多重p-i-n a-Si太阳电池

一种新型的a-si太阳电池已被研制出。该种电池是由多重p-i-n单元电池组成,其开路电压V_oc几乎和p-i-n单元数成正比。     

CIGS薄膜太阳能电池无Cd缓冲层研究进展

介绍了CIGS薄膜太阳能电池无Cd缓冲层Zn（O,S）、（Zn,Mg）O和（Zn,Sn）Oy的研究现状及制备方法，分析了采用无镉缓冲层电池的性能参数。最后对无Cd缓冲层电池发展趋势进行了展望。     

SnS2/SnS薄膜太阳能电池的制备与性能研究

文章采用水热法合成SnS2、SnS纳米晶体,用浸涂法制备了相应薄膜及其太阳能电池.用XRD和TEM分析了纳米晶体的晶型和颗粒形貌,用SEM对SnS2薄膜进行了表征,测量了SnS2、SnS薄膜的UV-Vis、UV-Vis-NIR吸收性能.结果表明,所制备的SnS2、SnS颗粒分别呈球形和片状结构且结晶性良好,SnS2薄膜的直接带隙为2.6 eV、间接带隙为2.2 eV,SnS薄膜的直接带隙为1.2 eV,间接带隙为1.0 eV,得到的SnS2/SnS薄膜太阳能电池的短路电流密度为1.1 μA/cm2,开路电压为25 mV.     

薄膜太阳能电池技术及市场发展现状

详细叙述了硅基薄膜太阳能电池结构、工艺制造技术,a-Si沉积设备,并针对薄膜电池技术的发展现状,分析了薄膜电池引起波动和变化的原因,展望了BIPV薄膜电池在未来城市建筑中的应用前景。     

非晶硅薄膜太阳能电池生产的环境影响分析

本文通过对PECVD工艺生产非晶硅薄膜太阳能电池的介绍,分析了非晶硅薄膜太阳能电池生产过程中的产污节点及其对环境的影响,提出了减缓环境影响的措施。非晶硅薄膜太阳能电池生产过程产生的污染主要为PECVD工艺尾气,通过采用国际先进的治理措施,可有效地降低对周围环境的影响。     

染料敏化薄膜太阳能电池的研究进展

随着社会的不断发展,对于能源的重视程度不断增加。近年来,染料敏化太阳能电池的研究不断深入,它基于低廉的价格、较高的转换效率受到了广泛的关注。本文首先对染料敏化薄膜太阳能电池的基本原理进行介绍,并对结构进行初步分析,对国内染料敏化太阳能电池的研究进展,并对未来的使用前景进行预测。     

低成本薄膜太阳能电池基地落户广州

太阳能发电的发展瓶颈在于其高昂成本，其中又以太阳能薄膜耗资最大。但在7月初由广州市人民政府主办的“聚焦广州、投资未来，2009跨国公司论坛”上，中港合资建设4条25MWCfGS（铜铟镓硒）薄膜太阳能电池生产线及CIGS薄膜太阳能电池生产技术研发中心的协议隆重签署，国际领先的低能耗、低成本的薄膜太阳能电池制造技术正式落户广州，标志着我省的太阳能发电事业将迎来新的契机。     

非晶硅薄膜电池AZO背反射电极的制备

采用直流脉冲磁控溅射方法在非晶硅薄膜上制备AZO背反电极,比较不同制备参数对透过率及效率的影响。采用优化参数,得到效率增加了0.8%的非晶硅薄膜电池。根据实验结果,证明背反电极增反机理不是薄膜干涉增强原理,而是因为界面共振吸收减少,而导致光的吸收增强的机理。     

高温后退火对薄膜太阳能电池光电性能的影响

应用SILVACO仿真软件,对N、P区杂质浓度分别为1×1016和1×1017cm-3的非晶硅薄膜太阳能电池进行了后退火工艺仿真研究.结果表明:非晶硅薄膜太阳能电池的光谱响应特性随着后退火温度的升高和退火时间的增加而提高.与未后退火电池相比,保持后退火时间1 min,退火温度分别为900,950和1 000℃时,电池的短路电流(Isc)增加约5.39%;保持后退火温度为950℃,退火时间从1 min增加到5 min,电池的短路电流(Isc)提高约6.37%.但是,电池的光谱响应特性的提高与后退火工艺参数不成正比关系.为了减小后退火对电池杂质再分布的影响,确定最佳后退火工艺参数为950℃和4 min.研究表明在薄膜电池的生产中增加后退火工艺可以有效地提高薄膜太阳能电池的光谱响应性能.     

非晶硅薄膜太阳能电池热模型的模拟与实验研究

为了研究柔性非晶硅薄膜太阳能电池(a-Si PV)在晴和多云天气下的温度值,基于能量守恒法建立了a-Si PV的光热模型,考察了各部分参数取值,编写了微分方程的求解程序,并设计研制了一套实验模型进行验证.实验结果表明:a-Si PV电池的温度受日照辐射强度的影响最为显著;安装角度和环境温度也在一定程度上影响a-Si PV的温度值;晴天时的温差大于多云天气下的温差.实测值与模拟值对比表明:该模型可以准确模拟PV温度在晴和多云天气下的变化;数值结果与实验结果最大差值为3.9°C,主要原因是多云天气日照辐射强度的波动性和PV材料热容引起的热响应时滞.建立的a-Si PV热模型考虑了主要的影响因素,可较为准确地得到在晴和多云天气下的温度变化.     

