电流冲击对长波光导MCT探测器的影响

对长波光导MCT红外探测器进行了大电流长时间的冲击,对比了冲击前后探测器的电阻温度特性,并用该参数研究了器件的电学参数;测量了冲击前后探测器的黑体性能变化、响应光谱以及少子寿命.实验结果显示:短时间(42mA,70h)的电流冲击对探测器性能影响不大,探测器组分减小,截止波长变长;冲击时间长到(42mA,100h)一定程度后,探测器性能有不同程度的下降,组分变大,截止波长变短.这是因为电流产生的热效应加强了Hg扩散效应,从而使器件截止波长发生变化.     

电流冲击对长波光导MCT探测器的影响

对长波光导MCT红外探测器进行了大电流长时间的冲击,对比了冲击前后探测器的电阻温度特性,并用该参数研究了器件的电学参数;测量了冲击前后探测器的黑体性能变化、响应光谱以及少子寿命.实验结果显示:短时间(42mA,70h)的电流冲击对探测器性能影响不大,探测器组分减小,截止波长变长;冲击时间长到(42mA,100h)一定程度后,探测器性能有不同程度的下降,组分变大,截止波长变短.这是因为电流产生的热效应加强了Hg扩散效应,从而使器件截止波长发生变化.     

室温长波光导探测器研究

从理论和实验上详细研究了室温长波HgCdTe光导探测器,提出了室温光导半导体的广义优值,计算了10.6μm HgCdTe探测器的优值和极限性能与组分和掺杂的关系。用HgCdTe外延层制作了光导探测器,描述了它的性能。结果表明10.6μm室温光导探测器的最佳探测率可高于1×10~8cmHz~(1/2)/W,已接近一般的热敏型探测器性能。     

长波光导HgCdTe探测器芯片钝化研究

在长波光导碲镉汞器件研制过程中，表面钝化是不可缺少的一个重要环节。在早期，表面钝化只进行阳极氧化处理。通过阳极氧化加ＺｎＳ复合钝化实验，得到了比较可靠的表面钝化层，并制造出了高性能、耐高温环境试验的实用化擦探测器芯片，文章对表面钝化层进行了分析。     

室温长波光导探测器研究

从理论和实验上详细研究了室温长波HgCdTe光导探测器，提出了室温光导半导体的议优值，计算了10．6μmHgCdTe探测器的优值和极限性能与组分和掺杂的关系。用HgCdTe外延层制作了光导探测器，描述了它的性能。结果表明 10．6μm室温光导探测器的最佳探测率可高于1×10^8chHz1/2/W，已接近一般的热敏型探测器性能。     

105K工作温度的多元长波光导碲汞探测器

文章报道了空间多谱扫描仪工外波段多元光导碲镉汞探测器的研制与优值。重点研究并解决了多元器件光谱曲线不一致性的问题，简述了器件的优值波段响应率Ｒ＾Δλ１，波段探测率Ｄ＾＊Δλ和单色响应率Ｒλ的测试定标方法，以及器件控空间环境使用要求经历老练和环境条件试验的情况。测试结果表明多元件性能稳定可靠，各项指标均达到空间多谱扫描仪的技术要求。     

长波光导HgCdTe探测器的输运特性

测量了长波光导ＨｇＣｄＴｅ线列探测器在１．２～３００Ｋ的电阻率－温度（Ｒ－Ｔ）特性，结果表明：高性能和低性能探测元的Ｒ－Ｔ特性明显不同，前者有与正常ＨｇＣｄＴｅ材料Ｒ－Ｔ关系相似的变化规律，后者则与简并ＨｇＣｄＴｅ材料相似．探测器的性能与最大电阻温度有对应关系     

采用叠盖电极的高级长波60元光导探测器

介绍一种采用叠盖电极制备高级长波60元探测器的方法,并进行了较深入的实验,证明此方法是一种行之有效的提高光导探测器的技术。并在此基础上,确定了器件的最佳工作条件,而且证明应用有叠盖电极的器件是有方向性的。     

长波光导HgCdTe红外探测器的可靠性

从真空热浸和电流冲击两个方面对碲镉汞红外探测器进行了研究.真空热浸在星载红外探测器中是十分重要的一项试验,通过研究得到大面积甚长波探测器芯片的耐真空热浸温度为85℃、95℃下39 h的热浸会降低探测器的性能;在电流冲击的实验中,得出低温下探测器芯片耐冲击能力低于室温下的探测器芯片,低温下40 mA的脉冲电流会降低其性能,而室温下相应的脉冲电流为70mA.粘接胶的热导率和厚度是影响耐冲击能力的主要因素.     

