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在冲击压缩下,理想接触的金属/窗口界面温度历史是时间无关的,因而一般认为界面的表观光谱辐亮度也是时间无关的。研究表明:(1)在冲击压缩下,将伴随金属对光的吸收系数减小和光学厚度增大。因此,在考虑辐射输运效应后,理想接触的金属/窗口界面处的表现光谱辐亮度是时间相关的。非常明显的时间相关过程自冲击波到达界面后持续约10 ns。(2)若把存在空间温度梯度的金属界面辐射看作是透光厚度内平均温度的等效辐射效应,其结果与辐射输运效应的计算结果是很相近的。 相似文献
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本文对狭缝相机测量目标速度的公式: V0=(l/l′)VF(1)V0=tgφ·VF/M(2)进行了分析;讨论了影响测量精度的因素。用X—70狭缝摄影机对目标进行了多次拍摄,得到了翔实的实验数据,并对数据进行了处理。根据(1)式计算的目标速度与速度的标定值作了比较;扫描拍摄时,根据(2)式计算的速度与自由落体运动的理论速度进行了比较。得出了XF—70狭缝相机作同步摄影时,其测量速度的相对精度达0.2%。用作扫描摄影时,其速度测量精度相对达0.8%的结论。 相似文献
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本文介绍了两种热电偶冷端温度补偿电路在物理实验测量中的应用及校准方法,对热电偶的工作原理、冷端温度补偿必要性作了说明,并详细介绍了冷端温度补偿过程. 相似文献
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冻干过程中升华界面温度测量方法的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
压力测温技术是基于在平衡状态下,冰晶温度与其饱和蒸汽压为单值函数这一基本规律,在升华干燥过程中,突然中断从冻干室流向冷阱的水蒸汽流,通过测量冻干室内压力回升情况去推算升华界面温度的一种非接触式测温方法。与热电偶或热敏电阻测温相比,压力测温技术即不破坏冻干样品的结构,又能够较为准确地反应出移动升华界面的温度,并能判断升华干燥过程终点。文中分析了升华界面温度测量的意义与困难,建立了压力测温技术的数学模型与分析方法,并通过实验研究了压力测温技术。 相似文献
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本文提出了软X射线条纹相机与吸收膜相耦合测量等离子体温度的实验原理与方法,编制了数值计算程序SCC,给出了平面金靶在1.06μm激光(LF—II~=激光装置)作用下,靶面功率密度约10~(14)W/cm~2的辐射温度。并对温度处理中存在的误差,以及把此方法推广到能谱的时间分辨和温度的空间分辨测量中的可能性进行了讨论。 相似文献
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介绍AD590型温度传感器的内部电路结构,阐述其工作原理,举例说明它在温度测量和恒温控制中的应用 相似文献
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提出一种利用集成温度传感器AD590对热电偶进行冷端温度补偿的方法,在使用中,只需将热电偶的冷端与集成温度传感器AD5990置于同一环境中,不论环境温度如何变化,均可在电路的输出端得到正比于热电偶工作端测试的电压值。 相似文献
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An interferometric measurement technique for determining accurately the temperature field around an axial symmetric vapor bubble that might be used for boiling investigations was developed. The specific setup of optical components and the fluid test cell for the generation of a single vapor bubble are described. The procedure and main steps to derive an accurate temperature field from the recorded interferograms are explained in detail. These are: wrapped phase calculation based on a four frames algorithm, phase unwrapping using Itoh algorithm, and Abe inversion for the calculation of the local temperatures. The results from interferometry are verified by point wise measurements using micro-thermocouples. Compared to formerly applied measurement techniques the presented phase shift interferometry leads to higher accuracy and higher spatial resolution. 相似文献
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介绍用硅三级管作为样品,在低温150K-250K范围内,测量其PN结正向特征,可精确求得玻耳兹曼常量及硅半导体材料禁带宽度的值。 相似文献