K在InP（100）表面吸附及界面反应的同步辐射光电子能谱研究

利用同步辐射光电子能谱研究了Ｋ在ｐ型ＩｎＰ（１００）表面的吸附及其界面反应。由Ｋ吸附过程中Ｉｎ４ｄ和Ｐ２ｐ芯能级谱的变化发现：在碱金属Ｋ吸附于ｐ型ＩｎＰＯ（１００）表面的过程中，Ｋ－Ｐ之间发生了化学反应，形成Ｋ－Ｐ化合物，当Ｋ覆盖度０〉２１０Ｓｅｃ时稳定的Ｋ－Ｐ化合物基本形成，此时Ｐ２ｐ峰的峰形和峰位基本保持不变。Ｋ－Ｉｎ之间无明显的化学反应发生，但在Ｋ的吸附过程中，碱金属Ｋ对Ｉｎ有置换反应发生，     

有限温度下Aa4团簇赝转动的局域Lyapunov指数研究

在紧束缚分子动力学模型基础上,对具有Ｄ２ｈ对称性的Ｎａ团簇在不同温度Ｔ＝７６Ｋ、１１２Ｋ、２１２Ｋ和２２４Ｋ下热力学行为进行了研究。根据局域Ｌｙａｐｕｎｏｖ指数分布的变化,对由温度Ｔ＝７６Ｋ、１１２Ｋ向温度Ｔ＝２１２Ｋ、２２４Ｋ的变化中会出现的赝转动所表现的混沌现象进行了分析。     

Kondo绝缘体CeNiSn的低温物性研究

对ＣｅＮｉＳｎ的多晶样品进行了磁化率ｘ（１．８－２０Ｋ），电阻率ρ（３－１００Ｋ），Ｈａｌｌ系数Ｒ（４．２－３２Ｋ）和低温比热（１．２－３０Ｋ）的测量，经Ｘ射线衍射分析，该样品为单相结构，磁化率Ｘ在较高温区（３０－２００Ｋ）遵循Ｃｕｒｉｅ－Ｗｅｉｓｓ定律，并可推定出Ｃｅ离子的价态是＋３价的，在３０Ｋ以下磁化率Ｘ明显地偏离该定律并急剧增大，显示出明显的Ｋｏｎｄｏ行为，在１５Ｋ以上，ρ（Ｔ）很好地符合     

一种获得极低温度的新方法

当代科学技术的发展,已经可以获得多方面的极端实验条件,例如,极强磁场和极弱磁场的获得与测量,极高压强和极高真空的获得与测量,极高温度和极低温度的获得与测量,等等．在这些极端条件下,常会出现一些新的现象,有的还可得到新的应用．在超低温度方面已经相继发展了１Ｋ到１０－３Ｋ的ｍＫ区、１０－３Ｋ到１０－６Ｋ的μＫ区和１０－６Ｋ到１０－９Ｋ的ｎＫ区．在这些极低温度区域内,已经发现了碱金属原子和氢原子的玻色－爱因斯坦凝聚现象;氦－３和铜原子核的原子核磁矩有序的核磁有序（如核铁磁有序和核反铁磁有序）现象［１］…     

2N+1阶KdV型方程的孤波解

获得了２Ｎ＋１阶ＫｄＶ型方程的显式精确孤波解．作为特例，讨论了高阶广义ＫｄＶ型方程、高阶广义ＭＫｄＶ型方程和高阶广义Ｓｃｈａｍｅｌ的ＭＫｄＶ型方程．还研究了２Ｎ＋１阶ＫＰ型方程 关键词：     

食盐中碘酸钾测定新方法的研究

本文依据ＫＩＯ３与ＫＩ在稀ＨＣｌ介质中反应产一的Ｉ＾－３与结晶紫结合成电中性的离子缔合物,用ＯＰ作增溶剂,提出了分光光度法测定食盐中微量ＫＩＯ３的新方法。本法灵敏,快速,用于水相中直接测定ＫＩＯ３,结果与紫外光度法一致。     

Pr掺杂对Y1—xPrxBa2Cu3O7—δ体系的自旋能隙的影响

Ｙ１－ｘＰｒｘＣｕ３Ｏ７－δ系列样品，在ｘ＝０时，Ｔｃ－９０Ｋ，电阻率ρ随温度线性变化，ｘ＝０．１，０．３，０．４，０．４５时，电阻率ρ分别在１４０Ｋ，１７５Ｋ，１８５Ｋ，１９５Ｋ以下温区，向下偏离线性，出现自旋能隙打开现象。     

Rb（7^2D）态与基态K原子的碰撞能量转移

Ｋ－Ｒｂ混合蒸汽中，使用Ｒｂ光谱灯和染料激光器，将基态Ｒｂ原子二步激发到７＾２Ｄ态用荧光法测量了过程Ｒｂ（７＾２Ｄ）＋Ｋ（４Ｓ）→Ｒｂ（５Ｓ）＋Ｋ（７Ｓ，５Ｄ），的碰撞转移截面，Ｋ７Ｓ，５Ｄ对Ｒｂ７＾２Ｄ的荧光比中，含Ｋ７Ｓ＾←→５Ｄ碰撞转移的影响，第二个实验可以消除这个影响，利用Ｋ光谱灯和染料激光器产生Ｋ７Ｓ或５Ｄ态，探测Ｋ７Ｓ（５Ｄ）对５Ｄ（７Ｓ）的荧光比，Ｒｂ７Ｄ→Ｋ７Ｓ，５Ｄ碰撞转移截面（     

