分子束外延Zn1—xCdxSe／ZnSe超晶格的拉曼光谱

运用分子束外延技术成功地生长出Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格，并对不同的样品进行了拉曼散射光谱的测试。获得了多达５级的ＺｎＳｅ的ＬＯ声子峰和ＺｎＳｅ的ＴＯ声子峰；同时还在频移为１４４ｃｍ＾－１，３７０ｃｍ＾－１处观测到了两个新声子峰，估计是来自于ＺｎＣｄＳｅ的声学模和光学模。     

ZnSe—ZnS应变超晶格光学振动模的研究

本文给出了ＣａＡｓ衬底上生长的ＺｎＳｅ－ＺｎＳ应变超晶格的室温Ｒａｍａｎ分析，观测了该超晶格中ＺｎＳｅ子层和ＺｎＳ子层的纵光学振动模（ＬＯ），首次发现在一些样品中ＺｎＳｅ子层的纵光学声子模ＬＯＺｎＳ出现蓝移，而ＺｎＳ子层的ＬＯＺｎＳ总是向低波数方向移动，并利用限制效应和应变效应给出了解释。     

ZnSe－ZnS应变超晶格光学振动模的研究

本文给出了ＣａＡｓ衬底上生长的ＺｎＳｅ－ＺｎＳ应变超晶格的室温Ｒａｍａｎ分析，观测了该超晶格中ＺｎＳｅ子层和ＺｎＳ子层的纵光学振动模（ＬＯ），首次发现在一些样品中ＺｎＳｅ子层的纵光学声子模ＬＯＺｎＳ出现红移，另一些样品中ＬＯＺｎＳｅ出现蓝移，而ＺｎＳ子层的ＬＯＺｎＳ总是向低波数方向移动，并利用限制效应和应变效应给出了解释。     

结合重金属前后浮萍的红外光谱比较

对结合ＺｎＳＯ４前后浮萍的红外光谱图进行了比较。结构Ｚｎ＾２＋后,３４００ｃｍ＾－１附近的羟基峰发生了位移（△υ＝８３ｃｍ＾－１）,且吸光度下降,１６５０和１５４０ｃｍ＾－１处的蛋白质特征峰的吸光度也下降,而６２０ｃｍ＾－１处峰的吸光度随ＺｎＳＯ４浓度的升高显著增大。因此羟基在结合Ｚｎ＾２＋时起重要作用,结合ＺｎＳＯ４后细胞壁的结构发生了变化,结合ＺｎＳＯ４时物理吸附与化学吸附共同起作用。     

Y_（1－x）Nd_xSr_2Cu_（2．7）Mo_（0．3）O_（7－δ）体系的拉曼和红外光谱研究

利用拉曼散射和红外吸收光谱研究了Ｙ１－ｘＮｄｘＳｒ２Ｃｕ２．７Ｍｏ０．３Ｏ７－δ（ｘ＝０，０．２，０．５，０．８，１．０）系列样品的声子振动性质。实验结果表明，对ｘ＝０的样品，在拉曼光谱中主要出现３２３，４４３，５２２和５７８ｃｍ－１几个特征峰，在中红外吸收光谱中出现５２２，５８０和６４６ｃｍ－１特征峰。随着样品中Ｎｄ组分的增加，３２３ｃｍ－１峰向低波数发生位移，而５２２和６４６ｃｍ－１峰则向高波数发生位移。本文对这些振动模进行了指认，并对其随不同样品组分的变化行为进行了讨论     

借助于PrBa2Cu3O7的红外光谱讨论Pr在体系中的价态

本报道了陶瓷和薄膜ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７材料的红外和远红外反射谱，从陶恣和薄膜样品的声子谱的比较中萃取ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７材料沿着ｃ轴振动的Ｂｌｕ模分别位于１１０，１５８，１９４，２０２，３９５，５８０ｃｍ＾－１，ＰｒＢａ２Ｃｕ３）７和ＹＢＣ３Ｏ７－δ有类似的晶体结构，分析和比较这两种材料的声子谱，尤其是沿着ｃ轴振动的Ｂｌｕ模，我们认为Ｐｒ的Ｂｌｕ模位于１９４ｃｍ＾－１，并由此而建议从红外测试结果     

Zn_（1－x）Mg_xS_ySe_（1－y）四元半导体合金的拉曼散射光谱研究

用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｙＳｅ１－ｙ四元半导体合金薄膜．用Ｘ－射线衍射方法确定了外延层的结构和晶格常数．测量了这些样品在平行和垂直两种不同几何配置下的拉曼散射光谱并对其特性做了研究。从实验上观察到了四类不同的晶格振动模：类ＺｎＳｅ的ＴＯ和ＬＯ模以及类ＺｎＳ和类ＭｇＳ的ＬＯ模，实验发现：在ＺｎＳｅ和ＺｎＳＳｅ中加入Ｍｇ使得类ＺｎＳｅ的ＴＯ和ＬＯ模的振动频率下降；同时，也使类ＺｎＳ模的频率随Ｓ的增加率减小。     

