CuZnAl记忆合金有序转变的固体电子论分析

应用固体经验电子理论,并联系 G.Inden 的有序转变温度与原子间作用能的关系式,计算了 CuZnAl 记忆合金的 A_2到 B_2,B_2到 DO_3两种有序转变温度随合金元素变化的规律。计算得出的变化趋势与实验结果符合得相当好,表明所采用的理论模型可以说明 CuZnAl 合金的记忆性能和用来指导探索新的记忆合金。     

开关函数加权网络综合算法的改进

文献〔1〕根据任意开关函数可表示成某些变量重复的对称函数,即开关函数的加权表达式,提出了基于一位全加器的加权网络的代数综合算法。由于一位全加器的集成度低,因此需用较多的集成块。本文对文献〔1〕的算法作了改进,使之适用于四位全加器的情况。 四位二进制全加器的图形符号如图1所示。A_3～A_0、B_3～B_0为二个四位二进制数输入,C_0为低位进位输入,S_3～S_0为本位和输出,C_4为进位输出。其输出可表示为 C_4S_3S_2S_1S_0=A_3A_2A_1A_0+B_3B_2B_1B_0 +C_0 （1）式中“+”为二进制加法运算。     

一类有限真BCI-代数

本文完全解决了有限BCI-代数扩张理论中的一种特殊情况.设B_2=0,1是2阶BCK-代数,P=Z_2~(ad)是2阶P-半单BCI-代数.本文决定了所有这样的有限真BCI-代数X,其BCK-部分是B_2,而X/B_2≌P=Z_2~(ad)。     

Ramsey重数研究

对于图G_1,G_2,2色广义Ramsey数R(G_1,G_2)表示满足下列条件的最小正整数p:如果用2种颜色中的一种对K_p的每一条边染色,总有K_p的一个子图同构于G_i,它的边都染有第i种颜色,1≤i≤2.对K_(R(G))的所有可能的边2-着色中,含有单色子图G的最少的个数称为图G的重数.利用计算机计算了若干不小于5阶图的Ramsey重数精确值:M(C_6)=10,M(P_6)=300,M(P_7)=720;当计算量很大时,利用模拟退火算法得到了若干Ramsey重数的上界:M(B_4)≤51,M(K_(2,4))≤24,M(K_(3,3))≤150,M(K_(2,5))≤47,M(W_6)≤34,M(B_5)≤48.     

非晶合金Fe_(50)Ni_(30)B_(20)的磁弛豫的低能激发

在双能级模型及凝聚态物质的低频涨落、耗散和弛豫行为的统一理论基础上,研究了非晶合金Fe_(50)Ni_(30)B_(20)于480K退火2h以后,在250～350K范围的磁后效谱,计算得到红外发散指数n=0.11,特征弛豫时间τ_x=2.8×10~(-17)s。在弛豫峰温处,计算的表观激活能E_A为1.7eV,此结果与实验很好地一致。计算结果表明,对此非晶合金,磁后效是由于B原子跳跃引起Fe-B,Ni-B原子对的局域重排而导致的。此外,也讨论了随着温度上升激活能E_A增加的原因。     

多维调和随机广义过程的谱分析

本文将讨论在[1]中所定义的随机广义过程。我们称n维随机广义过程Φ(ω,t)=(Φ_1(ω,t),Φ_2(ω,t)…,Φ_n(ω,t))~((*))是调和的,如果它的所有相关广义函数B_(lj)(t_1,t_2)     

红莲—华矮_(15)不育系配制的杂种表现和繁殖制种技术简报

红莲——华矮_(15)不育系(以下简称华矮_(15)不育系),最初是用红芒野生稻(O.sativaL.f.spontanea)为母本,以秈稻品种莲塘早为父本进行杂交和连续回交培育成红野——莲塘早不育系。后来又以红野——莲塘早不育系为母本(B_4F_2),以早秈品种华矮_(15)为父本连     