多晶硅薄膜太阳电池效率影响因素的研究

研究了影响单晶硅衬底的多晶硅薄膜太阳电池转换效率的因素,得到该种电池的快速热化学汽相沉积（RTCVD）的最传教条件,同时改进了制备薄膜太阳电池的若干工艺问题,得到了转换效率为14．08％的太阳电池,其填充因子为0．808。     

国产空间实用太阳电池抗质子辐射性能研究

研究了国产卫星用背场Ｓｉ太阳电池和ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池性能随质子辐照注量１×１０９ －５ × １０１３ ｃｍ－２的变化．实验表明,２种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势．背场 Ｓｉ太阳电池性能参数短路电流Ｉｓｃ和最大输出功率Ｐｍａｘ衰降变化快,辐照注量为２ × １０１０ｃｍ－２时, Ｐｍａｘ就已衰降为原值的７５％,而ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池对应相同的衰降辐照注量达８×１０１１ｃｍ－２,且 Ｉｓｃ和Ｐｍａｘ衰降变化起初缓慢,当辐照注量接近３ × １０１２ ｃｍ－２时才迅速下降．背场Ｓｉ太阳电池性能 衰降与质子辐照引入的Ｅｖ＋０．１４ ｅＶ和Ｅｖ＋０．４３ ｅＶ深能级有关,而ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池性能衰降 与辐照产生的Ｅｃ－０．４１ ｅＶ深能级有关．     

颗粒硅带上薄膜太阳电池的研究

采用颗粒硅带（SSP）作为衬底,利用快速热化学气相沉积（RTCVD）方法外延多晶硅薄膜并制作了转换效率达6．36％的薄膜太阳电池,对衬底特性、电池制作工艺、存在问题及进一步的研究方向做了探讨。     

DSSC太阳能电池

介绍了染料敏化纳米太阳能电池(DSSC电池)的结构和原理,对纳米TiO2膜、敏化染料、电解质的研究进展进行了综述,并对其应用前景作出展望.     

n—ZnO／p—CuInSe2多晶异质结薄膜太阳电池的光电流和转换效率的理论计算

用隧道－复合模型对n-ZnO/p-CuInSe2多晶异质结薄膜太阳电池的光电流和转换效率进行了理论计算,考虑到在多晶材料中的晶界复合损失,引入修正因子,并用Roth-warf晶界复合模型进行修正。对晶粒半径R为1μm的电池进行计算,得到电池的短路电流密度为35.4mA/cm^2,开路电压为0．42V,转换效率为10．1％。理论计算和实验结果基本一致。     

CdS多晶薄膜的制备及其性能的研究

采用化学池沉积法,同时在３种衬底上沉积ＣｄＳ薄膜,利用电镜,透射光谱,Ｘ射线衍射和微电流高阻计等方法对沉积膜进行了测试分析,算出ＣｄＳ薄膜的能隙宽度Ｅ０和电导激活能Ｅα。结果表明：沉积膜表观均匀,密实,结晶取向性以ＳｎＯ２玻片衬底为佳;     

用于空间光调制器光敏层的a—Si：Hpin二极管的研制

报道了用于光寻址快速空间光调制器光敏层的氢化非晶硅ｐｉｎ光敏二极管的设计、制备及光电特性的研究，制得了符合光敏层要求的ｐｉｎ二极管。     

辉光功率对硅薄膜太阳能电池串联电阻的影响

采用RF—PECVD在不锈钢衬底上制备了一系列NIP结构的硅薄膜太阳能电池,得到本征层的辉光功率分别是4W,7．2W,9W,20W,40W。用磁控溅射在P层表面蒸镀ITO透明电极,用太阳能模拟器做光源,测试了电池的串联电阻等性能参数。结果表明本征层辉光功率对电池串联电阻的影响显著。在相同条件下制备了本征单层膜系列样品并进行表征。通过对薄膜性质的分析,运用三相混合模型和渗流理论解释了串联电阻随本征层辉光功率变化的原因。     

质子辐照与电子辐照对空间GaAs/Ge太阳电池性能影响比较

利用地面实验室加速器提供的离子束模拟空间质子、电子辐射,分别对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行不同注量的辐照,并跟踪测试其电性能变化和深能级瞬态谱,研究这种太阳电池的电性能参数随质子、电子辐照注量的变化关系,得到质子、电子辐射效应及两者辐射效应的联系规律.结果表明:引起电池性能参数衰降相同时,1 MeV电子辐照注量比10 MeV质子的通常要大3个量级,质子辐照与电子辐照使电池性能参数Pmax下降了25%时,辐照注量有近似关系Φ1 MeV(e)≈2 500×Φ10 MeV(p).10 MeV,3×1012cm-2质子辐照在电池材料中引入Ec-0.18 eV和Ec-0.65 eV深能级,1 MeV,1×1015cm-2电子辐照在电池材料中引入Ec-0.12 eV和Ec-0.18 eV深能级,电子、质子辐照产生的损伤缺陷不尽相同.     

区熔再结晶制备多晶硅薄膜太阳电池

研究了区溶再结晶（ZMR）设备及其工艺特点。在覆盖SiO2的重掺P型单晶硅衬底上用快速热化学气相沉积（RTCVD）在其上沉积一层很薄的多晶硅薄膜,用区熔再结晶法对薄膜进行处理,得到了晶粒致密,且取向一致的多晶硅薄膜层。以此薄膜层为籽晶层,再在上面以RTCVD制备电池活性层,经过标准的太阳电池工艺,得到了转换效率为10．21％,填充因子为0．6913的电池产品。