掺Ba的Bi—sr—Cu—O的单晶Raman散射研究

利用Ｒａｍａｎ散射研究了Ｂｉ２Ｓｒ２－ｘＢａｘＣｕＯｙ（ｘ＝０，０．２，０．４）单晶样品的声子振动性质。实验结果表明，在Ｂｉ２Ｓｒ２－ｘＢａｘＣｕＯｙ体的Ｒａｍａｎ谱中主要出现以下几个频率的特征振动模，即１９６，３００，４６０，６２５和６６０ｃｍ＾－１；而频率为１９６，３００，６２５，６６０ｃｍ＾－１的特征峰的强度随着Ｂａ掺杂量的增加而增加。在早期的工作中，我们曾经研究过Ｂａ的掺杂对Ｂｉ２２０１相     

YBa2Cu3O7—δ中Cu—O伸缩振动的红外吸收峰

测量了ｃ轴高度定向的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高Ｔｃ超导薄膜经３００～７５０℃退火后的红外反射光谱和不同掺Ｚｎ量的ＹＢａ２Ｃｕ３－ｘＺｎｘＯ７－δ块状材料的红外吸收光谱。根据这些光谱中Ｃｕ－Ｏ吸收峰的变化，证实了在ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ体系的红外光谱中，６３０ｃｍ＾－１、５９０ｃｍ＾－１、和５５０ｃｍ＾－１三个吸收峰分别对应的Ｃｕ－Ｏ伸缩振动膜，以及与氧缺位的关系。并讨论了二维电子气屏蔽对吸收峰的影响     

Y1—xNdxSr2Cu2.7Mo0.3O7—δ体系的拉曼和红外光谱研究

利用拉曼散射和红外有收光谱研究了Ｙ１－ｘＮｄｘＳｒ２Ｃｕ．０ｍＯ０．３ｏ７－δ系列样品的声子振劝性质，实验结果表明，对ｘ＝０的样品，在拉曼光谱中主要出现２３２３，４４３，５２２和５７８ｃｍ＾－１几个特征峰，在中红外吸收光谱中出现５２２，５８０和６４６ｘｍ＾－１特征峰。     

ZnSe-ZnS应变超晶格的Raman散射

本文报导了Znse—ZnS应变超晶格的Raman光学声子谱.我们观测到,随着应变大小的改变,ZnSe和ZnS的纵向光学声子发生频移.ZnSe层中纵向光学声子可发生较大的蓝移,也可发生较小的红移;ZnS层中的纵向光学声子发生较大的红移.这些现象为“应变场下的光学模理论”所解释.文中还报导了在波数为110cm-1处观测到一很强的散射峰,并把它归结为超晶格表面层单斜Se所引起的散射;在其它地方还观测到非晶态Se、三角Se引起的散射峰.     

Infrared and Raman spectroscopies of InP/II–VI core-shell nanoparticles

We use infrared (IR) and Raman spectroscopies to investigate the optically active phonon modes in InP nanoparticles and InP/II–VI core-shell nanoparticles fabricated by similar colloidal chemistry methods. The IR transmission spectra of several InP nanoparticle samples exhibit a common absorption feature, which we assign to the Fröhlich mode. The Raman results for the same samples show transverse and longitudinal optical phonon peaks, and scattering strength in between due to surface optical (SO) modes. Infrared spectra of the InP/ZnSe core-shell nanoparticles () exhibit three absorption features, one due to the InP core, and the others associated with the ZnSe shell layer. Raman measurements (12–292 K) also show three phonon-related peaks, whose intensities vary sharply with temperature. The frequencies of the IR and Raman lines are in approximate accord with dielectric continuum theory.     

