3-Ga2O3玻璃光谱性质研究

制备了铒单掺和铒镱共掺的铋酸盐玻璃,对掺Er3+离子后玻璃的吸收光谱和荧光光谱进行了测试,分析了Yb2O3浓度对其吸收光谱和荧光光谱的影响,并应用McCumber理论计算了Er3+离子的受激发射截面.当Yb3+/Er3+的浓度比例为41时,荧光强度、荧光半高宽(FWHM)和峰值发射截面(σepeak)均达到了峰值,其FWHM和σepeak分别为77nm和1.08×10-20cm2.     

新型含酯基和酰胺基季铵盐Gemini表面活性剂的合成及性质

以氯乙酰氯、乙醇胺、二乙胺和长链溴代烷为原料合成4种连接链含酯基和酰胺基的新型季铵盐Gemini(双子)表面活性剂C_m-s-C_m(m=12,14,16,18,代表尾链碳原子数,s代表中间连接链—CH_2CONHCH_2CH_2OOC-CH_2—).用核磁共振波谱、红外光谱和电喷雾电离质谱对产物进行结构表征,并用滴定法测定其纯度为97.7%~98.8%.表面性能和聚集体形态结果显示,C_m-s-C_m(m=12,14,16,18)的临界胶束浓度(cmc,表面张力法)随疏水链长度的增加而降低,依次为9.12×10~(-4),2.75×10~(-5),2.00×10~(-5),7.41×10~(-6)mol·L~(-1);C_m-s-C_m在水溶液里均有预胶束形成,且在10cmc时有20~100 nm的聚集体形成.经测定,C_(14)-s-C_(14)的生物降解率为26%,比普通季铵盐Gemini表面活性剂的生物降解率提高了一倍.     

ZnS∶Mn量子点作为荧光离子探针测定痕量铜(Ⅱ)

采用油相法合成了锰掺杂硫化锌(ZnS:Mn)半导体纳米晶,以水杨醛席夫碱与其进行配体交换,将席夫碱修饰于纳米晶表面.在优化的实验条件下,铜离子的加入使ZnS:Mn荧光出现强烈的猝灭作用.体系荧光强度的降低与Cu2+浓度呈现良好的线性关系,据此建立了测定Cu2+的新方法,其线性范围为2.50×10-7～6.25×10-5 mol·L-1,线性校正方程为1-F/F0=-9.21×10-3+1.60×105 C2+Cu,回归系数r=0.992,检测限为1.11×10-7 mol· L-1.本方法应用于自来水中Cu2+的测定,结果满意.     

J／φ→π^＋π^—π^0衰变中的A值分布

考察了 J/ψ→π+π- π0 衰变中的 A值分布 ,所定义的 A值是一个由末态π介子动量构成的一个无量纲的量 A =(Pπ-x Pπ+y - Pπ-x Pπ+y ) /P+π P- π ,其中 Ph、Phx 与 Phy 分别表示强子 h的动量的大小、该动量沿 X轴与 Y轴方向的分量 .这里 J/ψ是由 e+e- 碰撞产生的 ,而 e+的动量方向被取为 Z轴正向 .如果实验上能够证实 A的事例平均值〈A〉不等于零 ,则存在 CP(由电荷共轭变换与空间反演变换构成的联合变换 )或者 T(时间反演变换 )破坏 .通过筛选到的 748个事例 ,测得〈 A〉=0 .0 10 39± 0 .0 146 1± 0 .0 15 2 .进而 ,对于深入研究所需的数据样本大小和可能达到的观测水平作了数值估算 .     

固定化新月菱形藻的制备及其对N、P吸收的影响

为优化固定化新月菱形藻(Nitzschia closterium)在污水中去氮、磷的效果, 以褐藻酸钠为固定化载体, 采用单因子试验方法, 研究了不同包埋藻细胞密度(0、0.27×107、0.81×107、1.35×107、1.89×107、2.43×107 cells?mL-1), 不同藻球直径(2.5、3.0、3.5、4.0mm), 3% CaCl2溶液不同加固时间(0、1、2、4、6、8h)、不同藻球用量(0、7.5、15.0、22.5、30.0、37.5g?L-1)和不同加固时间下反复使用次数对氮、磷的去除效果. 结果表明: 包埋藻细胞密度为1.35×107 cells?ml-1时单位藻细胞去除NH4+-N和PO43--P的效果较好. 藻球规格对NH4+-N和PO43--P去除效率的影响不显著(P>0.05). CaCl2加固时间2~8h对藻球中藻细胞生长、NH4+-N和PO43--P去除率没有显著影响(P>0.05), 但均显著高于加固1h, 未经加固的藻球极易破损. 藻球投放质量越大, NH4+-N和PO43--P的去除速度越快, 投放量为30g?L-1, 培养9d后, NH4+-N和PO43--P去除率可达80%以上. 固定化藻球反复使用3次以上, 其NH4+-N和PO43--P的去除效率下降. 由此得出: 固定化新月菱形藻球包埋藻细胞密度以1.35×107 cells?mL-1, 藻球直径3.5mm为佳; 藻球制作时在3% CaCl2溶液中加固最佳时间为2h; 藻球用量为30g?L-1; 对藻球定期(9d)进行加固, 有利于增加藻球使用寿命, 并保持其较好的氮、磷去除率.     

