电子入射双电离He原子的理论研究

完成了高入射能(E05.6keV),低敲出能(E1=E2=10eV)情形下,电子入射双电离He原子五重微分截面(FDCS)的理论计算.计算中使用了三个电子在He+2离子场中的四体末态波函数.计算结果与其他理论结果进行比较发现:所得结果与最新的(e,3e)实验数据较好地一致.     

电子垂直入射电离氦原子碰撞机理的理论研究

用3C模型和修正后的3C模型在低能、两个出射电子等能分享几何条件下,对电子垂直入射碰撞电离氦原子的三重微分散射截面进行了理论计算,并把计算结果与实验测量结果进行了比较,系统研究了(e,2e)反应中各种屏蔽效应对氦原子三重微分散射截面的影响,同时对截面中形成各峰的碰撞机理做了详细的探讨.研究结果表明:在入射能较低时,各种屏蔽效应对氦原子的三重微分散射截面幅度以及角分布均存在一定影响,并且形成各峰的碰撞机理直接影响截面的变化规律.     

多电子原子的电离过程

在电晕近似下给定等离子体的温度和密度,采用离子模型用数值计算方法求解了电离度方程组。给出Si~(14)、Ar~(18)、Ti~(22)、Fe~(26)、Ge~(32)和Kr~(36)等六种元素的离子丰度、离化度和电离度等特征量的数值结果,为研究类氖离子的3P-3S反转提供了类氖离子丰度的数值     

原子镁的电子碰撞电离

使用Ｒ－矩阵方法,在扭曲库仑－玻恩非交换近似下（ＤＣＢＮＸ）采用二态密耦图象,计算了原子镁从电离阈值附近到１００ｅＶ范围的电子碰撞电离截面。从能量微分截面可看到明显的Ｒｙｄｂｅｒｇ系列共振。     

高温稠密等离子体电子离子直接碰撞电离截面的理论研究

在高温稠密等离子体内，由于电子的热运动，产生了各种电子一离子碰撞过程，其中电子-离子直接碰撞电离就是一种很重要的物理过程。电子离子碰撞调节了等离子体内电子的布局数，使之从非平衡走向平衡。电子-离子的碰撞激发、离化导致电子在能级之间发生跃迁，影响能级的寿命，导致能级增宽，因而使谱线变宽，这种效应对研究等离子体辐射不透明度DTA(Detailed Term Accounting)模型具有重要的意义。     

高温稠密等离子体电子离子直接碰撞电离截面的理论研究

我们应用含温有界平均原子模型,采用Younger公式和分波法研究了高温稠密等离子体中电子离子直接碰撞电离的截面.     

高能电子碰撞电离对高空核爆炸辐射电离的影响

利用数值模拟程序模拟了不同高度核爆炸下距离爆点不同位置处大气的X射线电离及演化过程,分析了高能电子碰撞电离过程对高空核爆炸电离效应的影响.结果表明:高能电子碰撞电离过程对高空核爆炸的电离结果产生了重要影响,在80 km爆高1 kt当量高空核爆炸条件下,在距离爆点1.5 km处高能电子的碰撞电离效应使得电子的峰值数密度提高了约2个数量级;随着时间的增加,高能电子能谱逐渐向低能方向发展,在5μs后高能电子数密度随电子能量近似呈负指数分布;电子峰值时间与爆高有关,随着爆高的增加而增大,电离的影响区域也随着爆高的增加而增大.在80 km爆高1 kt当量情况下电离效应对近百千米范围内的微波通信具有严重影响.     

高温稠密等离子体电子离子直接碰撞电离截面的理论研究

我们应用含温有界平均原子模型,采用Younger公式和分波法研究了高温稠密等离子体中电子离子直接碰撞电离的截面。     

类钠离子的电子碰撞电离截面

利用相对论修正扭曲波玻恩交换近似,计算了8个类钠离子的电子碰撞直接电离和激发自电离截面.基于这些结果,给出了计算类钠等电子系离子(18≤Z≤39)直接电离和激发自电离截面的高精度拟合公式.计算结果与现有的实验值和其他理论值比较,相当一致关键词：电离截面组态相互作用扭曲波玻恩交换近似拟合公式