硅铝酸盐材料中硅的氟硅酸钾滴定法的研究

一个氟硅酸钾滴定法测定硅的关键性的研究,揭示了可以在3.5～7.5N酸内,含有1％氟化钠和≥12％氯化钾中,定量沉淀氟硅酸钾。用含有1％氟化钠和12％氯化钾水洗溶液(pH～5.3),甚至在35℃洗滌沉淀时产生水解都是微不道的,较为理想的发现。大量铝(Al_2 O_3达到160mg)的干扰,在6～7.5N酸溶液中沉淀氟硅酸盐时可以消除。铝这时由于氟化物的广泛质子化的原因,实际上没有形成氟铝酸盐络合物。大量硼的干扰,(B_2O_3直到160mg)可用浓度不低于12％氯化钾的水洗溶液在室温下洗滌氟硅酸盐沉淀加以消除。用硝嗪黄作为一种更灵敏的指示剂。     

CX_2(NO_2)_2(X=H,F,C1)分子旋转势和构型稳定性的ab initio研究

本文用ab initio计算方法,采用STO-3G基组,对二硝基卤代甲烷CH_2(NO_2)_3(1),CF_2(NO_2)_2(2);CCl_2(NO_2)_2(3)等分子作了单点计算,研究其旋转势能.全构型优化研究了五个具有对称性构型的结构和稳定性,并作了理论分析和探讨.     

新型无机非线性晶体SBBO的生长,助熔剂探索和相关系

非线性光学的发展,使得寻找新材料日益重要。我们在成功开发出BBO、LBO的基础上,用阳离子基团理论作指导,寻找具有优异性能的真空紫外倍频材料。本文对新型无机非线性光学晶体Sr_2Be_2B_2O_7(SBBO)的生长、助熔剂及相关系进行了深入的研究。     

CX2(N02)2 (X=H9 F,Cl)分子旋转势和构型稳定性的ab initio研究

本文用ab initio计算方法，采用STO-3G基组，对二硝基卤代甲烷CH, ( NO, ),(1), CF,(NO,), (2)} CCIz(NO,), (3)等分子作了单点计算，研究其旋转势能.全札型优化研究了五个具有对称性构型的结构和稳定性。并作了理论分析和探讨     

三值Read-Muller展式的最优极性

本文提出了计算3~n个不同极性Reed-Muller展式的新方法。该方法不需进行矩阵计算,即可从函数值(真值)向量直接得到3~n个RM展式.这样,不但减少了计算复杂性,且有利于较快求出RM展式的最优极性表示.     

镝在具有K_2NiF_4型结构的A_2BO_4(A=Dy~(3+)/Sr~(2+),B=Ni,Mn,Fe,Co)化合物中的掺杂和X射线衍射表征

本文用多晶X射线衍射技术,研究重稀土镝嫡在具有K_2NiF_4型结构A_2BO_4(A=Dy/Sr,B=Ni,Mn,Fe,Co)化合物中的掺杂,发现在空气气氛中,在1200°至1400℃温度范围内,Ni、Mn能与Dy~(3+)/Sr~(2+)形成Dy_(0.5) Sr_(1.5)MO_4(M=Ni,Mn)复合氧化物,四方晶系,空间群为D_(4h)~(17)—I_4/mmm;Fe、Co未能与Dy~(3+)/Sr~(2+)形成A_2BO_4型化合物,只能与Sr形成A_2BO_4或A_2B_2O_5型化合物.Co和Fe可以取代Dy_(0.5)Sr_(1.5)NiO_4化合物中最多约0.25％Ni(摩尔百分数)而保持四方相结构稳定.Dy~(3+)/Sr~(2+)与过渡金属元素能否形成A_2BO_4型化合物,决定Dy~(3+)与它们之间容纳因子t值.给出了Dy_(0.5)Sr_(1.5)MO_4(M=Mn,Ni,Ni_(0:75)Co_(0:25),Ni_(0:75)Fe_(0:25)的粉末衍射图和数据.     

