全光开关系统接近实际应用

全光开关系统接近实际应用由于缺少光开关系统，现实世界中一直未能使用全光通讯网络。包括使用甚窄光谱宽度半导体激光器和掺饵光纤放大器的单馍色散移动光纤在内的所有其它必要元件均已有了。这种网络实际能以无限速度工作。正在发展用于通讯系统的自由空间光子开关技术...     

多量子阱光开关器件的激子吸收及光调制特性

我们分析了 Ga As/Al Ga As半导体多量子阱 (MQW)光开关器件的室温激子吸收行为及光调制特性 ,优化设计了多量子阱结构 ,研制出常通型和常关型两种类型光开关器件 ,并对器件的光调制特性进行了测量与研究。实验得出的结论与理论计算相符合 ,常通型器件对比度约为 10∶ 1;常关型器件对比度约为 4∶ 1。     

耦合量子阱中激子凝聚研究新进展

玻色-爱因斯坦凝聚成为探索量子世界的一种新方法,而且在半导体纳米结构中激子的凝聚研究取得了很大进展.实验上利用耦合量子阱间接激子中电子和空穴在空间上的分离,显著提高了激子的冷却速度和寿命,成功地把激子冷却到1 K以下,观察到了激子的准凝聚状态.着重介绍冷激子系统凝聚现象、发光图案和宏观有序的激子态.理解这些简并激子系统的形成机理,为其在半导体纳米结构中最终实现玻色-爱斯坦凝聚提供新的机会.     

皮秒光导开关的研制及其应用

本文介绍了研制ＧａＡｓ：Ｃｒ，ＩｎＰ：Ｆｅ光导形状的过程，实验显示了形状对光的响应特性，利用光导开关来探测皮秒光脉冲的波形，并且利用光导开关的原理研制成新型的超宽带雷达实验室模型。实验显示了它的脉冲辐射和接收波形。     

非对称耦合量子点分子中激子的动力学行为

研究了外场驱动下非对称耦合量子点分子中激子的动力学行为.利用二能级理论分析了这个量子系统中激子的局域化现象,分析发现:激子的动力学行为主要发生在低能级子空间,它们构成了系统的两个局域态;当场强和频率是Bessel方程的根时,准能发生回避交叉,局域化现象发生,电子和空穴局域在初始状态,状态不随时间变化.数值计算也证明了这一点.同时还给出了电子和空穴的最大纠缠态随时间的演化.     

用半导体超晶格实现250fs全光开关

用半导体超晶格实现２５０ｆｓ全光开关日本电报电话公司（ＮＴＴ）研究人员已发展一种用于１．ｓｐｉｎ波长信号的光开关，据称这是半导体与选通器件中世界最快处理速度的开关。该表面反射全光开关用半导体超晶格结构达到２５０ｆｓ开关速度——这个时间相当于光传播７５...     

细菌视紫红质激子的饱和密度及激子长度的研究

对光能转换生物分子细菌视紫红质 (bR)作前向立体简并四波混频实验所测得的三阶非线性电极化率和它们的时间响应 ,用光循环结构模拟的三能级模型予以解释 ,并用位相空间充满理论模拟得到激子饱和密度和激子长度。     

外场对InPBi量子阱中激子结合能的影响

在有效质量近似下运用变分法计算了InAlAs/InPBi/InAlAs量子阱中的激子结合能随阱宽、Al组分、Bi组分的变化情况,分析了外加电场和磁场对激子结合能的影响。结果表明：激子结合能随阱宽增大呈现先增大后减小的趋势;随Al、Bi组分的增大,激子结合能也逐渐增大;外加电场较小时对激子结合能的影响很小,外加电场较大时破坏了激子效应;激子结合能随外加磁场增大呈现单调增大的趋势。计算结果对InAlAs/InPBi/InAlAs量子阱在光电子器件方面的应用有一定指导意义。     

Cd1-xMnxTe/CdTe抛物量子阱内激子结合能的研究

在有效质量近似下采用变分法计算了Cd1-xMnxTe/CdTe抛物量子阱内不同Mn组分下激子的结合能,给出了结合能在不同Mn组分下随阱宽、垒宽、外加电场的变化情况。 结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数，随阱宽的变化呈现先增加后减小的趋势，而且随着Mn组分增大, 激子结合能达到最大值的阱宽相应变小, 这与材料的带隙改变有关;激子结合能随垒宽逐渐增大然后趋于稳定值，这与波函数向垒中的渗透有关；在一定范围内电场对激子结合能的影响很小,而且Mn组分越大对激子结合能影响越小，但电场强度较大时会破坏激子效应。计算结果可以对基于半导体抛物形量子阱发光器件设计制作提供一些理论依据。     

ZnSe薄膜的激子光谱

采用分子束外延(MBE)技术,在GaAs(100)衬底上生长了厚度从O.045到1.4μm的ZnSe薄膜.X射线衍射谱证实,随着薄膜厚度的增加,应变逐步弛豫.测量了低温下样品的反射谱和光致发光谱,观察到轻重空穴的能级在不同应变下的分裂、移动和反转,以及激子极化激元(Polariton)对反射谱的影响.也观察到束缚激子发光随着薄膜厚度的变化规律:束缚在中性受主杂质上的束缚激子发光(I1峰)随着薄膜厚度的增加逐渐变弱直至消失,而束缚在中性施主杂质上的束缚激子发光(I2峰)则随着厚度增加逐渐增强.     

