MgB2和Mg0.93Li0.07B2的电阻率与霍尔效应研究

测量了MgB₂和Mg_0.93Li_0.07B₂的电阻率ρ(T)与霍尔系数R_H(T)的温度依赖关系.电阻率的测量结果表明,MgB₂和Mg_0.93Li_0.07B₂的正常态电阻率与温度有平方的依赖关系.MgB₂和Mg_0.93Li_0.07B_{2关键词： 电阻率 霍尔效应}     

InSb薄膜的霍尔效应测量

霍尔系数和电阻率随温度变化的测量是近代物理的基本实验之一．通过测量可判断半导体材料的类型，并得到材料的一些重要参数，例如载流子浓度和运尔迁移率等等．在一般的教学实验中常用单晶锗或硅作为样品．随着半导体技术的发展，用外延工艺研制的单晶薄膜材料已成为一种重要的半导体材料．我们得到了几块用这种工艺生长的N型Insb（锑化铝）薄膜材料，测量了它们的合尔系数和电阻率，并求出其载流于浓度和霍尔迁移率．可以看出这种材料的霍尔迁移率比硅和锗材料要大得多．实验中发现个别薄膜材料在低温时的电子霍尔迁移率低于常温时的值，…     

异常霍尔效应和自旋霍尔效应

异常霍尔效应和自旋霍尔效应是在常规霍尔效应的基础上引发出的2种新现象.本文介绍了这2种现象及其原理和潜在的应用.     

霍尔效应与汽车上的霍尔器件

在国产桑塔纳、奥迪、红旗、捷达等轿车电路上经常可以看到"霍尔"(Hall)这个名称,如霍尔式电子点火系统中就有一只霍尔传感器,专门给发动机电控单元(ECU)提供电压信号.     

霍尔效应的发现

介绍了霍尔的生平,回顾了霍尔在导师罗兰的指导下,发现霍尔效应的历程;分析了罗兰和霍尔在这一研究中发挥的重要作用,以及霍尔在研究工作中的严谨作风和顽强毅力.     

新型超导体MgB_2的热电势和电阻率研究

测量了MgB-2的热电势和电阻率与温度的依赖关系.在100K—300K区间,热电势呈近似线性温度依赖关系,其斜率为正,表明载流子为空穴型且与能带贡献的图像相一致.与此对应,在此温区电阻率呈T2依赖关系.在100K以下,热电势和电阻率各自转变了其高温区的温度依赖关系.热电势在超导转变温度Te(零电阻36.6K)到100K间有一宽峰,具有声子曳引峰的特征,表明电子-声子相互作用很强.估算了一些重要的参数,如带米能EF、能带宽度等.     

霍尔效应实验的改进和扩展

对霍尔效应仪器进行了改进,通过对磁场标定,研究霍尔电压与恒定电流的关系,可以测定霍尔片载流子的浓度. 测量霍尔片的长度和横截面积,进而可以测定霍尔片的电导率和迁移率.     

高温超导体霍尔效应和温度关系的动态测量

本文采用了改进的动态测量方法，对高温超导体的霍尔效应与温度的关系进行了测量。该方法有效地降低了测量误差，并且简单快速。我们利用低廉、普及的普通电磁铁代替了液氦制冷的低温超导磁体，测量了高温超导体YBa2Cu3O7(YBCO)薄膜和Hg1-xBa2CaCu2O6 δ（Hg-1212)薄膜的霍尔效应。发现了在Hg-1212中，随汞的含量不同，超导临界温度Tc变化很大，但是霍尔角却几乎不变。相反，随氧的含量不同，霍尔角变化很大，而超导临界温度Tc却变化很小。Tc的变化被认为与CuO2面上的单胞空穴密度Psheet相关联。这对了解高温超导的机制很有意义。     

室温下石墨烯的霍尔效应实验研究

对用化学气相沉积法(CVD)研制的长、宽均为1.23 cm,厚度为3个原子层尺寸的石墨烯样品,进行了室温下的霍尔效应相关研究。实验中电极与石墨烯之间有良好的欧姆接触。通过范德堡法测量了样品在磁场强度为0.353 T,不同电流强度下的霍尔电压,并对结果进行处理分析,得到石墨烯的霍尔系数RH=7.00×10-7m3/C、载流子浓度n=10.52×1024/m3、霍尔元件乘积灵敏度KH=6.87×102m2/C。     

超导体混合态的磁通运动与霍尔效应

我们根据一个推广的热激活磁通运动模型，得到钉扎力Ｆｐ的具体形式，并由此给出了混和态下霍尔电阻率ρxy随磁场变化的表化，我们的结果，定性地解释了有关实验现象。     

霍耳效应实验研究

本文改进了霍耳效应实验工作原理图，并从理论上分析了对称测量法消除不等位效应。     

整数量子霍尔效应的问题与解答

本文的目的是让学生运用学过的大学物理中的量子力学知识来解释整数量子霍尔效应．在探究问题的过程中需要掌握薛定谔方程及其对线性谐振子的解，用对易算符建立相应的本征值，熟悉周期性边界条件，以及用哈密顿量中的磁场的矢势来描述磁场与电子的相互作用。     

基于霍尔效应直流电表的设计与制作

基于安培环路定理和霍尔效应,设计制作了一种电流测量装置.该装置利用线性霍尔元件,提供了一种间接测量电流的方法,并对0～20A的直流电流进行了实验验证.实验结果表明：该装置的测量精度满足测量要求.     

霍尔效应实验的智能化

利用单片系统控制霍尔效应实验过程，智能化地验证霍尔效应理论、测量给定元件的霍尔灵敏度，并且通过磁场的变化模拟了实际的控制系统，从而使学生对霍尔效应的理论、实验及应用有了充分的认识。     

量子霍尔效应的发展历程

量子霍尔效应的发现是新兴的低维凝聚态物理发展中的一件大事,分数量子霍尔效应的发现更是开创了一个研究多体现象的新时代,并将影响到物理学的很多分支,这个领域两次被授予诺贝尔物理奖,引起了人们很大的兴趣,文章介绍了量子霍尔效应发展的历程,主要内容包括１８９７年霍尔发现霍尔效应、１９８０年Ｋｌａｕｓ ｖｏｎ Ｋｌｉｔｚｉｎｇ发现整数量子霍尔效应、１９８２年崔琦和Ｈｏｒｓｔ Ｌ．Ｓｔｏｒｍｅｒ发现分数量子霍     

霍耳效应测磁场的讨论

介绍了霍耳效应测磁场的实验目的、原理及测量方法。详细论述了霍耳效应伴随的副效应对测量结果的影响。     

霍尔效应实验及数据处理

本文介绍了霍尔效应实验方法，系统地研究了数据处理的方法，即平均值法、作图法、直线拟合法，并比较这三种方法的异同。     

智能化霍尔效应实验仪

本文介绍了单片计算机控制的组合多功能霍尔效应实验仪的原理、结构、功能特点。