钡钾铋氧超导体的研究现状

Ｂａ１－ｘＫｘＢｉＯ３（ＢＫＢＯ）超导体之所以令人感兴趣，其原因除了ＢＫＢＯ不含铜和它是立方钙钛矿结构外，更是由于它具有相干长度长（约５－７ｎｍ），制备温度低，导电性和超导性各向同性等优点。最近的研究还表明ＢＫＢＯ对于环境介质（如水）的稳定性明显好于含铜超导体．这些优点对于ＢＫＢＯ超导体走向实用化是重要的．ＢＫＢＯ的超导性与钾含量有关。当钾含量ｘ在０．３７＜ｘ＜０．５范围时ＢＫＢＯ才超导，当ｘ＝０．４时，Ｔｃ为３０－３２Ｋ，晶格常数为４．２８３Ａ°．晶格常数随钾含量增加而减少，二者有线性关系．因…     

表面增强拉曼光谱研究聚乙烯咔唑(PVK)在银表面的吸附状况

ＰＶＫ表面增强光谱及粉末拉曼光谱的对比分析表明,ＰＶＫ分子是通过杂五环和邻 双取代苯环同衬底银表面吸附的,且ＰＶＫ分子与银原子之间存在电荷转移。     

低温条件下半导体材料禁带宽度的测量

介绍用硅三级管作为样品，在低温１５０Ｋ－２５０Ｋ范围内，测量其ＰＮ结正向特征，可精确求得玻耳兹曼常量及硅半导体材料禁带宽度的值。     

两种典型升压程序的金刚石成核特性

 在1 573~1 663 K之间再结晶石墨抑制金刚石成核的压力范围大约为0.4 GPa。抑制成核的压力与再结晶石墨形成的时间有关。样品的X光衍射结果还表明，随着抑制成核的压力升高，再结晶石墨的d₀₀₂减小。     

火焰特征发射谱线研究

本文利用CCD光纤光谱仪,通过实验确定了木基燃料燃烧火焰光谱中出现的特征谱线是K,Na 的原子发射谱线,测定了特征谱线出现时的火焰温度,指出可以通过特征谱线的出现与否来确定火焰的温度范围。还发现火焰的光谱形状和火焰的燃烧状态密切相关,包含大量和燃烧有关的信息,并且对煤烟颗粒有较强的抗干扰性。通过对火焰光谱形状的分析可判断出火焰的燃烧状况,进行燃烧诊断。     

不同温度下烧结的Y211对YBCO的磁通俘获场的影响

采用顶部籽晶熔融织构法制备了YBCO准单畴块材,研究了在不同温度下烧结的Y2BaCuO5(Y211)粒子在块材中的分布及其对于磁通俘获场的影响.Y211前驱粉是通过使用氧化钇(Y2O3)、碳酸钡(BaCO3)、氧化铜(CuO)粉末在840到970℃之间煅烧制备.扫描电子显微镜(SEM)观察发现,通过900℃烧结的Y211颗粒在准单畴超导块材中的分布是均匀的.总的来说,使用性能好的Y211粉末将会降低Y211颗粒在块材的尺寸,提高了块材的磁通俘获场.在77K的温区下,直径为35mm的YBCO块材的磁通俘获场的最大值可以达到0.73T.     

溅射气压对X射线多层膜反射率的影响

本文在不同的溅射气压的情况下制备了具有相同结构参量的Mo/Si多层膜,测出了其对应的小角度X衍射曲线,在北京同步辐射实验室测量了多层膜的软X射线反射率.小角X射线衍射谱表明:随着溅射气压升高,多层膜的小角X射线衍射曲线的高次峰的峰高急剧变小,半峰宽变大.反射率测量结果也表明:多层膜的X射线反射率随溅射气压的升高而急剧降低.     

计算机C语言在大学物理实验中的应用

介绍了一种用于处理大学物理实验数据的C语言实用程序，探讨了提高学生综合利用多学科知识解决实际问题的能力的教学方法     

激子转移对GaP:N发光热猝灭过程的影响

本文研究了20K-120K范围内GaP:N束缚激子发光与温度的关系,从实验结果发现,各发光中心之间存在着激子转移.初步分析表明,采用带带激发方式,激子转移会导致深束缚中心的热激活能拟合值偏高,其发光热猝灭是由于空穴的热离化所造成的.     

K~ -核散射研究进展

本文简要回顾了K 核散射实验和理论方面近几年的研究进展。我们通过把介质中的K 核子相互作用与介质中的夸克凝聚联系起来 ,计算了K 核相互作用的非传统机制的贡献。结果表明核密度相关的介质内夸克凝聚可以解释K 核散射中的非传统介质效应。     

THE CRITICAL TEMPERATURE OF SUPERFLUID HELIUM AND THE FRACTION OF NONZERO MOMENTUM COPJDENSATION

Using the method of momentum nonconserved Green function,we derive a critical temperature value T^(l)=2.71°K for ⁴He system below which the system undergoes a phase transition and has a nonuniform condensate.The temperature dependepce of the speed of the first sound near T=0°K is also discussqd.     

Cd-Sn-Zn三元系高压等温截面图的计算

 本文根据相图的边界理论和平衡体系中诸组元在各相中化学势相等的原理，计算了Cd-Sn-Zn三元共晶系的高压水平截面图。依据所得结果绘制出该三元系在一定温度下（500 K）不同压强时的固液平衡水平截面图，并绘制出液相面投影图。计算过程中对各组元的偏摩尔体积虽作了一些近似，但计算结果仍与文献值符合。从计算结果可知，对于该三元系来说，压强增加使体系液相区变窄。