基于PC的电气自动化技术

随着我国工业生产规模的不断扩大,工业领域越来越需要电气工程行业的支持与投入。电气自动化技术与PC技术的不断融合,已经成为推动我国社会第二产业焕发新的生机的强有力的保证与关键的技术支持。由此而推动的企业生产效率的提高、生产规模的扩大以及生产成本的降低,也成为我国工业产品提高竞争能力、拓展国际市场的关键因素。基于此,如何促进PC技术与电气自动化行业的迅速融合,成为当前技术研发的重中之重。本文即是抱着这样的目的,对基于PC的电气自动化技术给予一定的介绍与研究,希望能对相关人员有所帮助。     

晶体Si片切割表面损伤及其对电学性能的影响

对比观察了不同工艺条件下金刚石线锯和砂浆线锯切割晶体Si片的表面微观形貌;分析了其切割机理及去除模式;对比分析了三种不同化学方法钝化Si片的效果和稳定性;采用逐层腐蚀去除Si片的损伤层,使用碘酒对其进行化学钝化,然后测试其少子寿命,分析Si片少子寿命随去除深度的变化趋势,根据Si片少子寿命达到最大值时的腐蚀深度,测试确定Si片的损伤层厚度。经实验测得,砂浆线锯切割Si片的损伤层厚度为10μm左右,金刚石线锯切割Si片的损伤层厚度为6μm左右。结果表明,相比于砂浆线锯切割Si片,金刚石线锯切割Si片造成的表面损伤层更浅,表面的机械损伤也更小。     

Uniformity of Electrical Parameters on MCT Epitaxy Film

For Hall measurement under different magnetic fields at LN2 temperature, Hg1-xCdxTe (MCT) film (radius 1 cm) grown on CdTe substrate by LPE is photoengraved into many small Van Der Pauw squares, then their Hall coefficients and mobilities are measured and analyzed, respectively. Two films were Hall-tested during the temperature range from LHe 4. 2K to about 200K. An actual impression on the uniformity of electrical parameters for MCT film can obtained by means of the methods presented in this paper.     

光伏型光电探测器漂移-扩散模型的改进

提出了改进的描述光伏型半导体光电探测器中载流子输运的漂移-扩散模型,该模型能适合更高强度的激光辐照,可以模拟光生载流子的长时间过程。依据该模型,对光伏型探测器进行了模拟计算,得到了激光辐照下探测器的动态响应规律、探测器温升以及材料参数对探测器响应的影响。     

电击防护的安全限值

为了减小直接接触危险带电零部件产生电击危险的可能性,分析了基础安全标准和相关专业安全标准对操作人员可能触及到的接触电流值、电压值和电容放电量等安全限值的具体规定,指出安全限值的选择应符合基础安全标准的要求,并考虑设备的应用条件和环境条件.     

Electrical properties of HgCdTe epilayers doped with silver using an AgNO3 solution

We employed AgNO₃ solutions for doping Ag in liquid phase epitaxy (LPE) grown Hg_0.78Cd_0.22Te epilayers and found that the minority carrier lifetimes became longer so that the diode properties improved. After annealing LPE grown Hg(1-x)Cd(x)Te layers (x=0.22) in Hg atmosphere, the epilayers were immersed in an AgNO₃ solution at room temperature. The typical carrier concentrations of holes was 3 × 10¹⁶ cm⁻³ at 77K. These values were almost the same as for the nondoped wafers. Also, its acceptor level was 3 to 4 meV. This shows that the Ag was activated. The doped crystals have lifetimes several times longer than those of the nondoped crystals. Numerical fitting showed the lifetime was limited mostly by the Auger 7 process. The Shockley-Read-Hall recombination process was not effective. To examine the Ag-doped wafer, we fabricated photodiodes using standard planar technology. The diodes have an average zero-bias resistance of several MΩ and a shunt resistance of about 1 GΩ for a 10 μm cutoff wavelength at 78K. These values are about four times higher than those of nondoped diodes. The photo current is also two times higher at the same pixel size. This shows that the quantum efficiency is increased. The extension of the lifetime contributes to the high resistance and the high quantum efficiency of the photodiode.     

瞬态光响应法测试中波碲镉汞器件少子寿命的新方法

在测试中波碲镉汞光伏器件的瞬态响应时,当激光光斑照射器件表面位置距离光敏面较远时,器件表现为特殊的双峰脉冲响应现象,分析表明出现这种异常双脉冲现象的原因是光敏区内的少子漂移和光敏区外侧向收集的少子扩散有时间上的差异。通过对器件施加反向偏压,脉冲响应随反向偏压的增大由双峰变成单峰的实验结果,验证了少子侧向收集是导致器件形成双峰的主要原因。对第二个峰拟合得到p区的少数载流子寿命。将瞬态响应获得的少子寿命与该p型中波碲镉汞材料的理论计算和光电导衰退法得到的少子寿命相对比,发现三种方式得到的少子寿命随温度的变化趋势基本一致,这说明了可以通过瞬态光响应得到中波碲镉汞器件的少子寿命。     

Si基HgCdTe材料的电学特性研究

文章研究了Si基分子束外延HgCdTe原生材料、P型退火材料和N型退火材料的霍耳参数、少子寿命等材料电学特性。研究发现，晶格失配导致Si基HgCdTe材料原生材料和N型退火材料迁移率低；Si基原生HgCdTe材料属于高补偿材料，但高补偿性并非材料的固有特性，通过P型退火可使材料变为低补偿材料，迁移率得到提高。采用分子束外延方法制备的3in Si基HgCdTe材料电学性能与GaAs基HgCdTe材料相比，性能还有待提高。改进分子束外延生长工艺提高HgCdTe质量，从而进一步提高迁移率，是Si基外延研究的关键。