ZnSe薄膜的激子光谱

采用分子束外延 (MBE)技术 ,在 Ga As(1 0 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 4 5到 1 .4μm的 Zn Se薄膜 .X射线衍射谱证实 ,随着薄膜厚度的增加 ,应变逐步弛豫 .测量了低温下样品的反射谱和光致发光谱 ,观察到轻重空穴的能级在不同应变下的分裂、移动和反转 ,以及激子极化激元 (Po-lariton)对反射谱的影响 .也观察到束缚激子发光随着薄膜厚度的变化规律 :束缚在中性受主杂质上的束缚激子发光 (I1峰 )随着薄膜厚度的增加逐渐变弱直至消失 ,而束缚在中性施主杂质上的束缚激子发光 (I2 峰 )则随着厚度增加逐渐增强 .     

极性三元混晶中的Wannier激子结合能

在无序元胞孤立位移(MREI)模型下．考虑激子与混晶中的两支光学声子的相互作用,利用变分法计算了极性三元混晶(TMCs)中的Wannier激子的结合能。数值计算给出几种混晶材料的结合能随组份x的变化关系。讨论了混晶中的两支光学声子对激子结合能的贡献。结果表明,当电子和空穴有效质量相差较大时,电声子相互作用对激子结合能有着重要的贡献,声子对结合能的影响随混晶组份非线性变化的。同时讨论了有效声子近似(EPMA)在计算激子结合能时的适用范围。     

基于液晶光子晶体波导耦合的光开关特性分析

提出了一种基于液晶光子晶体波导耦合的光开关结构。采用平面波展开法(PWE)分析了光开关耦合区域的色散关系,分析表明可以通过设计适当的耦合区域长度使该结构对不同波长的光实现2×2光开关的功能。以工作波长1550nm和1565nm为例,用时域有限差分法(FDTD)对光开关的性能进行了仿真分析,结果表明开关具有低的插入损耗和高的通道隔离度,开光响应时间在毫秒量级。     

纤锌矿应变GaN柱形量子点中离子受主束缚激子的带间光跃迁

在有效质量近似基础上,考虑强的内建电场效应,变分计算了纤锌矿结构的GaN柱形量子点中带电量为 的离子受主束缚激子(A?, X)的发光波长。结果表明,离子受主束缚激子发光波长强烈依赖于量子点的尺寸（高度和半径）、离子受主杂质的位置和垒中Al含量。随着量子点高度、半径及垒中Al含量的增加,离子受主束缚激子发光波长增大。随着离子受主杂质从量子点左边垒中沿z轴方向移至量子点左边界时,发光波长先增大,在量子点的左界面附近达到极大值;随着离子受主杂质在量子点内继续右移,发光波长减小,当杂质位于量子点的右边界附近时光跃迁波长达到极小值;进一步右移离子受主杂质至量子点的右边垒中时,发光波长增大。和自由激子光跃迁波长相比,当离子受主杂质位于量子点中心的左边时,杂质的引入使发光波长增大,当离子受主杂质位于量子点中心的右边时,杂质的引入使发光波长减小。     

皮秒光导开关的研制及其应用

本文介绍了研制GaAs:Cr,InP:Fe光导开关的过程,实验显示了开关对光的响应特性,利用光导开关来探测皮秒光脉冲的波形,并且利用光导开关的原理研制成新型的超宽带雷达实验室模型,实验显示了它的脉冲辐射和接收波形。     

LiNbO3晶体纳秒级光开关的研究

LiNbO3晶体由于其透光范围广，响应速度快，不易潮解等特点而广泛用于高精度和高速光开关快门。为了将LiNbO3光开关曝光时间拓宽到纳秒领域从而弥补现有的高速光开关的不足，文章阐述了LiNbO3作为光开关理论原理，对多波段通光的晶体长宽比进行了优化设计，并对LiNbO3纳秒级光开关的可行性进行了实验验证。实验半波电压与理论符合很好，实验光信号和电信号在纳秒级范围内能实现同步响应。研究结果证实了LiNbO3光开关在纳秒级范围内的可行性，并为LiNbO3纳秒级光开关的制作提供了理论和实验依据。     

有机分子晶体中的激子与载流子传输

描述了有机晶体的分子结构、能带及电导等与有机ＥＬ有关的基本问题，还讨论了在有机晶体中的载流子迁移率以及激子形成过程等。     

极性半导体中表面激子的性质

本文研究极性半导体中表面激子的性质,采用微扰法导出表面激子的有效哈密顿量。在计及反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论对电子、空穴间的相互作用的有效势、表面激子的自陷能和自陷条件的影响。     

半导体量子阱中的激子束缚能

本文讨论了半导体量子阱内激子束缚能的计算方法，并推导出了在外电场作用下量子阱中激子束缚能的计算公式。本文推导出的理论结果可用于计算一般半导体材料量子阱内的激子束缚能。