Mn+注入p型GaN薄膜的结构和磁学特性

用低压MOCVD法在(0001)面的蓝宝石衬底上生长纤锌矿结构的GaN.GaN膜总厚度为4μm,包括0.5μm掺Mg的p型表面层.Mn 离子注入的能量为90keV,剂量为1.0×1015～5.0×1016cm-2,被注入的p型GaN处于室温.对注入样品的快速热退火处理是在N2气流中进行的,温度约为800℃,时间为30～90s.采用X射线衍射(XRD)、卢瑟福背散射(RBS)和原子力显微镜(AFM)研究,发现Mn 注入GaN膜的结构受注入剂量和退火条件的控制.通过超导量子干涉仪(SQUID)分析,在Mn 注入剂量为5.0×1015cm-2、并经850℃退火30s的GaN膜中发现了铁磁性,表明离子注入方法是进行GaN掺杂改性的有效手段.     

二茂钛在水溶液和非水溶剂中电导行为的研究

在25℃的二甲亚砜(DMSO)溶剂中,测定了二卤二茂钛,Cp_2TiX_2(C_P=环戊二烯基,或甲基环戊二烯基;X=F、Cl、Br、I)的当量电导,浓度范围为3.6～390×10~(-4)N。结果表明:Cp_2 TiX_2(X=Cl、Br、I)和(MeCp)_2 TiCl_2在 DMSO 中表现为1:1型电解质。纯水中,由于二茂钛发生水解,很难确定其电解质类型.     

Ru(phen)2+3-SO2-3-KBrO3化学发光法测定空气中的SO2

介绍了Ru(phen)2+3-SO2-3-KBrO3 (phen=1,10菲咯啉)化学发光测定亚硫酸盐的方法.亚硫酸盐的浓度与化学发光强度在1×10-7～2×10-4 mol·L-1 范围内成正比.检出限为1.1×10-8 mol·L-1, 1×10-4 mol·L-1亚硫酸盐溶液9次测定的相对标准偏差为2.4%.该方法用三乙醇胺作为吸收液,成功地用于测定空气中的二氧化硫.     

温州市PM_(2.5)中水溶性离子污染特征及来源分析

2015年1~12月在温州市区采集448个PM_(2.5)样品,采用离子色谱法分析PM_(2.5)中9种水溶性离子(SO_4~(2-)、NO_3~-、NH_4~+、Cl~-、Na~+、K~+、Ca~(2+)、Mg~(2+)和F~-)的浓度,研究其污染特征、化学组分和来源.采样期间9种水溶性离子总浓度为39.97μg·m~(-3),SO_4~(2-)、NO_3~-和NH_4~+占所测水溶性离子总量的(40.19±10.04)%.离子总浓度的季节变化特征为冬季春季秋季夏季,从空间分布上看,多数季节市站采样点PM_(2.5)中离子总浓度低于南浦、龙湾和瓯海采样点.相关性分析结果显示,PM_(2.5)值与NH_4~+、Ca~(2+)、Na~+、K~+、Cl~-、NO_3~-、SO_4~(2-)浓度显著相关,PM_(2.5)中SO_4~(2-)和NH_4~+的主要结合方式为(NH_4)_2SO_4.硫氧化速率(SOR)和氮氧化速率(NOR)的年均值分别为0.44±0.09和0.13±0.04,表明温州市PM_(2.5)中SO_4~(2-)和NO_3~-主要由二次转化形成.主成分分析结果表明,温州市PM_(2.5)中水溶性离子主要来源于燃煤(火力发电和工业燃煤)、生物质燃烧、机动车尾气以及道路和建筑扬尘.     

体上矩阵的ρ.M—P逆的倒换顺序律（ABC）^＋=C^＋B^＋A^＋的刻划

本文证明了体上矩阵的ρ-Moore-Penrosc 逆的倒换顺序律(A B C)~+=C~+B~+A~+的一些刻划,讨论了 P-除环上 A、B、C 诸因子为可逆阵、射影阵、部分等距矩阵时倒换顺序律的刻划,并将文献[1]、[2]的结果推广到 p-除环上.     

J/ψ→π+π-π0 衰变中的A值分布

考察了J/ψ→π+π-π0衰变中的A值分布, 所定义的A值是一个由末态π介子动量构成的一个无量纲的量A=(Pπ-xPπ+y-Pπ-xPπ+y)/P+πP-π,其中Ph、Phx与Phy分别表示强子h的动量的大小、该动量沿X轴与Y轴方向的分量.这里J/ψ是由e+e-碰撞产生的, 而e+的动量方向被取为Z轴正向.如果实验上能够证实A的事例平均值〈A〉不等于零,则存在CP(由电荷共轭变换与空间反演变换构成的联合变换)或者T(时间反演变换)破坏.通过筛选到的748个事例,测得〈A〉=0.010 39±0.014 61±0.015 2.进而,对于深入研究所需的数据样本大小和可能达到的观测水平作了数值估算.     

低能N+离子注入对加工番茄的辐照效应

本研究以87-5制罐番茄种子为处理材料,用N 离子作为诱变源,以35keV的能量,分别以20次、40次、50次、60次脉冲,注入剂量2×1016N /cm2、4×1016N /cm2、6×1016N /cm2、10×1016N /cm2进行激发诱变,变异显著.表现为出苗率降低,座果提前.在果实的品质性状变化不大情况下,座果数明显增加,部分处理材料的产量明显提高.