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The branching ratio of the following three modes of K+-meaon decay K+→μ++π0+ν K+→e++π0+ν K+→μ++ν is calculated by using the theory of the universal Fermi weak interaction proposed by Feymann and others. Perturbation method with cut-off is used. The ratio obtained is 1:1.5:12, which is in fair agreement with the experimental value 1:1:15. It is shown, other conbinations of Fermi interactions can not give result in agreement with experiment. 相似文献
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本文基于最重要的"硬"产生机制,计算了Z0衰变产生Bc(或Bc)介子并伴有c(或c)和b(或b)两个重夸克喷注的产生率.指出在LEP上的下一次取数据中将产生出足够数目的Bc(或Bc)介子的性质成为可能. 相似文献
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本文研究了B0-B0和B0-B0系统二体重子衰变中的CP不守恒效应.我们讨论了两种实验背景:(1)BB对在Z0共振峰不相干产生,(2)电荷共轭宇称C=+1的BB对在Υ(4S)共振峰以上产生.我们估算了检验该效应所需的bb对数目.对于衰B0→PP,Δ++Δ--和Δ0Δ0,Nbb~107—108. 相似文献
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在标准模型中,稀有衰变道B+→D+sK*0只有通过纯湮没图才可以发生.这样这个衰变道的分支比很小.利用基于kT?因子化的微扰方法给出分支比的预测,发现它在10-8的量级上.这个衰变道估计在将来的LHC上得到测量,对检验标准模型以及探寻新物理有着重要的意义. 相似文献
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用振幅比值的方法,对末态为CP本征态的Bd0和Bs0介子衰变道可能的CP不对称性进行计算,并发现除了众所周知的Bd0→ψKs外,Bd0→D+D-也极有希望在107事例数附近观测到CP破坏.并讨论了计算结果的可靠性. 相似文献
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本文讨论了如果第二个不太重的Z0玻色子存在,弱、电、强单纯群的统一理论的情况.建议一个既包含第二个Z0,又保持标准模型的结果,并能克服SU(5)大统一理论中质子衰变困难的四个破缺标度的方案,从标准模型的色和味的角度看,这个方案不存在bizarre的费米子.最后将它推广到整个单纯李群里去. 相似文献
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在210MeV的束流能量下, 利用重离子熔合蒸发反应146Nd(35Cl, 5nγ)176Ir产生具有β+/EC衰变性质的核素176Ir,由氦喷嘴快速带传输系统将反应产物传送到低本底区进行测量. 经过实验数据的离线处理分析,对早先发表的176Ir衰变γ跃迁进行确认的同时又发现了3个新能级和10条新的γ射线, 丰富了176Os核的低位激发态能级纲图. 并根据典型γ射线的衰变时间谱建议了176Ir核的一个长寿命的低自旋同核异能态. 相似文献
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利用能量为170MeV左右的36Ar重离子束轰击96Ru和106Cd浓缩同位素靶,分别生成缺中子同位素130Nd和140Tb.借助氦喷嘴带传输系统,用X–γ和γ–γ符合方法,分离鉴别了这两种核素,并进一步测定了它们的衰变性质.得到130Nd的半衰期为(13±3)s,首次建议了它的EC/β+衰变纲图,推测了其子核130Pr的基态和低位能级的自旋宇称.修订了140Tb的原有极简单的EC/β+衰变纲图并指认140Tb的基态自旋宇称为7+. 相似文献
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本工作用双磁镜β谱仪,带铁中间象式β谱仪、有铁双聚焦β谱仪和闪烁技术来研究Cs~(134)(半衰期为2.3年)的衰变,定出4个β分支的能量和它们的相对强度的百分比是79(16%),410(5%),652(64%)和683(15%)千电子伏;它们的相应的log ft是6.48,9.34,8.91,9.58.还定出Ba~(134)的9个γ跃迁的能量和它们的多极性是473(E1),564(M1+E2),571(M1),604.8(E2),796(E2),803(E2),1036(E1+M2),1169(E2)和1367(E2)千电子伏。在测量结果的基础上提出了Cs~(134)的衰变纲图。 相似文献
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讨论了强子衰变过程J/ψ→ωπ+π-包含的三个不同中间过程J/ψ→ωf2(1270),f2→π+π-和J/ψ→b1±(1235)π+,b1±→ωπ±的耦合问题.这种耦合效应的考虑对于精确测定共振态f2和b1±的参数以及这些反应道的螺旋度振幅比是十分重要的. 相似文献
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利用紧束缚近似下的格林函数方法,讨论了Si中硫属元素混对杂质(即S0/Se0,S0/Te0和Se0/Te0)基态的电子结构。混对杂质在Si禁带中引入两个A1能级,其中成键性的A1能级位置在反键性的A1能级之上。数值计算得到的混对杂质能级与实验符合得相当好。理论分析表明,在Si中测到的那些未定的比最近邻混对杂质能级更浅的能级(S0/Se0(X1),S0/Te0(X1),Se0/Te0(X1)…)不是由非最近邻位型的混对杂质引入的。本文还指出了一个极性分子放入Si晶体中,两个不同原子间s波函数的转移方向与通常极性分子相反,并讨论其物理原因。
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