V取代NiMn_2O_4温度依赖电子转移机制的密度泛函理论研究

本文采用密度泛函理论(DFT)和二维相关分析技术(2D-CA),计算了V取代NMO(NiMn2O_4)四面体Ni的温度依赖电子转移机制.计算结果表明:V-3d~3取代Ni-3d~8降低了价带顶的能态密度峰强度,这促使了原有Ni-O d-pσ杂化轨道改变为V-O d-pσ~*杂化轨道.随着温度升高,热增强促使O-2p~4轨道在-5 eV处劈裂,强化了Mn-O d-p杂化轨道强度,利于O-2p~4轨道捕获临近的Mn表面电子(Mn~(3+)→Mn~(3+)-Mn~(4+)).同时,价带内的V-3d~3能级向高能区域移动,增强长程V-O d-pσ~*轨道杂化强度.因此,V取代有效地提高了NMO基尖晶石的表面电子转移量(0.06→0.30 e).此方法可为新NMO基热敏电阻材料的设计提供理论参考.     

氧化性与还原性气体对氧化铟及氧化铟锡(100)表面的修饰作用

采用第一原理方法计算了氧化铟(In2O3)及氧化铟锡(ITO)材料中In2O3(100)和ITO(100)表面结构特征及氧化性气体O2和还原性气体NH3在该表面的成键机理、表面结构和表面电荷分布等性质.计算结果表明, In2O3及ITO薄膜表面的金属原子在优化过程中会向表面方向膨胀,而次外层氧原子则由于膨胀程度不同形成了两种配位环境的表层氧原子.吸附在表面上的O2分子对称轴平行于表面,由于表层金属原子d轨道电子流向O2的空π*反键轨道,在表面层中形成大量空穴,提高材料空穴注入效率,相反NH3中氮原子sp3杂化轨道电子流入表层金属原子的空轨道不利于材料提供空穴.     

一种基于GPU的并行三维各向异性扩散的超声图像斑点噪声滤波算法

三维的各向异性扩散的斑点噪声滤波算法(3D SRAD)计算密集,在CPU上串行处理运行效率较低,耗时长,不能满足实时系统的需求.为解决此问题,本文基于CUDA平台提出一种并行的3D SRAD算法——3D pSRAD.该算法从数据处理,任务分配以及纹理存储器和共享存储器的使用对并行处理进行了优化.实验结果表明,3D pSRAD提高了运算效率,计算加速比在60以上.     

不同粒径球阻抗理论计算方法及其实验验证

建立不同粒径球阻抗理论计算方法,提出球阻抗理论计算公式为6ρ/pd(ρ和d分别为球材料电阻率和球粒径),球阻抗理论计算数值与球粒径呈反比。通过实验测量3种不同粒径钢球阻抗数值,实验结果与理论计算相近。为计算不同粒径阻抗编码微球的理论阻抗数值提供数学公式。     

高级加密标准的差分特征

通过对美国高级加密标准(AES)特点的分析,引入差分特征输入差分活性盒分布图的概念,给出了一种计算AES差分特征的方法,从而使得计算AES的多轮差分特征成为可能．并且给出了用这种方法获得的AES3～12轮高概率的差分特征,其中3、4轮差分特征的概率与理论值相符．到目前为止,本文给出的3～12轮差分特征概率是所有已知的AES的多轮差分特征概率中最大的;并且首次给出了AESr(3≤r≤12)轮最大概率差分特征的差分活性盒数目范围及概率上界．     

完全图K7上欧拉链和欧拉闭链的计数

文[1]提出了 K_(2n 1)上有多少条欧拉链的计数问题,其中已知 K_3 上有一条欧拉链,K_5 上有22条欧拉链,对于 K_(2n 1)(n≥3)上有多少条欧拉链的计数问题没有解决.本文计算出 K_7 上的欧拉链的数目为541568条,在此基础上又计算出 K_7 上的欧拉闭链的数目为180544条,并估计出 K_(2n 1)(n≥4)上欧拉链的数目的一个上界.     

约束最小生成树问题研究

本文对约束最小生成树问题提出一个算法,它的计算复杂性是O(n3)．然后把约束最小生成树作为约束Steiner最小树的一个近似解,则近似解的性能比为3?/2．