双层介电系统的Raman散射——ZnSe/玻璃和ZnSe/GaAs的表面声子模

本文实验观测了双层介电系统ZnSe/玻璃和ZnSe/GaAs的表面声子模,并利用极化场边界条件对上述体系的表面声子频率进行了计算。实验结果与计算结果符合得比较满意。     

(CdSe)1(ZnSe)3/ZnSe短周期超晶格多量子阱的共振Ramam谱

在(CdSe)₁(ZnSe)₃/ZnSe短周期超晶格多量子阱中,根据一维线性链模型计算的结果与实验结果的比较表明,我们在不同的共振条件下分别观察到了来自多量子阱的阱中和垒中ZnSe限制纵光学声子模的Raman散射。与GaAs/AlAs量子阱的偏振选择定则不同,在共振条件下,我们在两种偏振配置下都观察到了阱中ZnSe限制模LO₁,并认为这种不同可能来源于样品特殊的电子子带结构和光学声子行为。 关键词：     

ZnSe—ZnTe应变层超晶格的纵光学声子模

本文首次利用室温非共振喇曼后向散射测得具有7.3％晶格失配的ZnSe-ZnTe应变层超晶格限制在ZnSe层中的纵光学声子模。计算了限制效应引起的声子模频率的红移,以及弹性应变引起的声子模的移动,它比前者大得多。ZnSe层所受拉伸应变引起声子频率红移,ZnTe层所受压缩应变引起声子频率蓝移。同时在喇曼光谱中观察到由于这种效应导致出现的纵光学声子折叠模。     

拉曼光谱定性和定量检测青蒿素研究

青蒿素是从中药青蒿中提取的含有过氧基团的倍半萜内酯药物,具有良好的抗疟特性,是治疗疟疾的特效药。运用激光拉曼光谱分析了100～3 500 cm-1光谱范围内青蒿素的声子振动特性。指出位于724 cm-1的拉曼峰为与青蒿素中过氧基团直接相关的一个特性声子振动模式,可用于检测过氧桥键的存在。位于1 734 cm-1的拉曼峰为与青蒿素中内酯基团直接相关的一个特性声子振动模式,可用于进一步检测分析青蒿素。由于这两个特征拉曼峰对应于青蒿素分子中特征化学键的振动,而且在实验上较容易观察分析,因而它们可以很好的用于拉曼光谱法快速初步定性检测青蒿素。同时,通过分析比较不同纯度青蒿素样品中724和1 734 cm-1处特征拉曼峰的平均散射信号强度比,拉曼光谱法可以用于定量检测青蒿素样品的纯度。与常用的高效液相色谱法相比,拉曼光谱法更快速方便,检测精度更高,而且可以检测青蒿素样品纯度的均匀性。拉曼光谱法定性和定量检测青蒿素纯度的功能对分析检测中药青蒿的品质也有重要意义。     

ZnSe-ZnTe应变层超晶格远红外反射谱

本文首次报道室温下测量的分子束外延生长的ZnSe-ZnTe应变层超晶格的远红外反射谱.得到了ZnSe、ZnTe横光学声子摸.用长波长超晶格介电理论和多层吸收薄膜理论进行曲线拟合,确定Ⅱ-Ⅵ族ZnS、eZnTe材料的一些基本材料参数,如横光学声子频率、模衰减常数、模振荡强度、高频介电常数等.本文首次报道这些参数.     

Thermal expansion and lattice dynamics under pressure of ZnS,ZnSe and ZnTe

The thermal expansion against temperature of ZnS, ZnSe and ZnTe is studied theoretically using the experimental pressure dependence of elastic stiffness constants and phonon frequencies. The mode Grüneisen parameters obtained from the high pressure effect on the one- and two- phonon Raman spectra at the metallic transition pressure by Weinstein are used originally, but do not reproduce the experimental linear expansion coefficient at high temperatures. The contributions from optical modes with large phonon frequency are important to the thermal expansion at high temperatures, and a set of mode Grüneisen parameters, which bring good agreement with the observed linear expansion coefficient not only at low temperatures, but also at high temperatures, are obtained. Then, the phonon dispersion curves of ZnS, ZnSe and ZnTe at their metallic transition pressures are quantitatively shown.     

Infrared lattice absorption spectra of zinc selenide doped with beryllium

Infrared localized mode sidebands due to the combined excitation of the localized mode and the host lattice modes are observed for ZnSe:Be. Two bands are obtained in the acoustic band mode region. The band at 105 cm^-1 is assigned to a resonant mode and the band at 72 cm^-1 is attributed to the impurity activated TA(X) phonon.     

Properties of ZnSe films pulse electrodeposited in the presence of phosphotungstic acid

ZnSe films were pulse-electrodeposited on conducting glass substrates with and without the addition of phosphotungstic acid. X-ray diffraction studies indicated the formation of single phase cubic ZnSe. Addition of phosphotungstic acid resulted in films with nanocrystallites. The band gap of the films was found to increase due to addition of phosphotungstic acid. The films had a crystallite size of the order of 15nm and a surface roughness of 1.8nm. Laser Raman studies exhibited the LO phonon peaks of ZnSe. The films were found to possess a slight excess of Se as evident from the energy dispersive X-ray analysis measurements.